栅－源电压为零时的漏极电流（IDSS）检测实验

防散射滤线栅

简介

防散射滤线栅

简介

防散射滤线栅产品描述：通常由铅条、介质等组成。放置于影像接收面之前，以减少辐射到影像接收面上的散射辐射，从而改善X射线影像对比度的一种装置。

防散射滤线栅预期用途：配合X射线机使用，用于增加X射线影像的对比度。

防散射滤线栅品名举例：防散射滤线栅、乳腺防散射滤线栅

防散射滤线栅管理类别：Ⅱ

防散射滤线栅相关指导原则：
1、含儿科应用的医用诊断X射线设备注册审查指导原则
2、医用诊断X射线管组件注册技术审查指导原则

防散射滤线栅相关标准：
1 . GB 9706.1-2007 医用电气设备第1部分：安全通用要求
2 . GB 9706.11-1997 医用电气设备第2部分：医用诊断X射线源组件和X射线管组件安全专用要求
3 . GB 9706.12-1997 医用电气设备第1部分：安全通用要求并列标准：诊断X射线设备辐射防护通用要求
4 . GB/T 10151—2008 医用X射线设备高压电缆插头、插座技术条件
5 . YY/T 0291-2016 医用X射线设备环境要求及试验方法
6 . YY/T 0609-2018 医用诊断X射线管组件通用技术条件

防散射滤线栅相关检测项目：
1 . 物理特性的测量与确定《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》
2 . 测量方法和布置《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》
3 . 物理特性《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》
4 . 对防散射滤线栅的要求《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》
5 . 制造误差《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》
6 . 应用极限的确定《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》
7 . 特性的准确度《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》
8 . 标记与随附文件《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》
9 . 符合性声明《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》

收起百科↑ 最近更新：2023年03月14日

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北京赛迪君信电子产品检测实验室有限公司

检测项：零栅压漏极电流IDSS 检测样品：光耦合器标准：1.GB/T15651.3-2003半导体分立器件和集成电路第5-3部分：光电子器件测试方法 2.GB12565-1990半导体器件光电子器件分规范

检测项：漏极电流IDSon 检测样品：光耦合器标准：1.GB/T15651.3-2003半导体分立器件和集成电路第5-3部分：光电子器件测试方法 2.GB12565-1990半导体器件光电子器件分规范

检测项：栅源阈值电压VGS(th) 检测样品：场效应晶体管标准：GB/T4586-1994半导体器件第8部分：场效应晶体管

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湖南航天管理局计量检测中心

检测项：漏极截止电流IDSS 检测样品：半导体集成电路运算放大器标准：SJ/T10738-1996 半导体集成电路运算（电压）放大器测试方法的基本原理

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检测项：栅-源阈值电压VGS(th) 检测样品：半导体集成电路运算放大器标准：SJ/T10738-1996 半导体集成电路运算（电压）放大器测试方法的基本原理

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陕西省电子技术研究所电子元器件检测筛选中心

检测项：零栅压漏极电流（IDSS）检测样品：光电耦合器标准：半导体分立器件和集成电路第7部分双极型晶体管 GB/T 4587-94 半导体器件分立器件和集成电路第2部分:整流二极管 GB/T 4023-1997 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97 半导体分

检测项：反向栅源漏电流（IGSSR）检测样品：光电耦合器标准：半导体分立器件和集成电路第7部分双极型晶体管 GB/T 4587-94 半导体器件分立器件和集成电路第2部分:整流二极管 GB/T 4023-1997 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97 半导体分

检测项：正向栅源漏电流（IGSSF）检测样品：光电耦合器标准：半导体分立器件和集成电路第7部分双极型晶体管 GB/T 4587-94 半导体器件分立器件和集成电路第2部分:整流二极管 GB/T 4023-1997 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97 半导体分

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贵州航天计量测试技术研究所

检测项：漏源极截止电流IDSS 检测样品：晶体振荡器标准：《晶体振荡器总规范》GJB 1648-1993

检测项：截止态漏极漏电流ID 检测样品：V/F、F/V转换器标准：《半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器》 GB/T 14114-1993

检测项：栅源极截止（漏泄）电流IGSS 检测样品：场效应晶体管标准：《半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管GB/T 4586-1994 《半导体分立器件试验方法GJB 128A-1997

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上海精密计量测试研究所

检测项：漏极截止电流IDSS 检测样品：半导体集成电路时基电路标准：GB/T14030-1992 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理

检测项：漏极截止电流IDSS 检测样品：场效应晶体管标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法

检测项：截止态漏极漏电流ID（off）检测样品：电压基准标准：SJ50597/57-2003 半导体集成电路JW584 /JW584A可编程电压基准详细规范 SJ50597/54-2002 半导体集成电路JW431精密可调电压基准源详细规范

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湖北航天技术研究院计量测试技术研究所

检测项：漏源极截止电流IDSS 检测样品：场效应晶体管标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

检测项：栅源极截止（漏泄）电流IGSS 检测样品：场效应晶体管标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

检测项：栅-源截止电压VGSoff 检测样品：场效应晶体管标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

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西南计算机有限责任公司检测计量与软件测评中心

检测项：零栅压漏极电流检测样品：晶闸管标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407

检测项：正向栅源漏电流检测样品：晶闸管标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407

检测项：反向栅源漏电流检测样品：晶闸管标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407

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中国船舶重工集团公司第723研究所电工电子设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：零栅压漏极电流检测样品：场效应管标准：《半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管》GB/T4586-1994

检测项：正向栅源漏电流检测样品：场效应管标准：《半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管》GB/T4586-1994

检测项：栅源阈值电压检测样品：场效应管标准：《半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管》GB/T4586-1994

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中国电子科技集团公司第十研究所天奥校准/检测实验室

检测项：零栅压漏极电流检测样品：场效应晶体管标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407

检测项：零栅压漏极电流检测样品：场效应晶体管标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管GB/T4586-1994第 Ⅳ 章2、3、6、 10、15条

检测项：漏极电流检测样品：场效应晶体管标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407

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宜昌测试技术研究所（中国船舶重工集团公司第七一0研究所）环境可靠性及电磁兼容检测实验室

检测项：零栅压漏极电流检测样品：场效应晶体管标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

检测项：零栅压漏极电流检测样品：半导体集成电路TTL电路标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

检测项：通态漏极电流检测样品：半导体集成电路TTL电路标准：GJB128A-1997半导体分立器件试验方法方法3407

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