击穿电压强度和耐电压检测实验

耐候性

简介

耐候性(Weatherability) 材料曝露在日光、冷热、风雨等气候条件下的耐受性。耐候性测试方法：自然气候、室外强化、实验室模拟耐候性测试仪器：紫外光耐气候试验箱查看详情>>

耐候性

简介

耐候性(Weatherability)

材料曝露在日光、冷热、风雨等气候条件下的耐受性。

耐候性测试方法：自然气候、室外强化、实验室模拟

耐候性测试仪器：紫外光耐气候试验箱

检测项目

耐候性

收起百科↑ 最近更新：2017年04月24日

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国营长风机器厂环境试验检测计量中心

检测项：集电极-基极击穿电压, 发射极-基极击穿电压检测样品：整流二极管标准：半导体器件分立器件第2部分整流二极管 GB/T6571-1995

检测项：耐电压检测样品：电容器标准：电子设备用固定电容器第1部分:总规范GB/T2693-2001 4.6

检测项：输入失调电压检测样品：集成运放电路标准：可靠性鉴定和验收试验GJB899-2009

机构所在地：甘肃省兰州市更多相关信息>>

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广东生益科技股份有限公司实验室

检测项：击穿电压检测样品：覆铜箔层压板标准：IPC-TM-650《试验方法手册》 2.5.6刚性印制板材料的击穿电压（5/86 B版）

检测项：击穿电压检测样品：覆铜箔层压板标准：JIS C 6481：1996《印制线路板用覆铜箔层压板试验方法》 5.10 表面电阻

检测项：拉伸强度检测样品：覆铜箔层压板标准：ASTM D882-12 测量塑料薄膜和薄片材拉伸性能的测试方法

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武汉中原电子集团有限公司计量检测中心

检测项：集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO 检测样品：双极型晶体管标准：半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994

检测项：基极-发射极击穿电压V(BR)EBO 检测样品：场效应管标准：半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994

检测项：耐电压检测样品：固定电感器标准：电子和通信设备用表变压器和电感器测量方法及试验程序 GB/T 8554-1998

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中国船舶重工集团公司第七一六研究所机电设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：集电极—基极击穿电压检测样品：晶体三极管标准：GB/T4587-1994 《半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管》

检测项：发射极—基极击穿电压检测样品：晶体三极管标准：GB/T4587-1994 《半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管》

检测项：漏-源击穿电压检测样品：二极管标准：GB/T 4023-1997半导体器件:分立器件和集成电路第2部分:整流二极管 GB/T6571-1995 半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管

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贵州航天计量测试技术研究所

检测项：击穿电压V(BR) 检测样品：光电耦合器标准：《半导体器件分立器件和集成电路第5部分：光电子器件》GB/T 15651-1995 《半导体分立器件试验方法》GJB 128A-1997

检测项：集电极-发射极击穿电压V（BR）EO 检测样品：晶体管标准：《半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管》GB/T 4587-1994 《半导体分立器件试验方法》GJB 128A-1997

检测项：集电极-基极击穿电压V(BR)CBO 检测样品：晶体管标准：《半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管》GB/T 4587-1994 《半导体分立器件试验方法》GJB 128A-1997

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广东省电子电器产品监督检验所

检测项：击穿电压检测样品：整流二极管标准：半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范 GB/T 4589.1-2006

检测项：耐热、耐异常热、耐燃和耐漏电起痕检测样品：隔离变压器、安全隔离变压器和开关型电源用变压器标准：电力变压器、电源、电抗器和类似产品的安全第1部分：通用要求和试验 GB 19212.1-2008 IEC 61558-1:2005+A1:2009 EN 61558-1:2005+A1:2009 电源电压为1100V及以下的变压器、电抗器、电源装置和类似

检测项：电压暂降、短时中断和电压变化的抗扰度检测样品：电子电气设备标准：电磁兼容试验和测量技术电压暂降、短时中断和电压变化的抗扰度试验 GB/T 17626.11-2008 IEC 61000-4-11:2004 EN 61000-4-11:2004

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湖北航天技术研究院计量测试技术研究所

检测项：击穿电压 V（BR）检测样品：晶体管标准：半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分：场效应晶体管 GB/T 4587-1994

检测项：集电极-基极击穿电压V(BR)CBO 检测样品：晶体管标准：半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分：场效应晶体管 GB/T 4587-1994

检测项：发射极-基极击穿电压V(BR)EBO 检测样品：晶体管标准：半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分：场效应晶体管 GB/T 4587-1994

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中达电子（江苏）有限公司分析实验室

检测项：VCBO: 集电极与基极间反向击穿电压检测样品：双极型晶体管标准：半导体器件分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)

检测项：VCEO:集电极与发射极间反向击穿电压检测样品：双极型晶体管标准：半导体器件分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)

检测项：VEBO:发射极与基极间反向击穿电压检测样品：双极型晶体管标准：半导体器件分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)

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云南昆船电子设备有限公司蓝海综合实验中心

检测项：击穿电压检测样品：双极型晶体管标准：GB/T 4587-1994 半导体器件和集成电路第7部分：双极型晶体管

检测项：发射极-基极击穿电压检测样品：双极型晶体管标准：GB/T 4587-1994 半导体器件和集成电路第7部分：双极型晶体管

检测项：集电极-基极击穿电压检测样品：半导体集成运算放大器标准：SJ/T 10738-1996 半导体集成电路运算(电压)放大器测试方法的基本原理

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西南计算机有限责任公司检测计量与软件测评中心

检测项：反向击穿电压检测样品：二极管标准：半导体器件分立器件和集成电路第2部分：整流二极管 GB/T4023-1997 第Ⅳ篇测试方法 1.3

检测项：集电极-基极击穿电压BVcbo 检测样品：双极型晶体管标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3011

检测项：发射极-基极击穿电压BVebo 检测样品：双极型晶体管标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3011

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