工频击穿电压和耐电压检测实验

耐候性

简介

耐候性(Weatherability) 材料曝露在日光、冷热、风雨等气候条件下的耐受性。耐候性测试方法：自然气候、室外强化、实验室模拟耐候性测试仪器：紫外光耐气候试验箱查看详情>>

耐候性

简介

耐候性(Weatherability)

材料曝露在日光、冷热、风雨等气候条件下的耐受性。

耐候性测试方法：自然气候、室外强化、实验室模拟

耐候性测试仪器：紫外光耐气候试验箱

检测项目

耐候性

收起百科↑ 最近更新：2017年04月24日

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沈阳产品质量监督检验院（沈阳产品质量监督检验研究院、沈阳安全生产监督检验研究院）

检测项：工频耐电压试验** 检测样品：三相异步电动机标准：三相异步电机试验方法GB/T1032-2012

检测项：工频耐电压试验** 检测样品：三相同步电机标准：三相同步电机试验方法GB/T1029-2005

检测项：匝间冲击耐电压试验** 检测样品：三相异步电动机标准：三相异步电机试验方法GB/T1032-2012

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武汉中原电子集团有限公司计量检测中心

检测项：集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO 检测样品：双极型晶体管标准：半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994

检测项：基极-发射极击穿电压V(BR)EBO 检测样品：场效应管标准：半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994

检测项：耐电压检测样品：固定电感器标准：电子和通信设备用表变压器和电感器测量方法及试验程序 GB/T 8554-1998

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中国船舶重工集团公司第七一六研究所机电设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：集电极—基极击穿电压检测样品：晶体三极管标准：GB/T4587-1994 《半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管》

检测项：发射极—基极击穿电压检测样品：晶体三极管标准：GB/T4587-1994 《半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管》

检测项：漏-源击穿电压检测样品：二极管标准：GB/T 4023-1997半导体器件:分立器件和集成电路第2部分:整流二极管 GB/T6571-1995 半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管

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中国石油化工股份有限公司北京燕山分公司树脂应用研究所树脂检测实验室

检测项：电气强度检测样品：塑料标准：固体电绝缘材料在商用电源频率下的介电击穿电压和介电强度的标准试验方法 ASTM D149-09（2013）

检测项：介电常数（相对电容率）检测样品：塑料标准：测量电气绝缘材料在工频、音频、高频(包括米波长在内)下电容率和介质损耗因数的推荐方法 GB/T 1409-2006

检测项：介质损耗因数检测样品：塑料标准：测量电器绝缘材料在工频、音频、高频（包括米波波长在内）下介电常数和介质损耗因数的推荐法 ISO/IEC 60250:1969

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贵州航天计量测试技术研究所

检测项：击穿电压V(BR) 检测样品：光电耦合器标准：《半导体器件分立器件和集成电路第5部分：光电子器件》GB/T 15651-1995 《半导体分立器件试验方法》GJB 128A-1997

检测项：集电极-发射极击穿电压V（BR）EO 检测样品：晶体管标准：《半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管》GB/T 4587-1994 《半导体分立器件试验方法》GJB 128A-1997

检测项：集电极-基极击穿电压V(BR)CBO 检测样品：晶体管标准：《半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管》GB/T 4587-1994 《半导体分立器件试验方法》GJB 128A-1997

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广东省电子电器产品监督检验所

检测项：击穿电压检测样品：整流二极管标准：半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范 GB/T 4589.1-2006

检测项：耐热、耐异常热、耐燃和耐漏电起痕检测样品：隔离变压器、安全隔离变压器和开关型电源用变压器标准：电力变压器、电源、电抗器和类似产品的安全第1部分：通用要求和试验 GB 19212.1-2008 IEC 61558-1:2005+A1:2009 EN 61558-1:2005+A1:2009 电源电压为1100V及以下的变压器、电抗器、电源装置和类似

检测项：电压暂降、短时中断和电压变化的抗扰度检测样品：电子电气设备标准：电磁兼容试验和测量技术电压暂降、短时中断和电压变化的抗扰度试验 GB/T 17626.11-2008 IEC 61000-4-11:2004 EN 61000-4-11:2004

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中国电子科技集团公司第二十四研究所质检中心

检测项：击穿电压检测样品：晶体管标准：半导体器件分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994

检测项：击穿电压检测样品：光耦标准：半导体分立器件和集成电路第5-3部分：光电子器件测试方法GB/T15651.3-2003

检测项：击穿电压检测样品：场效应管IGBT 标准：半导体分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994

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湖北航天技术研究院计量测试技术研究所

检测项：击穿电压 V（BR）检测样品：晶体管标准：半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分：场效应晶体管 GB/T 4587-1994

检测项：集电极-基极击穿电压V(BR)CBO 检测样品：晶体管标准：半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分：场效应晶体管 GB/T 4587-1994

检测项：发射极-基极击穿电压V(BR)EBO 检测样品：晶体管标准：半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分：场效应晶体管 GB/T 4587-1994

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中达电子（江苏）有限公司分析实验室

检测项：VCBO: 集电极与基极间反向击穿电压检测样品：双极型晶体管标准：半导体器件分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)

检测项：VCEO:集电极与发射极间反向击穿电压检测样品：双极型晶体管标准：半导体器件分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)

检测项：VEBO:发射极与基极间反向击穿电压检测样品：双极型晶体管标准：半导体器件分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)

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云南昆船电子设备有限公司蓝海综合实验中心

检测项：击穿电压检测样品：双极型晶体管标准：GB/T 4587-1994 半导体器件和集成电路第7部分：双极型晶体管

检测项：发射极-基极击穿电压检测样品：双极型晶体管标准：GB/T 4587-1994 半导体器件和集成电路第7部分：双极型晶体管

检测项：集电极-基极击穿电压检测样品：半导体集成运算放大器标准：SJ/T 10738-1996 半导体集成电路运算(电压)放大器测试方法的基本原理

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中国石油化工股份有限公司北京燕山分公司树脂应用研究所树脂检测实验室

贵州航天计量测试技术研究所

广东省电子电器产品监督检验所

中国电子科技集团公司第二十四研究所质检中心

湖北航天技术研究院计量测试技术研究所

中达电子（江苏）有限公司分析实验室

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