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检测项:输出短路电流 检测样品:CMOS集成电路 标准:《半导体器件集成电路第2部分:数字集成电路》GB/T17574-1998 《半导体集成电路 CMOS电路测试方法的基本原理》SJ/T10741-2000
检测项:输出漏电流 检测样品:时基电路 标准:《半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理》GB/T 14030-1992
检测项:输出高电平电流 检测样品:TTL集成电路 标准:《半导体器件集成电路第2部分:数字集成电路》GB/T17574-1998
机构所在地:江苏省扬州市 更多相关信息>>
检测项:输出短路电流 检测样品:运算 (电压)放大器 标准:半导体集成电路 运算(电压)放大器 测试方法的基本原理 SJ/T 10738-1996第2.1、2.3、2.5、2.6、2.7、2.8、2.11条
检测项:输出短路电流 检测样品:CMOS 集成电路 标准:半导体集成电路CMOS电路测试方法的 基本原理 SJ/T10741-2000 第5.1、5.2、5.3、5.7、5.8、5.9、5.10、5.11、5.12、5.13、5.14、5.15、5.16条
机构所在地:四川省成都市 更多相关信息>>
检测项:CRD5.11输出电流限制(外部短路考察) 检测样品:手机用锂电池 标准:蜂窝电话用可充电电池的IEEE标准 IEEE1725:2011 CTIA关于电池系统符合IEEE1725的认证要求 Rev.2.6 08, 2013
检测项:负载输出电压和输出电流 检测样品:电力变压器、电源、电抗器和类似产品 标准:电力变压器、电源、电抗器和类似产品的安全第1部分:通用要求和试验 IEC61558-1:1997 +A1:1998 EN 61558-1: 1997 +A1:1998 +A11:2003 IEC 61558-1:2005 +A1:2009 EN 6155
检测项:CRD 5.7 限制输出电流 检测样品:便携式计算机用蓄电池 标准:便携式计算机用蓄电池标准 IEEE1625:2008 及电池系统符合IEEE1625的证书要求 CRD Revision 1.9(2013-08)
机构所在地:广东省深圳市 更多相关信息>>
检测项:部分项目 检测样品:用于交流和直流的断路器 标准:用于交流和直流的断路器GB 10963.2-2008
检测项:部分项目 检测样品:带电作业用便携式接地和接地短路装置 标准:带电作业用便携式接地和接地短路装置 DL/T 879-2004
检测项:部分项目 检测样品:用于交流的断路器 标准:电气附件 家用及类似场所用过电流保护断路器 第1部分:用于交流的断路器 GB 10963.1-2005
机构所在地:河北省石家庄市 更多相关信息>>
检测项:部分项目 检测样品:电涌保护器 标准:UL1449:2006 电涌保护器
检测项:部分项目 检测样品:电涌保护器 标准:GB18802.1-2002/ IEC61643-1:2005低压配电系统的电涌保护器第1部分:性能要求和试验方法; GB/T 18802.21-2004/IEC61643-21:2000电信和信号网络的电涌保护器(SPD)---性能要求和试验方法
检测项:部分项目 检测样品:家用和类似用途的插头插座 标准:GB 2099.1-2008家用和类似用途插头插座 第一部分:通用要求 IEC 60884-1:2006家用和类似用途插头插座
机构所在地:广东省东莞市 更多相关信息>>
检测项:部分参数 检测样品:低压成套开关设备和控制设备 标准:《低压成套开关设备和控制设备 第1部分:型式试验和部分型式试验 成套设备》 GB 7251.1-2005
检测项:部分参数 检测样品:公用电网动力配电成套设备 标准:《低压成套开关设备和控制设备 第5部分:对公用电网动力配电成套设备的特殊要求》 GB7251.5-2008
检测项:部分参数 检测样品:非专业人员可进入场地的低压成套开关设备和控制设备-配电板 标准:《低压成套开关设备和控制设备 第3部分:对非专业人员可进入场地的低压成套开关设备和控制设备-配电板的特殊要求》 GB7251.3-2006
机构所在地:江苏省南京市 更多相关信息>>
检测项:短路输出阻抗 检测样品:感应 移相器* 标准:感应移相器通用技术条件 JB/T6225-1992
检测项:短路输出阻抗 检测样品:交流测速 发电机* 标准:CK系列异步测速 发电机 JB/T8160-1995
检测项:输出电压 检测样品:感应 移相器* 标准:感应移相器通用技术条件 JB/T6225-1992
机构所在地:陕西省西安市 更多相关信息>>
检测项:输出短路保护 检测样品: 标准:
检测项:充电器要求 检测样品:移动通信手持机充电器 标准:移动通信手持机充电器及接口技术要求和试验方法 YD/T1591-2009
机构所在地:福建省厦门市 更多相关信息>>
检测项:二端口和输入/输出端子分开的一端口的SPD试验 检测样品:低压电涌保护器(SPD) 标准:低压浪涌保护装置 第11部分:接到低压配电系统的浪涌保护装置 要求和试验方法 EN 61643-11:2002+A11:2007低压浪涌保护装置 第11部分:接到低压配电系统的浪涌保护装置 要求和试验方法IEC 61643-11:2011
检测项:负载侧短路耐受能力试验 检测样品: 标准:
检测项:SPD的脱离器和SPD过载时的安全性能试验 检测样品:低压电涌保护器(SPD) 标准:低压浪涌保护装置 第11部分:接到低压配电系统的浪涌保护装置 要求和试验方法 EN 61643-11:2002+A11:2007低压浪涌保护装置 第11部分:接到低压配电系统的浪涌保护装置 要求和试验方法IEC 61643-11:2011
机构所在地:北京市 更多相关信息>>
检测项:输出短路电流 检测样品:集成电路 标准:半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理SJ/T10735-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 半导体集成电路双极型随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10740-1996 半导体集成电路CM
检测项:输出低电流 检测样品:集成电路 标准:半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理SJ/T10735-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 半导体集成电路双极型随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10740-1996 半导体集成电路CM
检测项:输出高电流 检测样品:集成电路 标准:半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理SJ/T10735-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 半导体集成电路双极型随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10740-1996 半导体集成电路CM
机构所在地:湖北省武汉市 更多相关信息>>