聚氯乙烯绝缘电线和电缆中荷重断芯的检测

检测项：荷重断芯 检测样品：聚氯乙烯绝缘电线和电缆 标准：IEC 60227-1:2007《额定电压450/750V及以下聚氯乙烯绝缘电缆 第1部分：一般要求》

检测机构：国家电线电缆质量监督检验中心 更多相关信息>>

复合材料中干固体绝缘材料耐电弧的检测

检测项：干固体绝缘材料耐电弧 检测样品：复合材料 标准：GB/T1411-2002/IEC61621:1997《干固体绝缘材料 耐高电压、小电流电弧放电的试验》

检测机构：玻璃钢制品质量检验中心 更多相关信息>>

信息技术设备中谐波电流的检测

检测项：谐波电流 检测样品：信息技术设备 标准：GB17625.1-2012 电磁兼容 限值 谐波电流发射限值(设备每相输入电流≤16A)

检测机构：国家食品质量监督检验中心 更多相关信息>>

北京尊冠科技有限公司

检测项：断态电流(ID) 检测样品：运算放大器 标准：GB/T17940-2000 《半导体器件 集成电路 第3部分:模拟集成电路》

检测项：截止态漏极漏电流 ID（Off） 检测样品：半导体集成电路MOS随机存储器 标准：GB/T 17574－1998《半导体集成电路 第 2 部分 数字集成电路》

检测项：导通态漏电流IDS（on） 检测样品：半导体集成电路MOS随机存储器 标准：GB/T 17574－1998《半导体集成电路 第 2 部分 数字集成电路》

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

中国航空综合技术研究所航空综合环境航空科技重点实验室

检测项：截止态漏级漏电流 ID（off） 检测样品：模拟集成电路 标准：GB/T 14030-1992 《半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理》

检测项：导通态漏电流 IDS（on ） 检测样品：模拟集成电路 标准：GB/T 14030-1992 《半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理》

检测项：漏电流Id 检测样品：电感器 标准：GB/T16512-1996 《电子设备用固定电感器总规范》

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

贵州航天计量测试技术研究所

检测项：截止态漏极漏电流ID 检测样品：V/F、F/V转换器 标准：《半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器》 GB/T 14114-1993

检测项：导通态漏电流IDS 检测样品：V/F、F/V转换器 标准：《半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器》 GB/T 14114-1993

检测项：静态电源电流ID 检测样品：电压比较器 标准：《半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理》SJ/T 10805-2000

机构所在地：贵州省贵阳市 更多相关信息>>

北京振兴计量测试研究所

检测项：截止态漏极漏电流ID(off) 检测样品：脉宽调制器 标准：半导体集成电路开关电源脉宽调制器测试方法 QJ2660-1994

检测项：导通态漏电流IDS(on) 检测样品：脉宽调制器 标准：半导体集成电路开关电源脉宽调制器测试方法 QJ2660-1994

检测项：截止态源极漏电流IS(off) 检测样品：脉宽调制器 标准：半导体集成电路开关电源脉宽调制器测试方法 QJ2660-1994

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

北京赛迪君信电子产品检测实验室有限公司

检测项：短路断态电流Ids 检测样品：半导体集成电路（运算放大器） 标准：1.SJ/T10738-1996半导体集成电路 运算（电压）放大器测试方法的基本原理 2.GB/T 4589.1-2006半导体器件 第10部分：分立器件和集成电路总规范 3.GB/T 16464-1996半导体器件

检测项：静态电流ID 检测样品：半导体集成电路（数字集成电路） 标准：1.SJ/T 10741-2000 半导体集成电路 CMOS电路测试方法的基本原理 2.GB/T 17574-1998半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路 第IV篇 3.GB/T 16464-1996半导体器件 集成电路 第

检测项：开路断态电流Ido 检测样品：半导体集成电路（运算放大器） 标准：1.SJ/T10738-1996半导体集成电路 运算（电压）放大器测试方法的基本原理 2.GB/T 4589.1-2006半导体器件 第10部分：分立器件和集成电路总规范 3.GB/T 16464-1996半导体器件

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中国船舶重工集团公司第七二二研究所计量检测中心

检测项：静态电流ID及静态电流变化△ID 检测样品：二极管 标准：GB/T6571-1995《半导体分立器件试验第3部分：信号（包括开关）和调整二极管》

检测项：输出高阻态时高电平电流IOZH 检测样品：半导体集成电路CMOS电路 标准：SJ/T10741-2000《半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理》

检测项：输出高阻态时低电平电流IOZL 检测样品：半导体集成电路CMOS电路 标准：SJ/T10741-2000《半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理》

机构所在地：湖北省武汉市 更多相关信息>>

上海精密计量测试研究所

检测项：截止态漏极漏电流ID（off） 检测样品：电压基准 标准：SJ50597/57-2003 半导体集成电路JW584 /JW584A可编程电压基准详细规范 SJ50597/54-2002 半导体集成电路JW431精密可调电压基准源详细规范

检测项：导通态漏电流 IDS（on） 检测样品：电压基准 标准：SJ50597/57-2003 半导体集成电路JW584 /JW584A可编程电压基准详细规范 SJ50597/54-2002 半导体集成电路JW431精密可调电压基准源详细规范

检测项：截止态漏极漏电流ID（off） 检测样品：电压基准 标准：SJ50597/57-2003 半导体集成电路JW584 /JW584A可编程电压基准详细规范 SJ50597/54-2002 半导体集成电路JW431精密可调电压基准源详细规范

机构所在地：上海市 更多相关信息>>