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检测项:铅 检测样品:电子电器产品 标准:电子产品中某些物质的检测-第5部分:使用AAS,AFS,ICP-OES和ICP-MS检测聚合物和电子器件中的镉,铅和铬及金属中的镉和铅 IEC62321-5:2013(版本1.0)
检测项:镉 检测样品:电子电器产品 标准:电子产品中某些物质的检测-第5部分:使用AAS,AFS,ICP-OES和ICP-MS检测聚合物和电子器件中的镉,铅和铬及金属中的镉和铅 IEC62321-5:2013(版本1.0)
检测项:铬 检测样品:电子电器产品 标准:电子产品中某些物质的检测-第5部分:使用AAS,AFS,ICP-OES和ICP-MS检测聚合物和电子器件中的镉,铅和铬及金属中的镉和铅 IEC62321-5:2013(版本1.0)
机构所在地:广东省惠州市 更多相关信息>>
检测项:基极-发射极饱和电压 检测样品:光电耦合器 标准:半导体器件 分立器件和集成电路 第5部分 光电子器件 GB/T15651-1995 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分 整流二极管 GB/T4023-1997 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 GB/T4587-1994
检测项:电流传输比 检测样品:光电耦合器 标准:半导体器件 分立器件和集成电路 第5部分 光电子器件 GB/T15651-1995 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分 整流二极管 GB/T4023-1997 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 GB/T4587-1994
机构所在地:北京市 更多相关信息>>
检测项:老炼试验 检测样品:电子元器件 标准:微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法1015.1 微电路测试方法 MIL-STD-883H:2010 方法1015.10
机构所在地:上海市 更多相关信息>>
检测项:初始频率温度精度 检测样品:元器件筛选 标准:GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法 GJB548B-2005/GJB548A-1996微电子器件试验方法和程序 GJB360B-2009/GJB360A-1996 电子及电气元件试验方法 GJB150.4A-2009 军用装备实验室环境试验方
检测项:密封性 检测样品:元器件筛选 标准:GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法 GJB548B-2005/GJB548A-1996微电子器件试验方法和程序 GJB360B-2009/GJB360A-1996 电子及电气元件试验方法 GJB150.4A-2009 军用装备实验室环境试验方
检测项:低温贮存 检测样品:元器件筛选 标准:GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法 GJB548B-2005/GJB548A-1996微电子器件试验方法和程序 GJB360B-2009/GJB360A-1996 电子及电气元件试验方法 GJB150.4A-2009 军用装备实验室环境试验方
机构所在地:河南省洛阳市 更多相关信息>>
检测项:温度 冲击 检测样品:电工电子产品、汽车产品与军用设备 标准:VW80000 3.5吨以下汽车电气和电子部件试验项目、试验条件和试验要求 9.5温度冲击试验 GJB548B-2005 微电子器件试验方法和程序 方法 1011.1热冲击 GJB360A-1996 电子及电气元件试验方法 方法107 温度冲击试验 G
检测项:温度 变化 检测样品:电工电子产品、汽车产品与军用设备 标准:JIS C 0025-1988 基本环境试验程序 第2部分:温度变化法 JESD22-A104C-2005 试验方法A104C 温度循环 GJB548B-2005 微电子器件试验方法和程序 方法 1010.1 温度循环 GJB128A-1997 半导体分立
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