官方微信
您当前的位置:首页 > 胶层剪切强度
剪切强度(Shearstrength) 曾称抗剪强度,是指单位粘接面积上能够承受平行于粘接面积的最大载荷,常用的单位为MPa。 剪切强度 测试仪器:剪切强度测试仪 查看详情>>
剪切强度(Shearstrength)
曾称抗剪强度,是指单位粘接面积上能够承受平行于粘接面积的最大载荷,常用的单位为MPa。
剪切强度测试仪器:剪切强度测试仪
收起百科↑ 最近更新:2017年04月24日
检测项:芯片剪切强度 检测样品:微电子器件 标准:《微电子器件试验方法和程序》GJB548B-2005
检测项:芯片粘附强度 检测样品:半导体分立器件 标准:《半导体分立器件试验方法》GJB128A-1997
检测项:键合强度 检测样品:半导体分立器件 标准:《半导体分立器件试验方法》GJB128A-1997
机构所在地:贵州省贵阳市 更多相关信息>>
检测项:*部分项目 检测样品:汽车用制动器衬片 标准:GB 5763-2008 汽车用制动器衬片
检测项:*侧门强度 检测样品:汽车 标准:GB 15743-1995 轿车侧门强度
检测项:*全项目 检测样品:汽车车顶强度 标准:FMVSS 216 轿车车顶抗压强度
机构所在地:重庆市 更多相关信息>>
检测项:芯片剪切强度 检测样品:微电子器件 标准:GJB548B-2005 微电子器件试验方法和程序 GJB548A-1996 微电子器件试验方法和程序
检测项:芯片粘附强度 检测样品:半导体分立器件 标准:GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法
机构所在地:上海市 更多相关信息>>
检测项:部分参数 检测样品:熔断体 标准:半导体器件 光电子器件分规范 GB/T 12565-1990
检测项:部分参数 检测样品:熔断体 标准:半导体器件 机械和气候试验方法 第2部分:低气压 GB/T 4937.2-2006 IEC 60749-2:2002
检测项:部分参数 检测样品:半导体分立器件发光二极管 标准:半导体器件 第10部分:分立器件和集成电路总规范 GB/T 4589.1-2006 IEC 60747-10:1991
机构所在地:天津市 更多相关信息>>
检测项:抗剪强度 检测样品:土 标准:《土工试验方法标准》GB/T50123-1999
检测项:抗剪强度 检测样品:砌墙砖 标准:《土工试验方法标准》GB/T50123-1999 《土工试验规程》 SL237-1999
检测项:抗压强度 检测样品:水泥材料 标准:《水泥胶砂强度检验方法(ISO法)》GB/T17671—1999
机构所在地:广东省广州市 更多相关信息>>
检测项:剪切强度 检测样品:石英晶体元件 标准:GJB 4027A-2006 《军用电子元器件破坏性物理分析方法 》
检测项:剪切强度 检测样品:无键合引线轴向引线玻璃外壳和玻璃钝化封装二极管 标准:GJB 4027A-2006 《军用电子元器件破坏性物理分析方法 》
检测项:剪切强度 检测样品:密封半导体集成电路 标准:GJB 4027A-2006 《军用电子元器件破坏性物理分析方法 》
机构所在地:四川省绵阳市 更多相关信息>>
检测项:剪切强度τb 检测样品:钢铁材料 标准:金属材料 薄板和薄带埃里克森杯突试验方法 GB/T 4156-2007
检测项:抗拉强度Rm 检测样品:钢铁材料 标准:复合钢板力学及工艺性能试验方法 GB/T 6396-2008
检测项:脱碳层深度 检测样品:钢铁材料 标准:钢的脱碳层深度测定法 GB/T 224-2008
机构所在地:山西省太原市 更多相关信息>>
检测项:芯片附着 强度 检测样品:电子元器件 标准:引线键合剪切测试方法EIA/JESD22-B116A-2009
检测项:芯片剪切强度 检测样品:混合集成电路 标准:混合集成电路总规范GJB2438A-2002 等效IEC748-20-1988 膜集成电路和混合膜集成电路总规范 GB/T8976-1996
检测项:芯片剪切 检测样品:半导体 集成电路外壳 标准:半导体集成电路外壳总规范 GJB1420A-1999 半导体集成电路外壳通用规范 GJB1420B-2011
机构所在地:江苏省无锡市 更多相关信息>>
检测项:拉伸剪切强度 检测样品:胶粘剂 标准:只做邵氏A硬度
检测项:脱碳层深度(金相法) 检测样品:低合金高强度结构钢 标准:不测铌
检测项:剥离强度 检测样品:橡胶 标准:只做邵氏A硬度
机构所在地:吉林省长春市 更多相关信息>>
检测项:部分参数 检测样品:单板层积材 标准:单板层积材 GB/T 20241-2006
检测项:部分参数 检测样品:集装箱底板用胶合板 标准:集装箱底板用胶合板GB/T 19536-2004
检测项:部分参数 检测样品:混凝土模板用胶合板 标准:混凝土模板用胶合板GB/T 17656-2008
机构所在地: 更多相关信息>>