GJB548《微电子器件试验方案和程序》规定了军用微电子器件的气候环境试验、机械环境试验、电学试验和检验程序，以及为保证微电子器件满足预定用途所要求的质量和可靠性而必须的控制措施和限制条件。标准适用于军用微电子器件。
试验方法数量的变化
GJB548A-1996包含71个试验方法
GJB548B-2005包含74个试验方法
GJB548C-2021包含78个试验方法
标准主要内容的变化
GJB548B-2005与GJB548A-1996相比主要变化如下：
（1）对4.5试验条件中根据我国实际操作情况进行了改写；
（2）对试验方法及图、表的编号不再加A、B.....等版本号形式，而是对修改过的试验方法加“.1，.2”6等形式；
（3）增加了试验方法1034《染色渗透试验》、试验方法2029《陶瓷片式载体焊接强度(破坏性推力试验)》和试验方法2035《载带自动焊焊接质量的超声检测》；
（4）在方法5004和方法5005中删除了B1级的有关内容；
（5）删除了附录A、附录B、附录C、附录D。
GJB548C-2021与GJB548B-2005相比主要变化如下:
1. 正文
（1）更新并增加了引用文件；
（2）增加了失效模式、失效机理、标准物质等术语定义；
（3）增加了电测试应在最坏电源电压条件下进行的要求；
（4）细化了电测试温度控制要求(尤其对于混合电路)。
2. 方法 1012.1 热性能
（1）基于当前红外热像设备大多已具备辐射率修正能力，将涂漆要求改为可选操作；
（2）增加了涂层材料对峰值结温的影响说明。
3. 方法1014.3 密封
（1）增加了A5试验条件；
（2）提高了宇航级混合集成电路器件漏率失效判据；
（3）细化了氨质谱检漏法固定方法的内腔容积分段；
（4）增加了累积氦质谱检漏法；
（5）细化了光学检漏法有关要求。
4. 方法1017.1 中子辐射
（1）增加了部分术语定义；
（2）细化了辐射源要求，增加了电离总剂量限制指标。
5. 方法1018.2 内部气体成分分析
（1）删除了程序2和程序33；
（2）细化了质谱仪的校准要求；
（3）增加了真空箱和传递通道的描述；
（4）增加了实验室应提供对未知或已存在但未达到识别浓度的气体质谱描述说明的规定；
（5）增加了实验室无权判定器件合格或不合格的规定。
6. 方法 1019.3 电离辐射(总剂量)
（1）增加了部分术语定义；
（2）增加了低温辐射试验规定；
（3）增加了使用干冰保存样品的规定；
（4）增加了低剂量率增强效应(ELDRS)的判定试验表征试验。
7. 方法 1020.2 剂量率感应锁定
剂量测量系统中增加了闪烁探测器和康普顿二极管。
8. 方法 1034.1 染料渗透
（1）增加了试验设备，并细化了规格参数；
（2）修改了浸渗剂粘度；
（3）增加了正常明视场条件下的剖面拍照要求。
9. 方法2003.2 可焊性
（1）增加了部分术语定义；
（2）增加了材料和设备；
（3）对蒸汽老化作了分类编写；
（4）对试验条件作了分类编写；
（5）增加了附录A和附录B；
（6）除了可焊性评价准则表。
10. 方法2004.3 引线牢固性
（1）增加了部分术语定义；
（2）增加了试验条件A1引线钎焊牢固性和试验条件E引线镀层牢固性；
（3）修改了刚性引线试验程序；
（4）弯曲应力试验和引线疲劳试验增加了翼型引线和J形引线试验程序。
11. 方法2005.1 振动疲劳
增加了峰值加速度与振幅和频率的计算关系。
12. 方法2009.2 外部目检
（1）增加了焊球/焊柱阵列引出端缺陷判据；
（2）增加了玻璃填充底座封装的玻璃密封处开口泡的缺陷判据。
13. 方法2010.2 内部目检(单片电路)
（1）增加了受控环境(洁净室)要求:
（2）修改了 S 级金属化层跨接的挤出金属缺陷判据。
14. 方法2011.2 键合强度
（1）增加了引线键合点剪切试验;
（2）增加了拉力钩放置位置示意图。
15. 方法2012.2 X射线检查
（1）增加了实时成像X 射线检查的设备和程序要求
（2）增加了有缺陷密封判据的示意图。
16. 方法2015.2 耐溶剂性
修改了刷样品时的手压力。
17. 方法2017.2 内部目检(混合电路)
（1）删除了一般要求；
（2）在检查中增加了附加检查的规定；
（3）键合检查通用要求增加了 H级和K级的挤出金属缺陷判据。
18. 方法2018.2 扫描电子显微镜(SEM)检查
（1）增加了对于化学机械抛光（CMP）等平坦化工艺不需要SEM检查的要求；
（2）增加了采用芯片或已封装器件的抽样方案；
（3）增加了阻挡层/附着层不需要查的情况；
（4）修改了钝化层台阶放大倍数范围。
19. 方法2019.3 芯片切强度
（1）增加了部分术语定义；
（2）修改了失效判据和分离模式。
20. 方法 2020.2 粒子碰撞噪声检测
（1）降低了预置值峰值；
（2）增加了设备的数据存储采集与分析可选功能；
（3）增加了不允许试验大型器件的规定；
（4）增加了器件放置位置范围要求；
（5）增加了试验频的计算公式；
（6）修改了腔高和频率典型对应值。
21. 方法 2023.3 非破坏性键合拉力
增加了拉力钩放置位置示意图。
22. 方法2030.1 芯片粘接的超声检测
增加了图例及反射/透射模式对照图。
23. 方法2032.1 无源元件的目检
（1）在检查中增加了附加检查的规定；
（2）细化了判据格式说明；
（3）修改了薄膜元件检查中的金属化划伤判据；
（4）修改了平面厚膜元件检查中的金属化划伤判据；
（5）修改了平面厚膜元件检查中的金属化空洞判据；
（6）修改了平面厚膜元件检查中的厚膜电阻缺陷判据；
（7）修改了声表面波元件检查中的基板材料缺陷判据；
（8）修改了声表面波元件检查中的多余物缺陷判据；
（9）修正了部分数据换算错误。
24. 方法2036 耐焊接热
新增试验方法。
25. 方法2037铅锡焊料成分分析-X射线光检测
新增试验方法。
26. 方法2038焊柱阵列封装的破坏性引线拉力
新增试验方法。
27. 方法3015.1静电敏感度的分级
（1）修改了交换引出端以获得极性相反波形的规定；
（2）增加了空脚引出端的试验要求；
（3）细化了同名电源引出端的分组规定；
（4）增加了可以放置旁路电阻来消除脉冲前电压的选择；
（5）增加了放电结束后可以将所有引线同时接地的选择。
28. 方法3023集成电路锁定
新增试验方法。
29. 方法5004.3筛选程序
增加了附录A。
30. 方法 5005.3鉴定检验和质量一致性检验程序
（1）B级B组检验增加了芯片剪切或芯片粘接强度试验；
（2）D组检验增加了耐接热分组；
（3）E组检验增加了单粒子效应分组；
（4）增加了部分注释。
31. 方法5007.2 品圆批验收
（1）增加了金属化层厚度和钝化层厚度按 GJB 597B-2012 执行的规定；
（2）增加了GaAs、GaN工艺晶圆厚度要求。
32. 方法 5009.1 破坏性物理分析
该方法内容已被GJB4027工作项目1100所代替。
33. 方法5010.3 复杂单片微电路检验程序
E组检验增加了瞬态电离辐射、辐射锁定和单粒子效应分组。
34. 方法5013.1 GaAs 工艺的晶圆制造控制和接收程序
（1）修改了工艺监测图形(PM)；
（2）增加了PM合格率和PM设置要求。
资料参考：GJB548A-1996、GJB548B-2005、GJB548C-2021
