中国电子科技集团公司第十研究所天奥校准/检测实验室

检测项：断态电流 检测样品：光耦合器 标准：半导体光耦合器（二极管）正向压降的测试方法 SJ 2215.2-1982

检测项：维持电流 检测样品：光耦合器 标准：半导体光耦合器（二极管）正向压降的测试方法 SJ 2215.2-1982

检测项：正向电流传输比 检测样品：双极型 晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分： 双极型晶体管 GB/T 4587-1994 第Ⅳ章1.2、 4.1、 5.1、 1.9.6、 1.10.2条

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

贵州航天计量测试技术研究所

检测项：正向电流传输比hFE 检测样品：晶体管 标准：《半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管》GB/T 4587-1994 《半导体分立器件试验方法》GJB 128A-1997

检测项：正向跨导gfs 检测样品：晶体振荡器 标准：《晶体振荡器总规范》GJB 1648-1993

检测项：正向电压VF 检测样品：光电耦合器 标准：《半导体器件分立器件和集成电路第5部分：光电子器件》GB/T 15651-1995 《半导体分立器件试验方法》GJB 128A-1997

机构所在地：贵州省贵阳市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十三研究所检测中心

检测项：共发射极正向电流传输比的静态值h21E 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管

检测项：共发射极正向电流传输比的静态值h21E 检测样品：双极型晶体管 标准：1、GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管 2、GJB 2650-1996 微波元器件性能测试方法

检测项：正向电压VF 检测样品：微电路模块 标准：1、SJ 20668-1998 微电路模块总规范 2、SJ 20645-1997 微波电路放大器测试方法

机构所在地：河北省石家庄市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第二十四研究所质检中心

检测项：正向电流 检测样品：光耦 标准：半导体分立器件和集成电路 第5-3部分：光电子器件测试方法GB/T15651.3-2003

检测项：正向压降 检测样品：二极管 标准：半导体分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管 GB/T4023-1997

检测项：电流调整率和电流稳定系数 检测样品：半导体集成电路电压调整器 标准：半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理　 GB/T4377-1996

机构所在地：重庆市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第七二二研究所计量检测中心

检测项：正向阈值电压下的输入电流IT+ 检测样品：半导体集成电路CMOS电路 标准：SJ/T10741-2000《半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理》

检测项：共发射极正向电流传输比h21E 检测样品：三极管 标准：GB／T4587-1994《半导体器件分立器件第7部分双极型晶体管》第Ⅳ章

检测项：正向电压VF 检测样品：二极管 标准：GB/T6571-1995《半导体分立器件试验第3部分：信号（包括开关）和调整二极管》

机构所在地：湖北省武汉市 更多相关信息>>

湖北航天技术研究院计量测试技术研究所

检测项：正向电流传输比HFE 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分：场效应晶体管 GB/T 4587-1994

检测项：正向电压VF 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分：场效应晶体管 GB/T 4587-1994

检测项：正向跨导Gfs 检测样品：场效应晶体管 标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

机构所在地：湖北省孝感市 更多相关信息>>

西安电力电子技术研究所电力电子实验室

检测项：门极正向峰值功率/峰值电流/峰值电压 检测样品：晶闸管 标准：半导体器件 第6部分 晶闸管 GB/T 15291-1994 反向阻断三极晶闸管测试方法 JB/T 7626-1994

检测项：反向电流 检测样品：晶闸管 标准：半导体器件 第6部分 晶闸管 GB/T 15291-1994 反向阻断三极晶闸管测试方法 JB/T 7626-1994

检测项：断态电流 检测样品：晶闸管 标准：半导体器件 第6部分 晶闸管 GB/T 15291-1994 反向阻断三极晶闸管测试方法 JB/T 7626-1994

机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>

中科华核电技术研究院有限公司核安全电气设备鉴定检测中心

检测项：正向电压 检测样品：发光二极管 标准：半导体光电子器件分规范（可供认证用） GB 12565-1990

检测项：正向电压 检测样品：整流二极管 标准：半导体器件分立器件和集成电路 第2部分;整流二极管GB/T 4023-1997

检测项：正向压降 检测样品：开关二极管 标准：半导体器件分立器件 第3部分： 信号（包括开关）和调整二极管 GB/T 6571-1995

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

中国航空无线电电子研究所元器件检测中心

检测项：共发射极正向电流传输比 检测样品：场效应管 标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件第8部分:场效应晶体管

检测项：共发射极正向电流传输比 检测样品：场效应管 标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件第8部分:场效应晶体管

检测项：输入二极管正向电压 检测样品：光电耦合器 标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 15651-1995 半导体器件分立器件 第5部分 光电子器件

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

国家激光器件质量监督检验中心

检测项：正向电流 检测样品：半导体激光器 标准：SJ2749-1987 半导体激光二极管测试方法 SJ20957-2006 大功率半导体激光二极管阵列通用规范 GB/T 15175-2012 固体激光器主要参数测试方法

检测项：光功率-正向电流特性 检测样品：半导体激光器 标准：SJ2749-1987 半导体激光二极管测试方法 SJ20957-2006 大功率半导体激光二极管阵列通用规范 GB/T 15175-2012 固体激光器主要参数测试方法

检测项：正向电压 检测样品：半导体激光器 标准：SJ2749-1987 半导体激光二极管测试方法 SJ20957-2006 大功率半导体激光二极管阵列通用规范 GB/T 15175-2012 固体激光器主要参数测试方法

机构所在地：北京市 更多相关信息>>