信息技术设备中电压波动和闪烁的检测

检测项：电压波动和闪烁 检测样品：信息技术设备 标准：GB17625.2-2007 电磁兼容 限值 对每相额定电流≤16A且无条件接入的设备在公用低压供电系统中产生的电压变化、电压波动和闪烁的限制

检测机构：国家食品质量监督检验中心 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第七二二研究所计量检测中心

检测项：集电极-基极击穿电压VCBO，发射极-基极击穿电压VEBO 检测样品：光电耦合器 标准：GB╱T15651-1995 《半导体器件 分立器件第5部分： 光电子器件》 GB／T6571-1995《半导体分立器件 第3部分》 GB／T4587-1994《半导体器件分立器件第7部分双极型晶体管》第Ⅳ章

检测项：发射极-基极击穿电压Vebo 检测样品：光电耦合器 标准：GB／T4587-1994《半导体器件分立器件第7部分双极型晶体管》第Ⅳ章

检测项：集电极-基极击穿电压Vcbo 检测样品：光电耦合器 标准：GB／T4587-1994《半导体器件分立器件第7部分双极型晶体管》第Ⅳ章

机构所在地：湖北省武汉市 更多相关信息>>

中达电子（江苏）有限公司分析实验室

检测项：VEBO:发射极与基极间反向击穿电压 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)

检测项：VCBO: 集电极与基极间反向击穿电压 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)

检测项：VCEO:集电极与发射极间反向击穿电压 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)

机构所在地： 更多相关信息>>

北京尊冠科技有限公司

检测项：集电极电流为零时的最高发射极－基极电压（VEBO） 检测样品：双极型晶 体管 标准：GB/T 4587－94 《半导体器件分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管》

检测项：3011 集电极-发射极击穿电压 检测样品：电子及电气元件 标准：GJB 360B－2009《电子及电气元件试验方法》

检测项：发射极电流为零时的最高集电极－基极电压（VCBO） 检测样品：双极型晶 体管 标准：GB/T 4587－94 《半导体器件分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管》

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

国营长风机器厂环境试验检测计量中心

检测项：集电极-基极击穿电压, 发射极-基极击穿电压 检测样品：整流二极管 标准：半导体器件分立器件第2部分整流二极管 GB/T6571-1995

检测项：基极-发射极饱和电压 检测样品：整流二极管 标准：半导体器件分立器件第2部分整流二极管 GB/T6571-1995

检测项：集电极-发射极饱和电压 检测样品：整流二极管 标准：半导体器件分立器件第2部分整流二极管 GB/T6571-1995

机构所在地：甘肃省兰州市 更多相关信息>>

中国航空综合技术研究所航空综合环境航空科技重点实验室

检测项：发射极--基极击穿电压BVEBO 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 《半导体器件分立器件 第8部分:场效应晶体管》

检测项：基极--发射极饱和电压VBES 检测样品：晶体三极管 标准：GB/T4587-1994 《半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管》

检测项：集电极--基极击穿电压BVCBO 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 《半导体器件分立器件 第8部分:场效应晶体管》

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

上海精密计量测试研究所

检测项：发射极-基极击穿电压V(BR)EBO 检测样品：晶体管 标准：GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管

检测项：发射极-基极击穿电压V(BR)EBO 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法

检测项：基极-发射极饱和电压VBEsat 检测样品：晶体管 标准：GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

北京青云航空仪表有限公司理化计量中心

检测项：发射极-基极击穿电压 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管GB/T4587-1994

检测项：集电极-发射极击穿电压 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-1997

检测项：集电极-基极击穿电压 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管GB/T4587-1994

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

西南计算机有限责任公司检测计量与软件测评中心

检测项：发射极-基极击穿电压BVebo 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3011

检测项：基极-发射极饱和电压Vbes 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3011

检测项：集电极-基极击穿电压BVcbo 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3011

机构所在地：重庆市 更多相关信息>>

中国空空导弹研究院元器件检测中心

检测项：发射极--基极击穿电压BVEBO 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管

检测项：基极--发射极饱和电压VBES 检测样品：晶体三极管 标准：GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管

检测项：集电极--基极击穿电压BVCBO 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管

机构所在地：河南省洛阳市 更多相关信息>>