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剪切强度(Shearstrength) 曾称抗剪强度，是指单位粘接面积上能够承受平行于粘接面积的最大载荷，常用的单位为MPa。 剪切强度 测试仪器：剪切强度测试仪 查看详情>>
剪切强度(Shearstrength)
曾称抗剪强度，是指单位粘接面积上能够承受平行于粘接面积的最大载荷，常用的单位为MPa。
剪切强度测试仪器：剪切强度测试仪
收起百科↑ 最近更新：2017年04月24日
检测项：芯片剪切强度 检测样品：微电子器件 标准：《微电子器件试验方法和程序》GJB548B-2005
检测项：芯片粘附强度 检测样品：半导体分立器件 标准：《半导体分立器件试验方法》GJB128A-1997
检测项：键合强度 检测样品：半导体分立器件 标准：《半导体分立器件试验方法》GJB128A-1997
机构所在地：贵州省贵阳市 更多相关信息>>
检测项：*部分项目 检测样品：汽车用制动器衬片 标准：GB 5763-2008 汽车用制动器衬片
检测项：*侧门强度 检测样品：汽车 标准：GB 15743-1995 轿车侧门强度
检测项：*全项目 检测样品：汽车车顶强度 标准：FMVSS 216 轿车车顶抗压强度
机构所在地：重庆市 更多相关信息>>
检测项：芯片剪切强度 检测样品：微电子器件 标准：GJB548B-2005 微电子器件试验方法和程序 GJB548A-1996 微电子器件试验方法和程序
检测项：芯片粘附强度 检测样品：半导体分立器件 标准：GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法
机构所在地：上海市 更多相关信息>>
检测项：部分参数 检测样品：熔断体 标准：半导体器件 光电子器件分规范 GB/T 12565-1990
检测项：部分参数 检测样品：熔断体 标准：半导体器件 机械和气候试验方法 第2部分：低气压 GB/T 4937.2-2006 IEC 60749-2:2002
检测项：部分参数 检测样品：半导体分立器件发光二极管 标准：半导体器件 第10部分：分立器件和集成电路总规范 GB/T 4589.1-2006 IEC 60747-10:1991
机构所在地：天津市 更多相关信息>>
检测项：抗剪强度 检测样品：土 标准：《土工试验方法标准》GB/T50123-1999
检测项：抗剪强度 检测样品：砌墙砖 标准：《土工试验方法标准》GB/T50123-1999 《土工试验规程》 SL237-1999
检测项：抗压强度 检测样品：水泥材料 标准：《水泥胶砂强度检验方法(ISO法)》GB/T17671—1999
机构所在地：广东省广州市 更多相关信息>>
检测项：剪切强度 检测样品：石英晶体元件 标准：GJB 4027A-2006 《军用电子元器件破坏性物理分析方法 》
检测项：剪切强度 检测样品：无键合引线轴向引线玻璃外壳和玻璃钝化封装二极管 标准：GJB 4027A-2006 《军用电子元器件破坏性物理分析方法 》
检测项：剪切强度 检测样品：密封半导体集成电路 标准：GJB 4027A-2006 《军用电子元器件破坏性物理分析方法 》
机构所在地：四川省绵阳市 更多相关信息>>
检测项：剪切强度τb 检测样品：钢铁材料 标准：金属材料 薄板和薄带埃里克森杯突试验方法 GB/T 4156-2007
检测项：抗拉强度Rm 检测样品：钢铁材料 标准：复合钢板力学及工艺性能试验方法 GB/T 6396-2008
检测项：脱碳层深度 检测样品：钢铁材料 标准：钢的脱碳层深度测定法 GB/T 224-2008
机构所在地：山西省太原市 更多相关信息>>
检测项：芯片附着 强度 检测样品：电子元器件 标准：引线键合剪切测试方法EIA/JESD22-B116A-2009
检测项：芯片剪切强度 检测样品：混合集成电路 标准：混合集成电路总规范GJB2438A-2002 等效IEC748-20－1988 膜集成电路和混合膜集成电路总规范 GB/T8976-1996
检测项：芯片剪切 检测样品：半导体 集成电路外壳 标准：半导体集成电路外壳总规范 GJB1420A-1999 半导体集成电路外壳通用规范 GJB1420B-2011
机构所在地：江苏省无锡市 更多相关信息>>
检测项：拉伸剪切强度 检测样品：胶粘剂 标准：只做邵氏A硬度
检测项：脱碳层深度（金相法） 检测样品：低合金高强度结构钢 标准：不测铌
检测项：剥离强度 检测样品：橡胶 标准：只做邵氏A硬度
机构所在地：吉林省长春市 更多相关信息>>
检测项：部分参数 检测样品：单板层积材 标准：单板层积材 GB/T 20241-2006
检测项：部分参数 检测样品：集装箱底板用胶合板 标准：集装箱底板用胶合板GB/T 19536-2004
检测项：部分参数 检测样品：混凝土模板用胶合板 标准：混凝土模板用胶合板GB/T 17656-2008
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