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检测项：谐波电流 检测样品：电气电子设备 标准：谐波电流发射限值（设备每相输入电流≤16A） IEC 61000-3-2:2005(ed.3)+A1:2008+A2:2009 EN 61000-3-2:2006+A1:2009+A2:2009
机构所在地：广东省广州市 更多相关信息>>
检测项：正常工作条件下的发热 检测样品：音视频设备 标准：音频视频及类似的电子设备.安全要求 GB 8898-2011 IEC 60065:2001+A12005+A2:2010 EN 60065:2002+A1:2006+A11:2008+A2:2010+A12:2011
检测项：非正常工作 检测样品：家用和类似用途电器 标准：家用和类似用途电器的安全 第1部分：通用要求 IEC 60335-1:2010 EN 60335-1:2002+A11:2004+A1:2004+A12:2006+A2:2006+A13:2008+A14:2010+A15:2011
检测项：输入电流测试 检测样品：音视频设备 标准：音频视频及类似的电子设备.安全要求 GB 8898-2011 IEC 60065:2001+A12005+A2:2010 EN 60065:2002+A1:2006+A11:2008+A2:2010+A12:2011
机构所在地：广东省深圳市 更多相关信息>>
检测项：非正常工作 检测样品：家用电冰箱(安全测试） 标准：家用和类似用途电器的安全 第一部分：通用要求 GB4706.1-2005 家用和类似用途电器的安全制冷器具、冰淇淋机和制冰机的特殊要求GB4706.13-2008
检测项：输入功率和电流 检测样品：家用电冰箱(安全测试） 标准：家用和类似用途电器的安全 第一部分：通用要求 GB4706.1-2005 家用和类似用途电器的安全制冷器具、冰淇淋机和制冰机的特殊要求GB4706.13-2008
机构所在地：浙江省宁波慈溪市 更多相关信息>>
检测项：机械和物理性能 检测样品：玩具和儿童产品 标准：5 标识要求 6 使用说明 7 生产商标识 8.5 正常使用 8.6 滥用测试 8.7 冲击测试 8.8 部件移除的扭力测试 8.9 部件移除的拉力测试 8.10 压力测试 8.11 轮胎移除试验和咬接式轮轴组合的试验，
检测项：机械和物理性能 检测样品：玩具及儿童用品 标准：标准消费者安全规范 玩具安全 ASTM F963-11 条款 4.5 发声玩具， 4.6 小零件， 4.7 可触及边缘， 4.9 可触及尖端， 4.12 包装薄膜， 8.5 正常使用， 8.6 滥用测试， 8.7.1 跌落试验， 8.8 部件移除的扭力测
检测项：机械和物理性能 检测样品：儿童用品及玩具 标准：国家玩具安全技术规范 GB 6675-2003 4.4 玩具标识和使用说明，A.4.1正常使用，A.4.2可预见的合理滥用，A.4.3材料，A. 4.4小零件，A.4.5某些特定玩具的形状、尺寸及强度，A.4.6边缘，A.4.7尖端，A.4.8突出物
检测项：机械和物理性能 检测样品：儿童用品及玩具 标准：玩具的安全性.第1部分:机械和物理性能 ISO 8124-1:2012 4.1正常使用，4.2可预见的合理滥用，4.3材料， 4.4小零件，4.5某些特定玩具的形状、尺寸及强度，4.6边缘，4.7尖端，4.8突出物，4.9金属丝和杆件，4.10用于包装或
检测项：机械和物理性能 检测样品：儿童用品及玩具 标准：玩具安全第1部分: 机械和物理性能 AS/NZS ISO 8124.1:2013 4.1正常使用，4.2可预见的合理滥用，4.3材料， 4.4小零件，4.5某些特定玩具的形状、尺寸及强度，4.6边缘，4.7尖端，4.8突出物，4.9金属丝和杆件，4.10用
检测项：正常工作条件下的发热 检测样品：音频、视频及 类似电子设备 标准：音频、视频及类似电子设备安全要求 IEC 60065：2001+A1：2005+A2:2010 EN 60065：2002+A1：2006+A11：2008+A2:2010+A12:2011 GB8898：2011
检测项：输入功率和电流 检测样品：家用和类似用途设备 标准：家用和类似用途设备的安全 第1部分:通用要求 IEC 60335-1:2010 EN 60335-1:2012 GB 4706.1-2005
检测项：输入高电平 检测样品：集成电路 标准：半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理SJ/T10735-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 半导体集成电路双极型随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10740-1996 半导体集成电路CM
检测项：输入箝位电压 检测样品：集成电路 标准：半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理SJ/T10735-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 半导体集成电路双极型随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10740-1996 半导体集成电路CM
机构所在地：湖北省武汉市 更多相关信息>>
