正向跨导（gfs）检测实验

妇科采样器械

简介

妇科采样器械

简介

一次性使用无菌宫颈刮板产品描述：由木片、竹片等材料制成的片状器械，无菌提供。

一次性使用无菌宫颈刮板预期用途：用于获取宫颈表面的样本。

一次性使用无菌宫颈刮板品名举例：一次性使用无菌宫颈刮板

一次性使用无菌宫颈刮板管理类别：Ⅱ

刮宫片产品描述：由木片、竹片等材料制成的片状器械，非无菌提供。

刮宫片预期用途：暂无内容

刮宫片品名举例：刮宫片

刮宫片管理类别：Ⅰ

导光宫颈片产品描述：一般由高分子材料制成的片状器械。非无菌提供。

导光宫颈片预期用途：与射光器配套使用，用于临床妇科检查时采样用。

导光宫颈片品名举例：导光宫颈片

导光宫颈片管理类别：Ⅰ

一次性使用宫颈刷产品描述：通常由采样管、杯、盖、拭子等组成。无菌提供。

一次性使用宫颈刷预期用途：
用于样本的收集、运输和储存等。

一次性使用宫颈刷品名举例：一次性使用宫颈刷

一次性使用宫颈刷管理类别：Ⅱ

子宫内膜细胞采样器产品描述：通常由套管、抽拉杆、采样孔、手柄、橡胶环组成。无菌提供。

子宫内膜细胞采样器预期用途：用于采集子宫内膜细胞样品和组织样本。

子宫内膜细胞采样器品名举例：子宫内膜细胞采样器、子宫内膜取样器

子宫内膜细胞采样器管理类别：Ⅱ

妇科采样器械相关标准：
1、YY/T 1521-2017 超声弹性仿组织体模的技术要求
2、YY/T 1480-2016 基于声辐射力的超声弹性成像设备性能试验方法
3、YY/T 0108-2008 超声诊断设备M模式试验方法

收起百科↑ 最近更新：2023年06月26日

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中国电子科技集团公司第十三研究所检测中心

检测项：正向跨导gfs 检测样品：场效应晶体管标准：1、GB/T 4586-1994 半导体器件第8部分：场效应晶体管 2、GB/T 20516-2006 半导体器件分立器件第4部分：微波器件

检测项：正向跨导gfs 检测样品：场效应晶体管标准：1、GB/T 4586-1994 半导体器件第8部分：场效应晶体管 2、GB/T 20516-2006 半导体器件分立器件第4部分：微波器件

检测项：正向电压VF 检测样品：微电路模块标准：1、SJ 20668-1998 微电路模块总规范 2、SJ 20645-1997 微波电路放大器测试方法

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北京赛迪君信电子产品检测实验室有限公司

检测项：正向跨导gfs 检测样品：光耦合器标准：1.GB/T15651.3-2003半导体分立器件和集成电路第5-3部分：光电子器件测试方法 2.GB12565-1990半导体器件光电子器件分规范

检测项：正向直流电压VF 检测样品：二极管标准：1.GB/T 4023-1997半导体器件分立器件和集成电路第2部分：整流二极管； 2.GB/T 6571-1995半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管；

检测项：正向栅源漏电流Igssf 检测样品：光耦合器标准：1.GB/T15651.3-2003半导体分立器件和集成电路第5-3部分：光电子器件测试方法 2.GB12565-1990半导体器件光电子器件分规范

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武汉中原电子集团有限公司计量检测中心

检测项：小信号短路正向跨导gfs 检测样品：场效应管标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994

检测项：正向阈值电压下的输入电流检测样品：TTL电路标准：半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理 SJ/T 10735-1996

检测项：正向电压VF 检测样品：光电耦合器标准：半导体分立器件和集成电路第5-2部分：光电子器件基本额定值和特性 GB/T 15651.2-2003

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中国电子科技集团公司第十研究所天奥校准/检测实验室

检测项：正向跨导检测样品：场效应晶体管标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407

检测项：正向跨导检测样品：场效应晶体管标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管GB/T4586-1994第 Ⅳ 章2、3、6、 10、15条

检测项：正向压降检测样品：光耦合器标准：半导体光耦合器（二极管）正向压降的测试方法 SJ 2215.2-1982

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中国航空无线电电子研究所元器件检测中心

检测项：正向跨导检测样品：场效应管标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管

检测项：正向跨导检测样品：二极管标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4023-1997 半导体器件:分立器件和集成电路第2部分:整流二极管 GB/T 6571-1995 半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管

检测项：输入二极管正向电压检测样品：光电耦合器标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 15651-1995 半导体器件分立器件第5部分光电子器件

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中国电子科技集团公司第十四研究所检测/试验中心

检测项：小信号短路正向跨导检测样品：场效应晶体管标准：GB/T4586-1994半导体分立器件分立器件第8部分场效应晶体管

检测项：正向阈值电压下的输入电流检测样品：电压调整器标准：GB/T 4377-1996半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理

检测项：共发射极正向电流传输比检测样品：双极型晶体管标准：GB/T4587-1994半导体器件分立器件和集成电路第7部分双极型晶体管

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西南技术物理研究所检测校准中心实验室

检测项：跨导检测样品：晶闸管标准：半导体器件第6部分晶闸管 GB/T 15291-1994

检测项：正向压降检测样品：双极型晶体管标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

检测项：正向直流电压检测样品：二极管标准：半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管 GB/T 6571-1995 分立器件和集成电路第2部分：整流二极管 GB/T 4023-1997

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西南计算机有限责任公司检测计量与软件测评中心

检测项：跨导检测样品：晶闸管标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407

检测项：正向直流电压检测样品：二极管标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法4011 、方法4016

检测项：正向栅源漏电流检测样品：晶闸管标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407

机构所在地：重庆市更多相关信息>>

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西安芯派电子科技有限公司测试应用中心

检测项：跨导检测样品：功率金属氧化物场效应管标准：半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 方法3475.2

检测项：正向压降检测样品：二极管标准：半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 方法4011.4

检测项：关闭状态正向漏电流检测样品：晶闸管标准：半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 方法4206.1

机构所在地：陕西省西安市更多相关信息>>

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宜昌测试技术研究所（中国船舶重工集团公司第七一0研究所）环境可靠性及电磁兼容检测实验室

检测项：跨导检测样品：半导体集成电路TTL电路标准：GJB128A-1997半导体分立器件试验方法方法3407

检测项：正向压降检测样品：二极管标准：GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法方法4011、方法4016

检测项：正向压降检测样品：二极管标准：GJB360B-2009 电子及电气元件试验方法方法303 直流电阻测试

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