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检测项：静态功耗 检测样品：时基电路 标准：半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 SJ/T 10805-2000
检测项：D/A功耗 检测样品：CMOS集成电路 标准：集成电路A/D和D/A转换器测试方法的基本原理 SJ20961-2006
检测项：A/D功耗 检测样品：CMOS集成电路 标准：集成电路A/D和D/A转换器测试方法的基本原理 SJ20961-2006
机构所在地：上海市 更多相关信息>>
检测项：静态功耗 检测样品：TTL电路 标准：SJ/T 10735-1996 半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理
机构所在地：云南省昆明市 更多相关信息>>
检测项：静态功耗 检测样品：电压比较器 标准：半导体集成电路电压比较器 测试方法的基本原理 GB/T6798-1996
机构所在地：重庆市 更多相关信息>>
检测项：静态功耗PD 检测样品：半导体集成电路TTL电路 标准：SJ/T10735-1996 半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理
检测项：静态功耗PD 检测样品：半导体集成电路运算放大器 标准：SJ/T10738-1996 半导体集成电路运算（电压） 放大器测试方法的基本原理
检测项：静态功耗PD 检测样品：半导体集成电路电压比较器 标准：GB/T6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理
机构所在地：湖南省长沙市 更多相关信息>>
检测项：静态功耗PD 检测样品：电压比较器 标准：GB/T 6798－1996《半导体集成电路 电压比较器测试方法的基本原理》
检测项：共发射极正向电流传输比的静态值（h21E） 检测样品：场效应晶 体管 标准：GB/T 4586－94《半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管》
检测项：静态条件下的电源电流ICC 检测样品：模拟开关/多路器系列集成电路 标准：GB/T14028-92《半导体集成电路模拟开关测试方法的基本原理》
机构所在地：北京市 更多相关信息>>
检测项：静态功耗 检测样品：半导体集成电路运算放大器 标准：半导体集成电路运算(电压)放大器测试方法的基本原理SJ/T10738-1996
机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>
检测项：静态功耗 检测样品：半导体集成电路电压比较器 标准：半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 SJ/T 10805-2000
检测项：DAC功耗 检测样品：集成电路A/D和D/A转换器 标准：集成电路A/D和D/A转换器测试方法的基本原理 SJ20961-2006
检测项：ADC功耗 检测样品：集成电路A/D和D/A转换器 标准：集成电路A/D和D/A转换器测试方法的基本原理 SJ20961-2006
检测项：静态功耗 检测样品：电工电子产品/核安全级电气设备 标准：电工电子产品环境试验 第2部分： 试验方法 试验A：低温 GB/T 2423.1-2008
检测项：静态功耗 检测样品：电工电子产品/核安全级电气设备 标准：(1)电工电子产品环境试验 第2部分： 试验方法 试验A：低温 GB/T 2423.1-2008
检测项：静态功耗 检测样品：时基 电路 标准：半导体集成电路 时基电路 测试方法的基本原理GB/T14030-1992 第2.1、2.2、2.3、2.4、2.6、2.7、2.8条
检测项：静态功耗 检测样品：电压 比较器 标准：半导体集成电路 电压比较器 测试方法的基本原理 GB/T6798-1996 第4.1、4.3、4.5、4.7、4.8、4.9、4.11、4.13、4.14、4.15、4.16条
机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>
检测项：静态功耗PD 检测样品：半导体集成电路（稳压器） 标准：1.GB/T 4377-1996半导体集成电路电压调整器测试方法基本原理 2.GB/T 4589.1-2006半导体器件 第10部分：分立器件和集成电路总规范
检测项：静态功耗PD 检测样品：半导体集成电路（电压比较器） 标准：1.SJ/T10805-2000半导体集成电路 电压比较器测试方法的基本原理 2.GB/T 4589.1-2006半导体器件 第10部分：分立器件和集成电路总规范 3.GB/T 16464-1996 半导体器件 集成电路
检测项：静态电流ID 检测样品：半导体集成电路（数字集成电路） 标准：1.SJ/T 10741-2000 半导体集成电路 CMOS电路测试方法的基本原理 2.GB/T 17574-1998半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路 第IV篇 3.GB/T 16464-1996半导体器件 集成电路 第
