湖南航天管理局计量检测中心

检测项：栅极截止电流IGSS 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件 第9部分：场效应晶体管

检测项：栅极截止电流IGSS 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件 第9部分：场效应晶体管

检测项：集电极-发射极截止电流ICEO 检测样品：晶体管 标准：GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管

机构所在地：湖南省长沙市 更多相关信息>>

上海精密计量测试研究所

检测项：栅极截止电流IGSS 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法

检测项：栅极截止电流IGSS 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法

检测项：集电极-基极截止电流ICBO 检测样品：晶体管 标准：GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十三研究所检测中心

检测项：漏-源短路时，栅极截止电流IGSS 检测样品：场效应晶体管 标准：1、GB/T 4586-1994 半导体器件第8部分：场效应晶体管 2、GB/T 20516-2006 半导体器件 分立器件 第4部分：微波器件

检测项：漏-源短路时，栅极截止电流IGSS 检测样品：场效应晶体管 标准：1、GB/T 4586-1994 半导体器件第8部分：场效应晶体管 2、GB/T 20516-2006 半导体器件 分立器件 第4部分：微波器件

检测项：源极开路时，栅极截止电流IGDO 检测样品：场效应晶体管 标准：1、GB/T 4586-1994 半导体器件第8部分：场效应晶体管 2、GB/T 20516-2006 半导体器件 分立器件 第4部分：微波器件

机构所在地：河北省石家庄市 更多相关信息>>

贵州航天计量测试技术研究所

检测项：栅源极截止（漏泄）电流IGSS 检测样品：场效应晶体管 标准：《半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管GB/T 4586-1994 《半导体分立器件试验方法GJB 128A-1997

检测项：截止态漏极漏电流ID 检测样品：V/F、F/V转换器 标准：《半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器》 GB/T 14114-1993

检测项：截止态源极漏电流IS 检测样品：V/F、F/V转换器 标准：《半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器》 GB/T 14114-1993

机构所在地：贵州省贵阳市 更多相关信息>>

湖北航天技术研究院计量测试技术研究所

检测项：栅源极截止（漏泄）电流IGSS 检测样品：场效应晶体管 标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

检测项：发射极-基极截止电流IEBO 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分：场效应晶体管 GB/T 4587-1994

检测项：集电极-发射极截止电流ICEO 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分：场效应晶体管 GB/T 4587-1994

机构所在地：湖北省孝感市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第七一六研究所机电设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：栅极截止电流 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

检测项：栅极截止电流 检测样品：二极管 标准：GB/T 4023-1997《半导体器件:分立器件和集成电路 第2部分: 整流二极管》 GB/T6571-1995 《半导体器件 分立器件 第3部分：信号（包括开关）和调整二极管》

检测项：发射极-基极截止电流 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

机构所在地：江苏省连云港市 更多相关信息>>

西南技术物理研究所检测校准中心实验室

检测项：集电极-基极截止电流 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

检测项：正向栅源漏电流 检测样品：场效应晶体管 标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

检测项：反向栅源漏电流 检测样品：场效应晶体管 标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十四研究所检测/试验中心

检测项：结栅型的栅极截止电流 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994半导体分立器件分立器件第8部分场效应晶体管

检测项：绝缘栅型的栅极漏泄电流 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994半导体分立器件分立器件第8部分场效应晶体管

检测项：漏极截止电流 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994半导体分立器件分立器件第8部分场效应晶体管

机构所在地：江苏省南京市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十研究所天奥校准/检测实验室

检测项：栅极漏泄电流 检测样品：晶闸管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407

检测项：栅极漏电流 检测样品：场效应 晶体管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407

检测项：集电极-基极截止电流 检测样品：双极型 晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分： 双极型晶体管 GB/T 4587-1994 第Ⅳ章1.2、 4.1、 5.1、 1.9.6、 1.10.2条

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

成都凯天电子股份有限公司实验中心

检测项：反向截止电流 检测样品：电容器 标准：半导体光耦合器（三极管）反向截止电流的测试方法SJ2215.9-1982

检测项：C、B截止电流 检测样品：光耦合器 标准：半导体光耦合器(二极管)反向电流的测试方法SJ2215.2-1982

检测项：E、B截止电流 检测样品：光耦合器 标准：半导体光耦合器(二极管)反向电流的测试方法SJ2215.2-1982

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>