金发科技股份有限公司分析测试中心

检测项：耐电压测试 检测样品：电绝缘材料 标准：在工业用电频率时实心电绝缘材料的介电击穿电压与介电强度的试验方法ASTM D149：2009（2013）

检测项：耐电压测试 检测样品：电绝缘材料 标准：塑料吸水性的测定 ISO62:2008

机构所在地：广东省广州市 更多相关信息>>

国网河北省电力公司电力科学研究院

检测项：绝缘油击穿电压 检测样品：输电线路 标准：绝缘油 击穿电压测定法 GB507-2002 电力系统油质试验方法 9.绝缘油介电强度测定法 DL429.9-1991 超高压变压器油 SH0040-1991 电工流体 变压器和开关用的未使用过的矿物绝缘油 GB2536-2011 电气装置安装工程电

检测项：电压偏差 检测样品：电能质量 标准：电能质量 供电电压偏差 GBl2325-2008

检测项：三相电压、电流不平衡度 检测样品：继电保护 标准：电能质量 三相电压不平衡 GB/T 15543-2008

机构所在地：河北省石家庄市 更多相关信息>>

武汉中原电子集团有限公司计量检测中心

检测项：集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO 检测样品：双极型 晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994

检测项：集电极-基极击穿电压V(BR)CBO 检测样品：场效应管 标准：半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994

检测项：集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO 检测样品：场效应管 标准：半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994

机构所在地：湖北省武汉市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第七一六研究所机电设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：集电极—基极击穿电压 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

检测项：发射极—基极击穿电压 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

检测项：集电极—基极击穿电压 检测样品：晶体三极管 标准：GB/T4587-1994 《半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管》

机构所在地：江苏省连云港市 更多相关信息>>

深圳电气科学研究所（深圳电气科学研究所中心实验室/深圳电气产品质量检测中心）

检测项：全部项目 检测样品：绝缘油 标准：GB/T 507-2002 绝缘油 击穿电压测定法

检测项：全部参数 检测样品：电气设备 标准：GB/T 1695-2005 硫化橡胶工频击穿介电强度和耐电压的测定方法

检测项：全部项目 检测样品：绝缘油 标准：绝缘油 击穿电压测定法 GB/T 507-2002

机构所在地：广东省深圳市 更多相关信息>>

中国石油化工股份有限公司北京燕山分公司树脂应用研究所树脂检测实验室

检测项：电气强度 检测样品：塑料 标准：固体电绝缘材料在商用电源频率下的介电击穿电压和介电强度的标准试验方法 ASTM D149-09（2013）

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

广东省电子电器产品监督检验所

检测项：击穿电压 检测样品：整流二极管 标准：半导体器件 第10部分：分立器件和集成电路总规范 GB/T 4589.1-2006

检测项：电压暂降、短时中断和电压变化的抗扰度 检测样品：电子电气设备 标准：电磁兼容 试验和测量技术 电压暂降、短时中断和电压变化的抗扰度试验 GB/T 17626.11-2008 IEC 61000-4-11:2004 EN 61000-4-11:2004

检测项：电压波动和闪烁 检测样品：电子电气设备 标准：电磁兼容 限值 对每相额定电流≤16A且无条件接入的设备在公用低压供电系统中产生的电压变化、电压波动和闪烁的限制 GB 17625.2-2007 IEC 61000-3-3 2005 EN 61000-3-3:2008

机构所在地：广东省广州市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第二十四研究所质检中心

检测项：击穿电压 检测样品：晶体管 标准：半导体器件分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994

检测项：击穿电压 检测样品：场效应管IGBT 标准：半导体分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994

检测项：反向击穿电压 检测样品：电容 标准：电子设备用固定电容器 第1部分：总规范 GB/T2693-2001

机构所在地：重庆市 更多相关信息>>

湖北航天技术研究院计量测试技术研究所

检测项：击穿电压 V（BR） 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分：场效应晶体管 GB/T 4587-1994

检测项：集电极-基极击穿电压V(BR)CBO 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分：场效应晶体管 GB/T 4587-1994

检测项：发射极-基极击穿电压V(BR)EBO 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分：场效应晶体管 GB/T 4587-1994

机构所在地：湖北省孝感市 更多相关信息>>

中达电子（江苏）有限公司分析实验室

检测项：VCBO: 集电极与基极间反向击穿电压 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)

检测项：VCEO:集电极与发射极间反向击穿电压 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)

检测项：VEBO:发射极与基极间反向击穿电压 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)

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