中国船舶重工集团公司第723研究所电工电子设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：发射极—基极击穿电压 检测样品：场效应管 标准：《半导体器件 分立器件第8部分：场效应晶体管》GB/T4586-1994

检测项：集电极—发射极维持电压 检测样品：场效应管 标准：《半导体器件 分立器件第8部分：场效应晶体管》GB/T4586-1994

检测项：共发射极正向电流传输比 检测样品：场效应管 标准：《半导体器件 分立器件第8部分：场效应晶体管》GB/T4586-1994

机构所在地：江苏省扬州市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十研究所天奥校准/检测实验室

检测项：栅-源阈值电压 检测样品：场效应 晶体管 标准：半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管GB/T4586-1994第 Ⅳ 章2、3、6、 10、15条

检测项：栅-源阈值电压 检测样品：场效应 晶体管 标准：半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管GB/T4586-1994第 Ⅳ 章2、3、6、 10、15条

检测项：漏极电流 检测样品：场效应 晶体管 标准：半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管GB/T4586-1994第 Ⅳ 章2、3、6、 10、15条

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

贵州航天计量测试技术研究所

检测项：集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO 检测样品：场效应晶体管 标准：《半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管GB/T 4586-1994 《半导体分立器件试验方法GJB 128A-1997

检测项：栅源极截止（漏泄）电流IGSS 检测样品：场效应晶体管 标准：《半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管GB/T 4586-1994 《半导体分立器件试验方法GJB 128A-1997

检测项：老炼(二极管、整流管和稳压管) 检测样品：半导体分立器件 标准：《半导体分立器件试验方法》GJB128A-1997

机构所在地：贵州省贵阳市 更多相关信息>>

浙江省检验检疫科学技术研究院（浙江出入境检验检疫局检验检疫技术中心、浙江立德产品技术有限公司）

检测项：毛细效应 检测样品：纺织品 标准：纺织品毛细效应试验方法 FZ/T 01071-2008

检测项：毛细效应 检测样品：纺织品 标准：纺织品毛细效应试验方法 FZ/T 01071-2008

检测项：全项目 检测样品：普通照明设备LED模块 标准：普通照明设备用LED模块规范 IEC 62031:2008 GB24819-2009

机构所在地：浙江省杭州市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第二十四研究所质检中心

检测项：饱和压降 检测样品：场效应管IGBT 标准：半导体分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994

检测项：截止电流 检测样品：场效应管IGBT 标准：半导体分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994

检测项：直流放大倍数 检测样品：场效应管IGBT 标准：半导体分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994

机构所在地：重庆市 更多相关信息>>

湖北航天技术研究院计量测试技术研究所

检测项：密封性检查 检测样品：场效应晶体管 标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

检测项：外部目检 检测样品：场效应晶体管 标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

检测项：栅源极截止（漏泄）电流IGSS 检测样品：场效应晶体管 标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

机构所在地：湖北省孝感市 更多相关信息>>

深圳市疾病预防控制中心

检测项：农业转基因生物非期望效应检验和等级评价 检测样品：洁净室 标准：农业转基因生物食用安全性检验 第5部分 非期望效应检验（DB440300/T32.5-2007）

检测项：农业转基因生物非期望效应检验和等级评价 检测样品：转基因生物检测 标准：农业转基因生物食用安全性检验 第5部分 非期望效应检验（DB440300/T32.5-2007）

检测项：农业转基因生物非期望效应检验和等级评价 检测样品：洁净室 标准：农业转基因生物食用安全性要求和评价（SZJG 23-2006）

机构所在地：广东省深圳市 更多相关信息>>

中国航空无线电电子研究所元器件检测中心

检测项：集电极—基极击穿电压 检测样品：场效应管 标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件第8部分:场效应晶体管

检测项：发射极—基极击穿电压 检测样品：场效应管 标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件第8部分:场效应晶体管

检测项：集电极—发射极维持电压 检测样品：场效应管 标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件第8部分:场效应晶体管

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

西南计算机有限责任公司检测计量与软件测评中心

检测项：栅-源阈值电压 检测样品：场效应晶体管 标准：半导体器件 分立器件 第8部分： 场效应晶体管 GB/T4586-1994

检测项：稳压管动态电阻 检测样品：二极管 标准：半导体器件分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管 GB/T4023-1997 第Ⅳ篇 测试方法 1.3

检测项：反向击穿电压 检测样品：二极管 标准：半导体器件分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管 GB/T4023-1997 第Ⅳ篇 测试方法 1.3

机构所在地：重庆市 更多相关信息>>

北京赛迪君信电子产品检测实验室有限公司

检测项：栅源阈值电压VGS(th) 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994半导体器件 第8部分：场效应晶体管

检测项：品质因数Q 检测样品：二极管 标准：1.GB/T 4023-1997半导体器件分立器件和集成电路第2部分：整流二极管； 2.GB/T 6571-1995半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管；

检测项：直流电阻R 检测样品：二极管 标准：1.GB/T 4023-1997半导体器件分立器件和集成电路第2部分：整流二极管； 2.GB/T 6571-1995半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管；

机构所在地：北京市 更多相关信息>>