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检测项:静电流试验 检测样品:汽车电子电气零部件通用电气性能试验 标准:《道路车辆 电气机电子设备的环境条件和试验第2部分:电气负荷》 ISO 16750-2 2010
检测项:静电流试验 检测样品:汽车电子电气零部件通用电气性能试验 标准:《红旗轿车音响产品通用环境试验》 F01 P-HQ-7900-1 -2006
机构所在地:吉林省长春市 更多相关信息>>
检测项:空载损耗和空载电流测量 检测样品:变压器 标准:GB1094.1-1996电力变压器 第一部分 总则 IEC60076-1:2000电力变压器 第一部分 总则
检测项:空载损耗和空载电流测量 检测样品:变压器 标准:GB1094.3-2003 电力变压器 第三部分 绝缘水平和绝缘试验 IEC60076-3:2000 GB1094.11-2007 电力变压器 第11部分 干式变压器 IEC60076-11:2004
检测项:空载电流谐波测量 检测样品:变压器 标准:GB1094.2-1996 电力变压器 第二部分 温升 IEC60076-2:2011 GB1094.11-2007 电力变压器 第11部分 干式变压器 IEC60076-11:2004
机构所在地:海南省海口市 更多相关信息>>
检测项:现场断口耐压试验 检测样品:高压试验 标准:《电气装置安装工程 电气设备交接试验标准》 GB 50150-2006
检测项:现场断口耐压试验 检测样品:高压试验 标准:电气装置安装工程 电气设备交接试验标准 GB 50150-2006
检测项:现场谐振耐压试验 检测样品:高压试验 标准:《气体绝缘金属封闭开关设备现场耐压及绝缘试验导则》 DL/T 555-2004 《电气装置安装工程 电气设备交接试验标准》 GB 50150-2006
机构所在地:江苏省南京市 更多相关信息>>
检测项:牺牲阳极输出电流测量 检测样品:压力管道 (阴极保护系统) 标准:GB/T 21246-2007《埋地钢质管道阴极保护参数测量方法》第6条
检测项:管内电流测量 检测样品:压力管道 (阴极保护系统) 标准:GB/T 21246-2007《埋地钢质管道阴极保护参数测量方法》第7条
机构所在地:四川省成都市 更多相关信息>>
检测项:高度模拟 检测样品:锂电池 标准:联合国《关于危险货物运输的建议书 试验和标准手册》ST/SG/AC.10/11/Rev.5
检测项:热测试 检测样品:锂电池 标准:联合国《关于危险货物运输的建议书 试验和标准手册》ST/SG/AC.10/11/Rev.5
检测项:振动 检测样品:锂电池 标准:联合国《关于危险货物运输的建议书 试验和标准手册》ST/SG/AC.10/11/Rev.5
机构所在地:江苏省苏州市 更多相关信息>>
检测项:漏极反向电流 检测样品:功率金属氧化物场效应管 标准:半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750E 2006 方法3415.1
检测项:栅极漏电流 检测样品:小型开关电源 标准:半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750E 2006 方法3411.1
检测项:漏极反向电流 检测样品:功率金属氧化物场效应管 标准:半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 方法3415.1
机构所在地:陕西省西安市 更多相关信息>>
检测项:恒定湿热试验 检测样品:太阳电池组件用绝缘背板 标准:《地面用晶体硅光伏组件——设计鉴定和定型》 IEC 61215-2005
机构所在地:江苏省常熟市 更多相关信息>>
检测项:输出电流限制 检测样品:移动电话用可充电电池 标准:IEEE关于移动电话用可充电电池标准 IEEE Std 1725-2011
检测项:电池过电流保护要求 检测样品:移动电话用可充电电池 标准:IEEE关于移动电话用可充电电池标准 IEEE Std 1725-2011
机构所在地:广东省深圳市 更多相关信息>>
检测项:部分项目 检测样品:通信用室外光缆 标准:GB/T 7424.1-2003 光缆总规范 第1部分:总则
检测项:部分项目 检测样品:通信用室外光缆 标准:GB/T 7424.2-2008 光缆总规范 第2部分:光缆基本试验方法
检测项:部分项目 检测样品:沿电力线路敷设的光缆 标准:DL/T 832-2003 光纤复合架空地线
机构所在地:江苏省南通市 更多相关信息>>
检测项:输出低电流 检测样品:集成电路 标准:半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理SJ/T10735-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 半导体集成电路双极型随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10740-1996 半导体集成电路CM
检测项:输出高电流 检测样品:集成电路 标准:半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理SJ/T10735-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 半导体集成电路双极型随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10740-1996 半导体集成电路CM
检测项:低三态输出电流 检测样品:集成电路 标准:半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理SJ/T10735-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 半导体集成电路双极型随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10740-1996 半导体集成电路CM
机构所在地:湖北省武汉市 更多相关信息>>