晶闸管中温度冲击试验的检测

检测项：温度冲击试验 检测样品：晶闸管 标准：GJB360B—2009/方法107 电子及电气元件试验方法

检测机构：国家电子电器产品检测中心 更多相关信息>>

西安电力电子技术研究所电力电子实验室

检测项：快开关晶闸管的通态电流 检测样品：晶闸管 标准：半导体器件 第6部分 晶闸管 GB/T 15291-1994 反向阻断三极晶闸管测试方法 JB/T 7626-1994

检测项：反向电流 检测样品：晶闸管 标准：半导体器件 第6部分 晶闸管 GB/T 15291-1994 反向阻断三极晶闸管测试方法 JB/T 7626-1994

检测项：断态电流 检测样品：晶闸管 标准：半导体器件 第6部分 晶闸管 GB/T 15291-1994 反向阻断三极晶闸管测试方法 JB/T 7626-1994

机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>

北京振兴计量测试研究所

检测项：正向电压 检测样品：晶闸管 标准：半导体器件 第6部分 晶闸管 GB/T15291-1994

检测项：反向电流 检测样品：晶闸管 标准：半导体器件 第6部分 晶闸管 GB/T15291-1994

检测项：集电极-发射极截止电流 检测样品：晶闸管 标准：半导体器件 第6部分 晶闸管 GB/T15291-1994

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

西南技术物理研究所检测校准中心实验室

检测项：漏源通态电流 检测样品：晶闸管 标准：半导体器件 第6部分晶闸管 GB/T 15291-1994

检测项：栅源阈值电压 检测样品：晶闸管 标准：半导体器件 第6部分晶闸管 GB/T 15291-1994

检测项：跨导 检测样品：晶闸管 标准：半导体器件 第6部分晶闸管 GB/T 15291-1994

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

北京尊冠科技有限公司

检测项：电流传输比CTR 检测样品：晶闸管 标准：GB/T15291－94《半导体器件 第6部分 晶闸管》

检测项：通态电压（VT） 检测样品：晶闸管 标准：GB/T15291－94《半导体器件 第6部分 晶闸管》

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

北京赛迪君信电子产品检测实验室有限公司

检测项：反向截止电流ICEO 检测样品：晶闸管 标准：GB∕T 15291-1994半导体器件 第6部分：晶闸管

检测项：反向漏电流Ir 检测样品：晶闸管 标准：GB∕T 15291-1994半导体器件 第6部分：晶闸管

检测项：电流传输比hF (ctr) 检测样品：晶闸管 标准：GB∕T 15291-1994半导体器件 第6部分：晶闸管

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

株洲变流技术国家工程研究中心实验中心

检测项：阀端子与地之间的交流电压试验 检测样品：无功补偿器用晶闸管阀(TCR, TSR和 TSC) 标准：《电力输配电系统功率电子 静止无功补偿器用晶闸管阀试验》 IEC61954:2013

检测项：冲击电压试验 检测样品：无功补偿器用晶闸管阀(TCR, TSR和 TSC) 标准：《轨道交通 机车车辆用电力变流器 第1部分:特性和试验方法》 IEC61287-1:2005

检测项：温升试验 检测样品：无功补偿器用晶闸管阀(TCR, TSR和 TSC) 标准：《轨道交通 机车车辆用电力变流器 第1部分:特性和试验方法》 IEC61287-1:2005

机构所在地：湖南省株洲市 更多相关信息>>

西安高压电器研究院有限责任公司

检测项：*部分项目 检测样品：静止无功补偿装置用晶闸管阀 标准：GB/T 20995-2007 IEC 61954：2003 输配电系统的电力电子技术 静止无功补偿装置用晶闸管阀的试验

检测项：*部分项目 检测样品：直流换流阀 标准：±800kV特高压直流输电用晶闸管阀电气试验 GB 28563-2012 高压直流输电用晶闸管阀 第1部分 电气试验 IEC 60700-1:2008

检测项：*部分项目 检测样品：静止无功补偿装置用晶闸管阀 标准：输配电系统的电力电子技术 静止无功补偿装置用晶闸管阀的试验 GB/T 20995-2007 IEC 61954：2003

机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>

西南计算机有限责任公司检测计量与软件测评中心

检测项：门极触发电流 检测样品：晶闸管 标准：半导体器件 第6部分 晶闸管 GB/T15291-1994 第5.1.2 、5.1.5 、5.1.6、 5.1.7条

检测项：门极触发电压 检测样品：晶闸管 标准：半导体器件 第6部分 晶闸管 GB/T15291-1994 第5.1.2 、5.1.5 、5.1.6、 5.1.7条

检测项：漏-源通态电流 检测样品：晶闸管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407

机构所在地：重庆市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十研究所天奥校准/检测实验室

检测项：门极触发电流 检测样品：晶闸管 标准：半导体器件 第6部分 晶闸管 GB/T15291-1994 第5.1.2、5.1.5、5.1.6、5.1.7条

检测项：门极触发电流 检测样品：晶闸管 标准：半导体器件 第6部分 晶闸管 GB/T15291-1994 第5.1.2、5.1.5、5.1.6、5.1.7条

检测项：栅极漏泄电流 检测样品：晶闸管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>