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检测项:正向电流 检测样品:半导体激光器 标准:SJ2749-1987 半导体激光二极管测试方法 SJ20957-2006 大功率半导体激光二极管阵列通用规范 GB/T 15175-2012 固体激光器主要参数测试方法
检测项:光功率-正向电流特性 检测样品:半导体激光器 标准:SJ2749-1987 半导体激光二极管测试方法 SJ20957-2006 大功率半导体激光二极管阵列通用规范 GB/T 15175-2012 固体激光器主要参数测试方法
检测项:正向电压 检测样品:半导体激光器 标准:SJ2749-1987 半导体激光二极管测试方法 SJ20957-2006 大功率半导体激光二极管阵列通用规范 GB/T 15175-2012 固体激光器主要参数测试方法
机构所在地:北京市 更多相关信息>>
检测项:正向阈值电压下的输入电流 检测样品:电压调整器 标准:GB/T 4377-1996半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理
检测项:共发射极正向电流传输比 检测样品:双极型晶体管 标准:GB/T4587-1994半导体器件分立器件和集成电路第7部分双极型晶体管
检测项:正向压降 检测样品:开关二极管 标准:GB/T6571-1995第3部分信号(包括开关)和调整二极管
机构所在地:江苏省南京市 更多相关信息>>
检测项:共发射正向电流传输比 检测样品:双极型 晶体管 标准:半导体器件分立器第7部分双极型晶体管 GB/T4587-1994
检测项:正向电压 检测样品:整流二极管 标准:半导体器件分立器件第2部分整流二极管 GB/T6571-1995
检测项:正向电压 检测样品:开关二极管 标准:半导体器件分立器件第3部分信号(包括开关)和调整二极管 GB/T6571-1995
机构所在地:甘肃省兰州市 更多相关信息>>
检测项:正向电流 传输比hFE 检测样品:二极管 标准:《半导体器件 分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管》 GB/T 6571-1995
检测项:正向电压 检测样品:二极管 标准:《半导体器件 分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管》 GB/T 6571-1995
检测项:输入高电平电流 检测样品:模拟集成电路 标准:《半导体集成电路总规范》GJB597A-1996
机构所在地:上海市 更多相关信息>>
检测项:反向电流IR 检测样品:二极管 标准:GB/T6571-1995 半导体器件分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管
检测项:正向电压VF 检测样品:光电耦合器 标准:GB/T15651-1995 半导体器件分立器件和集成电路第5部分:光电子器件
机构所在地:湖南省长沙市 更多相关信息>>
检测项:最大正向直流电流(IF) 检测样品:双极型晶 体管 标准:GB/T 4587-94 《半导体器件分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管》
检测项:共发射极正向电流传输比的静态值(h21E) 检测样品:场效应晶 体管 标准:GB/T 4586-94《半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管》
检测项:正向电压(VF) 检测样品:双极型晶 体管 标准:GB/T 4587-94 《半导体器件分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管》
检测项:关闭状态正向漏电流 检测样品:晶闸管 标准:半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 方法4206.1
检测项:正向压降 检测样品:二极管 标准:半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 方法4011.4
检测项:正向导通压降 检测样品:晶闸管 标准:半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 方法4226.1
机构所在地:陕西省西安市 更多相关信息>>
检测项:共发射极正向电流传输比 检测样品:光电耦合器 标准:GB/T15651.3-2003 半导体分立器件和集成电路 第5-3部分 光电子器件测试方法 第5.1条 第5.6.2条
检测项:共发射极正向电流传输比 检测样品:双极型晶体管 标准:GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 第Ⅳ章2.1条 第Ⅳ章2.2条 第Ⅳ章3条 第Ⅳ章4.2条 第Ⅳ
检测项:正向电压 检测样品:电阻器 标准:GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 第Ⅳ章3条
检测项:共发射极正向电流传输比的静态值 检测样品:低频放大管壳额定的双极型晶体管 标准:低频放大管壳额定的双极型晶体管空白详细规范GB/T7577-1996
机构所在地:山东省济南市 更多相关信息>>
检测项:正向栅源漏电流 检测样品:场效应晶体管 标准:半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997
检测项:正向压降 检测样品:双极型晶体管 标准:半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997
检测项:正向直流电压 检测样品:二极管 标准:半导体器件分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 GB/T 6571-1995 分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管 GB/T 4023-1997
机构所在地:四川省成都市 更多相关信息>>