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检测项:反向击穿电压 检测样品:电容 标准:电子设备用固定电容器 第1部分:总规范 GB/T2693-2001
机构所在地:重庆市 更多相关信息>>
检测项:VCBO: 集电极与基极间反向击穿电压 检测样品:双极型晶体管 标准:半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)
检测项:VCEO:集电极与发射极间反向击穿电压 检测样品:双极型晶体管 标准:半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)
检测项:VEBO:发射极与基极间反向击穿电压 检测样品:双极型晶体管 标准:半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)
机构所在地: 更多相关信息>>
检测项:反向击穿电压(V(BR)CEO) 检测样品:电容器 标准:电子设备用固定电容器 第1部分:总规范 GB/T 2693-2001
检测项:反向击穿电压(V(BR)) 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 GB/T4587-94 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97
机构所在地:陕西省西安市 更多相关信息>>
检测项:反向击穿电压V(BR) 检测样品:双极型晶体管 标准:GB/T4587-1994半导体分立器件和集成电路 第七部分:双极型晶体管
机构所在地:北京市 更多相关信息>>
检测项:反向击穿电压 检测样品:二极管 标准:GB/T4023-1997 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管
检测项:集电极-发射极反向击穿电压 检测样品:晶振 标准:GJB1648A-2011 晶体振荡器通用规范 GJB2138-94 石英晶体元件总规范 GJB/Z45.1-93 军用压电器件系列型谱 石英晶体元件
机构所在地:湖北省宜昌市 更多相关信息>>