西南技术物理研究所检测校准中心实验室

检测项：截止态漏极漏电流 检测样品：电压比较器 标准：半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 GB/T 6798-1996

检测项：反向漏电流 检测样品：二极管 标准：半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管 GB/T 6571-1995 分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管 GB/T 4023-1997

检测项：反向栅源漏电流 检测样品：场效应晶体管 标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

西北机电工程研究所检测和校准实验室

检测项：反向漏电流IR 检测样品：晶体管 标准：《半导体分立器件试验方法》 GJB 128A-1997

检测项：晶体管集电极-发射极击穿电压V(BR)CEX 检测样品：晶体管 标准：《半导体分立器件试验方法》 GJB 128A-1997

机构所在地：陕西省咸阳市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第七二二研究所计量检测中心

检测项：反向漏电流IR 检测样品：三极管 标准：GB／T4587-1994《半导体器件分立器件第7部分双极型晶体管》第Ⅳ章

检测项：集电极 –基极截止电流Icbo 检测样品：光电耦合器 标准：GB／T4587-1994《半导体器件分立器件第7部分双极型晶体管》第Ⅳ章

检测项：集电极 –发射极截止电流ICEO 检测样品：光电耦合器 标准：GB╱T15651-1995 《半导体器件 分立器件第5部分： 光电子器件》 GB／T6571-1995《半导体分立器件 第3部分》 GB／T4587-1994《半导体器件分立器件第7部分双极型晶体管》第Ⅳ章

机构所在地：湖北省武汉市 更多相关信息>>

国网计量中心

检测项：反向漏电流 检测样品：继电器 标准：控制用电磁继电器可靠性试验通则 GB/T15510-2008 电子式电能表用磁保持继电器 JB/T10923-2010

检测项：泄漏电流试验 检测样品：气体密度微水在线监测装置 标准：六氟化硫微量水分仪 DL/T 846.5-2004

检测项：漏电流 检测样品：电容器 标准：电子设备用固定电容器第4部分 固体或非固体电解质铝电容器GB/T5993-2003 GJB360B-2009 电子及电气元件试验方法

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

西安东风仪表厂可靠性试验检测中心

检测项：反向漏电流 检测样品：半导体 二极管 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-1997

检测项：反向漏电流 检测样品：半导体 二极管 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-1997

检测项：反向漏电流 检测样品：半导体 晶体三极管 标准：半导体分立器件和集成电路 第七部分第4章：双极型晶体管GB/T4587-1994

机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>

贵州天义电器有限责任公司电气检测中心

检测项：二极管电特性测试 检测样品：二极管 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-1997

检测项：晶体管电特性测试 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-1997

检测项：最大线圈电流 检测样品：继电器、接触器 标准：飞机电磁继电器接触器技术条件HB5523-1980

机构所在地：贵州省遵义市 更多相关信息>>

北京赛迪君信电子产品检测实验室有限公司

检测项：反向漏电流Ir 检测样品：晶闸管 标准：GB∕T 15291-1994半导体器件 第6部分：晶闸管

检测项：反向栅源漏电流Igssr 检测样品：光耦合器 标准：1.GB/T15651.3-2003半导体分立器件和集成电路第5-3部分：光电子器件测试方法 2.GB12565-1990半导体器件光电子器件分规范

检测项：反向漏电流IR 检测样品：二极管 标准：1.GB/T 4023-1997半导体器件分立器件和集成电路第2部分：整流二极管； 2.GB/T 6571-1995半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管；

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

湖南航天管理局计量检测中心

检测项：集电极-基极截止电流ICBO 检测样品：晶体管 标准：GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管

检测项：集电极-基极截止电流ICBO 检测样品：晶体管 标准：GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管

检测项：反向电流IR 检测样品：二极管 标准：GB/T6571-1995 半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管

机构所在地：湖南省长沙市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第723研究所电工电子设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：集电极-发射极反向击穿电压 检测样品：光电器件 标准：《半导体器件分立器件和集成电路 第5部分-3 光电子器件测试方法》GB/T15651.3-2003

检测项：反向漏电流 检测样品：电阻器 标准：《电子设备用固定电阻器第一部分:总规范》GB/T5729-2003

检测项：反向栅源漏电流 检测样品：二极管 标准：《半导体器件:分立器件和集成电路第2部分:整流二极管》GB/T4023-1997 《半导体器件 分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管》GB/T6571-1995

机构所在地：江苏省扬州市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第二十四研究所质检中心

检测项：截止态漏极漏电流 检测样品：半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器 标准：半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器测试方法的基本原理　GB/T14114-1993

检测项：反向漏电流 检测样品：电容 标准：电子设备用固定电容器 第1部分：总规范 GB/T2693-2001

检测项：漏电流 检测样品：汽车电气设备 标准：汽车电气设备基本技术条件 QC/T 413-2002

机构所在地：重庆市 更多相关信息>>