C、E间击穿电压检测实验

棘突植入物

简介

棘突植入物

简介

棘突植入物产品描述：通常由单个或多个部件组成。一般采用钛合金等材料制成。该产品可用于在腰椎棘突间施加一定的撑开力，限制腰椎过度后伸。

棘突植入物预期用途：用于维持腰椎活动节段棘突间的稳定。

棘突植入物品名举例：棘突间植入物

棘突植入物管理类别：Ⅲ

棘突植入物相关指导原则：
1、3D打印人工椎体注册技术审查指导原则
2、增材制造金属植入物理化性能均一性研究指导原则

棘突植入物相关标准：
1、YY/T 1701-2020 用于增材制造的医用Ti-6Al-4V/Ti-6Al-4V ELI粉末
2、YY/T 0772.3-2009 外科植入物超高分子量聚乙烯第3部分：加速老化方法
3、YY/T 0772.4-2009 外科植入物超高分子量聚乙烯第4部分：氧化指数测试方法

收起百科↑ 最近更新：2023年04月03日

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检测项：绕组段间的工频耐压试验检测样品：电磁式电压互感器标准：电磁式电压互感器 GB 1207-2006 电力用电压互感器订货技术条件 DL/T 726-2000 互感器第2部分：感应电压互感器 IEC 60044-2:2003

检测项：匝间过电压试验（CT）检测样品：组合互感器标准：电流互感器 GB 1208-2006 电力用电流互感器订货技术条件 DL/T 725-2000 电磁式电压互感器 GB 1207-2006 电力用电压互感器订货技术条件 DL/T 726-2000 组合互感器 GB

检测项：绕组段间的工频耐压试验检测样品：组合互感器标准：电流互感器 GB 1208-2006 电力用电流互感器订货技术条件 DL/T 725-2000 电磁式电压互感器 GB 1207-2006 电力用电压互感器订货技术条件 DL/T 726-2000 组合互感器 GB

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武汉中原电子集团有限公司计量检测中心

检测项：集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO 检测样品：双极型晶体管标准：半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994

检测项：集电极-基极击穿电压V(BR)CBO 检测样品：场效应管标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994

检测项：集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO 检测样品：场效应管标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994

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中国船舶重工集团公司第七一六研究所机电设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：集电极—基极击穿电压检测样品：场效应管标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

检测项：发射极—基极击穿电压检测样品：场效应管标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

检测项：集电极—基极击穿电压检测样品：晶体三极管标准：GB/T4587-1994 《半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管》

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深圳电气科学研究所（深圳电气科学研究所中心实验室/深圳电气产品质量检测中心）

检测项：全部项目检测样品：绝缘油标准：GB/T 507-2002 绝缘油击穿电压测定法

检测项：全部参数检测样品：电气设备标准：GB/T 1695-2005 硫化橡胶工频击穿介电强度和耐电压的测定方法

检测项：全部项目检测样品：绝缘油标准：绝缘油击穿电压测定法 GB/T 507-2002

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中国石油化工股份有限公司北京燕山分公司树脂应用研究所树脂检测实验室

检测项：电气强度检测样品：塑料标准：固体电绝缘材料在商用电源频率下的介电击穿电压和介电强度的标准试验方法 ASTM D149-09（2013）

检测项：管材耐静液压试验检测样品：塑料制品标准：热塑聚合物和混合物构成的柔性薄膜密封表面的热密封强度（热粘性）试验方法 ASTM F1921-12e1

检测项：失重百分比、分解温度检测样品：塑料标准：热分析法测定比热容标准试验方法 ASTM E1269-11

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广东省电子电器产品监督检验所

检测项：击穿电压检测样品：整流二极管标准：半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范 GB/T 4589.1-2006

检测项：通道间相位差检测样品：微型计算机标准：GB 28380-2012 微型计算机能效限定值及能效等级

检测项：多通道放大器中通道间的增益差和相位差检测样品：声频功率放大器标准：声频系统设备第3部分：声频放大器测量方法 GB/T 12060.3-2011

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中国电子科技集团公司第二十四研究所质检中心

检测项：击穿电压检测样品：晶体管标准：半导体器件分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994

检测项：击穿电压检测样品：场效应管IGBT 标准：半导体分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994

检测项：反向击穿电压检测样品：电容标准：电子设备用固定电容器第1部分：总规范 GB/T2693-2001

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湖北航天技术研究院计量测试技术研究所

检测项：击穿电压 V（BR）检测样品：晶体管标准：半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分：场效应晶体管 GB/T 4587-1994

检测项：集电极-基极击穿电压V(BR)CBO 检测样品：晶体管标准：半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分：场效应晶体管 GB/T 4587-1994

检测项：发射极-基极击穿电压V(BR)EBO 检测样品：晶体管标准：半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分：场效应晶体管 GB/T 4587-1994

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陕西省电子技术研究所电子元器件检测筛选中心

检测项：反向击穿电压（V(BR)CEO）检测样品：电容器标准：电子设备用固定电容器第1部分：总规范 GB/T 2693-2001

检测项：反向击穿电压（V(BR)）检测样品：晶体管标准：半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管 GB/T4587-94 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97

检测项：集电极-发射极击穿电压（V(BR)CEO）检测样品：晶体管标准：半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管 GB/T4587-94 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97

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苏州巨峰电气绝缘系统股份有限公司检测中心

检测项：击穿电压检测样品：180级聚酯亚胺漆包铜圆线标准：绕组线试验方法第5部分：电性能　　 GB/T 4074.5-2008/IEC 60851-5:2004

检测项：击穿电压检测样品：220级聚酰亚胺漆包铜圆线标准：绕组线试验方法第5部分：电性能　　 GB/T 4074.5-2008/IEC 60851-5:2004

检测项：击穿电压检测样品：220级聚酰亚胺漆包铜圆线标准：绕组线试验方法第5部分：电性能　　 GB/T 4074.5-2008/IEC 60851-5:2004

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