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检测项:反向漏电流 检测样品:PCB 标准:半导体分立器件试验方法 GJB 128A-97
检测项:反向漏电流 检测样品:PCB 标准:半导体器件分立器件 -第3部分信号(包括开关)和稳压二极管 IEC 60747-3-1985
机构所在地:广东省深圳市 更多相关信息>>
检测项:反向栅源漏 电流 检测样品:晶闸管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407
检测项:反向漏电流 检测样品:二极管 标准:半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 GB/T6571-1995 Ⅳ章 测试方法
检测项:集电极-发射极反向击穿 电压 检测样品:继电器 标准:半导体光耦合器测试方法 SJ 2215.7-82
机构所在地:重庆市 更多相关信息>>
检测项:集电极-基极截止电流(反向电流)(ICBO) 检测样品:双极型晶 体管 标准:GB/T 4587-94 《半导体器件分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管》
检测项:4016 反向漏电流 检测样品:电子及电气元件 标准:GJB 360B-2009《电子及电气元件试验方法》
检测项:截止态漏极漏电流 ID(Off) 检测样品:半导体集成电路MOS随机存储器 标准:GB/T 17574-1998《半导体集成电路 第 2 部分 数字集成电路》
机构所在地:北京市 更多相关信息>>
检测项:反向漏过电流 检测样品:开关二极管 标准:GB/T6571-1995第3部分信号(包括开关)和调整二极管
检测项:反向漏过电流 检测样品:稳压二极管 标准:GB/T6571-1995半导体器件分立器件 第3部分信号(包括开关)和调整二极管
检测项:反向漏过电流 检测样品:光电耦合器 标准:GB/T15651.3-2003半导体器件分立器件第5部分光电子器件
机构所在地:江苏省南京市 更多相关信息>>
检测项:漏极反向电流 检测样品:功率金属氧化物场效应管 标准:半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750E 2006 方法3415.1
检测项:漏极反向电流 检测样品:功率金属氧化物场效应管 标准:半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 方法3415.1
检测项:反向漏电流 检测样品:二极管 标准:半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 方法4016.4
机构所在地:陕西省西安市 更多相关信息>>
检测项:集电极漏电流Icos 检测样品:模拟乘法器 标准:GB/T 14029-1992 半导体集成电路模拟乘法器测试方法的基本原理
检测项:截止态漏极漏电流ID(off) 检测样品:电压基准 标准:SJ50597/57-2003 半导体集成电路JW584 /JW584A可编程电压基准详细规范 SJ50597/54-2002 半导体集成电路JW431精密可调电压基准源详细规范
机构所在地:上海市 更多相关信息>>
检测项:截止态漏级漏电流 ID(off) 检测样品:模拟集成电路 标准:GB/T 14030-1992 《半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理》
检测项:集电极--基极截止电流ICBO 检测样品:晶体三极管 标准:GB/T4587-1994 《半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
检测项:零栅压时的漏极电流IDDS 检测样品:场效应管 标准:GB/T4586-1994 《半导体器件分立器件 第8部分:场效应晶体管》
检测项:截止态漏极漏电流ID 检测样品:V/F、F/V转换器 标准:《半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器》 GB/T 14114-1993
检测项:漏源极截止电流IDSS 检测样品:晶体振荡器 标准:《晶体振荡器总规范》GJB 1648-1993
检测项:集电极-发射极截止电流ICEO 检测样品:晶体管 标准:《半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管》GB/T 4587-1994 《半导体分立器件试验方法》GJB 128A-1997
机构所在地:贵州省贵阳市 更多相关信息>>
检测项:截止态漏极漏电流ID(off) 检测样品:脉宽调制器 标准:半导体集成电路开关电源脉宽调制器测试方法 QJ2660-1994
检测项:集电极-基极截止电流 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 GB/T4587-1994
检测项:集电极-发射极截止电流 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 GB/T4587-1994
检测项:截止态漏极漏电流 检测样品:电压比较器 标准:半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 GB/T 6798-1996
检测项:反向漏电流 检测样品:二极管 标准:半导体器件分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 GB/T 6571-1995 分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管 GB/T 4023-1997
检测项:反向栅源漏电流 检测样品:场效应晶体管 标准:半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997
机构所在地:四川省成都市 更多相关信息>>