栅-源截止电压检测实验

防散射滤线栅

简介

防散射滤线栅

简介

防散射滤线栅产品描述：通常由铅条、介质等组成。放置于影像接收面之前，以减少辐射到影像接收面上的散射辐射，从而改善X射线影像对比度的一种装置。

防散射滤线栅预期用途：配合X射线机使用，用于增加X射线影像的对比度。

防散射滤线栅品名举例：防散射滤线栅、乳腺防散射滤线栅

防散射滤线栅管理类别：Ⅱ

防散射滤线栅相关指导原则：
1、含儿科应用的医用诊断X射线设备注册审查指导原则
2、医用诊断X射线管组件注册技术审查指导原则

防散射滤线栅相关标准：
1 . GB 9706.1-2007 医用电气设备第1部分：安全通用要求
2 . GB 9706.11-1997 医用电气设备第2部分：医用诊断X射线源组件和X射线管组件安全专用要求
3 . GB 9706.12-1997 医用电气设备第1部分：安全通用要求并列标准：诊断X射线设备辐射防护通用要求
4 . GB/T 10151—2008 医用X射线设备高压电缆插头、插座技术条件
5 . YY/T 0291-2016 医用X射线设备环境要求及试验方法
6 . YY/T 0609-2018 医用诊断X射线管组件通用技术条件

防散射滤线栅相关检测项目：
1 . 物理特性的测量与确定《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》
2 . 测量方法和布置《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》
3 . 物理特性《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》
4 . 对防散射滤线栅的要求《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》
5 . 制造误差《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》
6 . 应用极限的确定《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》
7 . 特性的准确度《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》
8 . 标记与随附文件《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》
9 . 符合性声明《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》

收起百科↑ 最近更新：2023年03月14日

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湖北航天技术研究院计量测试技术研究所

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检测项：栅源极截止（漏泄）电流IGSS 检测样品：场效应晶体管标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

检测项：栅-源阈值电压VGS（th）检测样品：场效应晶体管标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

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检测项：栅-源截止电压检测样品：场效应晶体管标准：GB/T4586-1994半导体分立器件分立器件第8部分场效应晶体管

检测项：栅-源阈值电压检测样品：场效应晶体管标准：GB/T4586-1994半导体分立器件分立器件第8部分场效应晶体管

检测项：结栅型的栅极截止电流检测样品：场效应晶体管标准：GB/T4586-1994半导体分立器件分立器件第8部分场效应晶体管

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检测项：栅-源截止电压检测样品：晶体管标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-1997 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T4586-1994

检测项：漏-源击穿电压检测样品：晶体管标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-1997 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T4586-1994

检测项：发射极-基极截止电流检测样品：晶体管标准：半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管GB/T4587-1994

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中国电子科技集团公司第十三研究所检测中心

检测项：栅-源截止电压VGSoff 检测样品：场效应晶体管标准：1、GB/T 4586-1994 半导体器件第8部分：场效应晶体管 2、GB/T 20516-2006 半导体器件分立器件第4部分：微波器件

检测项：栅-源截止电压VGSoff 检测样品：场效应晶体管标准：1、GB/T 4586-1994 半导体器件第8部分：场效应晶体管 2、GB/T 20516-2006 半导体器件分立器件第4部分：微波器件

检测项：栅-源阈值电压VGS(to）检测样品：场效应晶体管标准：1、GB/T 4586-1994 半导体器件第8部分：场效应晶体管 2、GB/T 20516-2006 半导体器件分立器件第4部分：微波器件

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中国航空综合技术研究所航空综合环境航空科技重点实验室

检测项：栅--源击穿电压BVGS 检测样品：晶体二极管标准：GB4589.1-1989《半导体器件分立器件和集成电路总规范》

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上海精密计量测试研究所

检测项：栅-源阈值电压VGS(th) 检测样品：半导体集成电路时基电路标准：GB/T14030-1992 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理

检测项：栅-源阈值电压VGS(th) 检测样品：场效应晶体管标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法

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西南技术物理研究所检测校准中心实验室

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中国空空导弹研究院元器件检测中心

检测项：栅--源击穿电压BVGS 检测样品：场效应管标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管

检测项：截止态源级漏电流IS（off）检测样品：模拟/混合集成电路标准：GB/T 6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 GB/T 17940-2000半导体器件集成电路第3部分模拟集成电路 GB/T4377-1996 半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理 GB/T 14028-199

检测项：漏--源短路时的栅极截止电流IGSS 检测样品：场效应管标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管

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检测项：栅源阈值电压检测样品：场效应管标准：《半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管》GB/T4586-1994

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上海华岭集成电路技术股份有限公司检测中心

检测项：栅源击穿电压检测样品：VDMOS管标准：半导体器件测试方法 MIL-STD-750F:2012 方法3401.1

检测项：栅源漏电流检测样品：电子元器件标准：半导体器件测试方法 MIL-STD-750F:2012 方法3411.1

检测项：截止态源极漏电流检测样品：集成电路A/D和D/A转换器标准：集成电路A/D和D/A转换器测试方法的基本原理　 SJ 20961-2006

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