栅-源短路时的漏极电流IDSS 检测实验

防散射滤线栅

简介

防散射滤线栅

简介

防散射滤线栅产品描述：通常由铅条、介质等组成。放置于影像接收面之前，以减少辐射到影像接收面上的散射辐射，从而改善X射线影像对比度的一种装置。

防散射滤线栅预期用途：配合X射线机使用，用于增加X射线影像的对比度。

防散射滤线栅品名举例：防散射滤线栅、乳腺防散射滤线栅

防散射滤线栅管理类别：Ⅱ

防散射滤线栅相关指导原则：
1、含儿科应用的医用诊断X射线设备注册审查指导原则
2、医用诊断X射线管组件注册技术审查指导原则

防散射滤线栅相关标准：
1 . GB 9706.1-2007 医用电气设备第1部分：安全通用要求
2 . GB 9706.11-1997 医用电气设备第2部分：医用诊断X射线源组件和X射线管组件安全专用要求
3 . GB 9706.12-1997 医用电气设备第1部分：安全通用要求并列标准：诊断X射线设备辐射防护通用要求
4 . GB/T 10151—2008 医用X射线设备高压电缆插头、插座技术条件
5 . YY/T 0291-2016 医用X射线设备环境要求及试验方法
6 . YY/T 0609-2018 医用诊断X射线管组件通用技术条件

防散射滤线栅相关检测项目：
1 . 物理特性的测量与确定《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》
2 . 测量方法和布置《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》
3 . 物理特性《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》
4 . 对防散射滤线栅的要求《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》
5 . 制造误差《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》
6 . 应用极限的确定《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》
7 . 特性的准确度《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》
8 . 标记与随附文件《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》
9 . 符合性声明《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》

收起百科↑ 最近更新：2023年03月14日

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陕西省电子技术研究所电子元器件检测筛选中心

检测项：零栅压漏极电流（IDSS）检测样品：光电耦合器标准：半导体分立器件和集成电路第7部分双极型晶体管 GB/T 4587-94 半导体器件分立器件和集成电路第2部分:整流二极管 GB/T 4023-1997 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97 半导体分

检测项：反向栅源漏电流（IGSSR）检测样品：光电耦合器标准：半导体分立器件和集成电路第7部分双极型晶体管 GB/T 4587-94 半导体器件分立器件和集成电路第2部分:整流二极管 GB/T 4023-1997 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97 半导体分

检测项：正向栅源漏电流（IGSSF）检测样品：光电耦合器标准：半导体分立器件和集成电路第7部分双极型晶体管 GB/T 4587-94 半导体器件分立器件和集成电路第2部分:整流二极管 GB/T 4023-1997 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97 半导体分

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武汉中原电子集团有限公司计量检测中心

检测项：漏极电流IDSS 检测样品：场效应管标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994

检测项：输出短路电流检测样品：CMOS电路标准：半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T 10741-2000

检测项：输出短路电流检测样品：TTL电路标准：半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理 SJ/T 10735-1996

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西南计算机有限责任公司检测计量与软件测评中心

检测项：零栅压漏极电流检测样品：晶闸管标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407

检测项：反向栅源漏电流检测样品：晶闸管标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407

检测项：正向栅源漏电流检测样品：晶闸管标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407

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中国电子科技集团公司第十研究所天奥校准/检测实验室

检测项：零栅压漏极电流检测样品：场效应晶体管标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管GB/T4586-1994第 Ⅳ 章2、3、6、 10、15条

检测项：零栅压漏极电流检测样品：场效应晶体管标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407

检测项：漏极电流检测样品：场效应晶体管标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407

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中国船舶重工集团公司第723研究所电工电子设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：零栅压漏极电流检测样品：场效应管标准：《半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管》GB/T4586-1994

检测项：漏极电流检测样品：场效应管标准：《半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管》GB/T4586-1994

检测项：正向栅源漏电流检测样品：场效应管标准：《半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管》GB/T4586-1994

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宜昌测试技术研究所（中国船舶重工集团公司第七一0研究所）环境可靠性及电磁兼容检测实验室

检测项：零栅压漏极电流检测样品：场效应晶体管标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

检测项：零栅压漏极电流检测样品：半导体集成电路TTL电路标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

检测项：通态漏极电流检测样品：半导体集成电路TTL电路标准：GJB128A-1997半导体分立器件试验方法方法3407

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西南技术物理研究所检测校准中心实验室

检测项：反向栅源漏电流检测样品：场效应晶体管标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

检测项：正向栅源漏电流检测样品：场效应晶体管标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

检测项：截止态漏极漏电流检测样品：电压比较器标准：半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 GB/T 6798-1996

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杭州中检电气研究院有限公司

检测项：三极或四极RCBO通以单相负载时过电流的极限值检测样品：家用和类似用途的带过电流保护的剩余电流动作断路器（RCBO）标准：GB16917.1-2003 IEC61009-1:1996,MOD 家用和类似用途的带过电流保护的剩余电流动作断路器（RCBO）第1部分：一般规则 GB16917.21-2008 IEC61009-2-1:1991,IDT 家用和类似用途的带过电流保护

检测项：浪涌电流时的性能检测样品：家用和类似用途的带过电流保护的剩余电流动作断路器（RCBO）标准：GB16917.1-2003 IEC61009-1:1996,MOD 家用和类似用途的带过电流保护的剩余电流动作断路器（RCBO）第1部分：一般规则 GB16917.21-2008 IEC61009-2-1:1991,IDT 家用和类似用途的带过电流保护

检测项：在40℃时的可靠性检测样品：家用和类似用途的带过电流保护的剩余电流动作断路器（RCBO）标准：GB16917.1-2003 IEC61009-1:1996,MOD 家用和类似用途的带过电流保护的剩余电流动作断路器（RCBO）第1部分：一般规则 GB16917.21-2008 IEC61009-2-1:1991,IDT 家用和类似用途的带过电流保护

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中国电子科技集团公司第二十四研究所质检中心

检测项：截止态漏极漏电流检测样品：半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器标准：半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器测试方法的基本原理　GB/T14114-1993

检测项：截止态源极漏电流检测样品：半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器标准：半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器测试方法的基本原理　GB/T14114-1993

检测项：短路电流检测样品：半导体集成电路模拟乘法器标准：半导体集成电路模拟乘法器测试方法的基本原理　 GB/T14029-1992

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上海华岭集成电路技术股份有限公司检测中心

检测项：截止态漏极漏电流检测样品：集成电路A/D和D/A转换器标准：集成电路A/D和D/A转换器测试方法的基本原理　 SJ 20961-2006

检测项：栅源漏电流检测样品：电子元器件标准：半导体器件测试方法 MIL-STD-750F:2012 方法3411.1

检测项：截止态源极漏电流检测样品：集成电路A/D和D/A转换器标准：集成电路A/D和D/A转换器测试方法的基本原理　 SJ 20961-2006

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