试漏试验检测实验

金标免疫层析分析仪

简介

金标免疫层析分析仪

简介

免疫层析分析仪产品描述：通常由光电检测模块、机械扫描控制模块、控制主板模块、信息采集模块等组成。原理一般为通过传感器将检测试剂卡的反射率信号转为光电信号，通过校准信息将光电信号转为相应的浓度值或阈值，对待测物进行分析。

免疫层析分析仪预期用途：与适配试剂配合使用，用于人体样本中待测物的定性和/或定量分析。

免疫层析分析仪品名举例：免疫层析分析仪、金标免疫层析分析仪、胶体金免疫层析试条检测仪、金标斑点法定量读数仪、心脏标志物检测仪、金标测试仪、早孕/排卵试纸阅读仪

免疫层析分析仪管理类别：Ⅱ

免疫层析分析仪关指导原则：
1、胶体金免疫层析分析仪注册技术审查指导原则

免疫层析分析仪相关标准：
1 . GB/T 191 《包装储运图示标志》
2 . GB 4793.1 《测量、控制和实验室用电气设备的安全要求第1部分：通用要求》
3 . GB 4793.6 《测量、控制和实验室用电气设备的安全要求第6部分:实验室用材料加热设备的特殊要求》
4 . GB 4793.9 《测量、控制和实验室用电气设备的安全要求第9部分：实验室用分析和其他目的自动和半自动设备的特殊要求》
5 . GB 4943 《信息技术设备的安全》
6 . GB/T 14710 《医用电器环境要求及试验方法》
7 . GB/T 18268.1 《测量、控制和实验室用的电设备电磁兼容性要求第1部分：通用要求》
8 . GB/T 18268.26 《测量、控制和实验室用的电设备电磁兼容性要求第26部分：特殊要求体外诊断（IVD）医疗设备》
9 . GB/T 29791.3 《体外诊断医疗器械制造商提供的信息（标示）第3部分：专业用体外诊断仪器》
10 . YY 0648 《测量、控制和实验室用电气设备的安全要求第2-101部分：体外诊断（IVD）医用设备的专用要求》
11 . YY/T 0316 《医疗器械风险管理对医疗器械的应用》
12 . YY/T 0466.1 《医疗器械用于医疗器械标签、标记和提供信息的符号第1部分：通用要求》
13 . YY/T 0664 《医疗器械软件软件生存周期过程》
14 . YY/T 1582 《胶体金免疫层析分析仪》

免疫层析分析仪相关检测项目：
1 . 外观《荧光免疫层析分析仪： YY/T1792-2021》
2 . 准确度《荧光免疫层析分析仪： YY/T1792-2021》
3 . 重复性《荧光免疫层析分析仪： YY/T1792-2021》
4 . 线性《荧光免疫层析分析仪： YY/T1792-2021》
5 . 通道一致性《荧光免疫层析分析仪： YY/T1792-2021》
6 . 稳定性《荧光免疫层析分析仪： YY/T1792-2021》
7 . 功能《荧光免疫层析分析仪： YY/T1792-2021》
8 . 安全要求《荧光免疫层析分析仪： YY/T1792-2021》
9 . 电磁兼容性《荧光免疫层析分析仪： YY/T1792-2021》
10 . 环境试验《荧光免疫层析分析仪： YY/T1792-2021》
11 . 外观《胶体金免疫层析分析仪： YY/T1582-2018》
12 . 分辨率《胶体金免疫层析分析仪： YY/T1582-2018》
13 . 准确度《胶体金免疫层析分析仪： YY/T1582-2018》
14 . 重复性《胶体金免疫层析分析仪： YY/T1582-2018》
15 . 线性《胶体金免疫层析分析仪： YY/T1582-2018》
16 . 通道一致性《胶体金免疫层析分析仪： YY/T1582-2018》
17 . 稳定性《胶体金免疫层析分析仪： YY/T1582-2018》
18 . 功能《胶体金免疫层析分析仪： YY/T1582-2018》
19 . 安全要求《胶体金免疫层析分析仪： YY/T1582-2018》
20 . 电磁兼容性《胶体金免疫层析分析仪： YY/T1582-2018》
21 . 环境试验《胶体金免疫层析分析仪： YY/T1582-2018》

收起百科↑ 最近更新：2023年08月21日

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中国船舶重工集团公司第七一六研究所机电设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：栅-源短路时的漏极电流检测样品：场效应管标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

检测项：栅-源短路时的漏极电流检测样品：场效应管标准：GB/T4586-1994 《半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管》

检测项：静态漏-源通态电阻检测样品：二极管标准：GB/T 4023-1997半导体器件:分立器件和集成电路第2部分:整流二极管 GB/T6571-1995 半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管

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中国船舶重工集团公司第723研究所电工电子设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：漏极电流检测样品：场效应管标准：《半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管》GB/T4586-1994

检测项：漏源通态电压检测样品：场效应管标准：《半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管》GB/T4586-1994

检测项：漏源击穿电压检测样品：场效应管标准：《半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管》GB/T4586-1994

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上海精密计量测试研究所

检测项：漏极截止电流IDSS 检测样品：场效应晶体管标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法

检测项：静态漏-源通态电阻RDS(on) 检测样品：半导体集成电路时基电路标准：GB/T14030-1992 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理

检测项：漏-源击穿电压V(BR)DSS 检测样品：半导体集成电路时基电路标准：GB/T14030-1992 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理

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湖北航天技术研究院计量测试技术研究所

检测项：漏源极截止电流IDSS 检测样品：场效应晶体管标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

检测项：静态漏-源通态电阻RDS 检测样品：场效应晶体管标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

检测项：漏源击穿电压 V（BR）DSS 检测样品：场效应晶体管标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

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重庆市特种设备质量安全检测中心

检测项：未爆先漏试验检测样品：汽车用CNG缠绕气瓶标准：GB24160-2009车用压缩天然气钢质内胆环向缠绕气瓶/6.2.13 ISO11439：2000气瓶—车用天然气高压气瓶/A6

检测项：未爆先漏试验检测样品：汽车用CNG缠绕气瓶标准：GB24160-2009车用压缩天然气钢质内胆环向缠绕气瓶/6.2.13 ISO11439：2000气瓶—车用天然气高压气瓶/A6

检测项：冲击试验检测样品：汽车用CNG缠绕气瓶标准：GB24160-2009车用压缩天然气钢质内胆环向缠绕气瓶/6.1.5.3 ISO11439:2000气瓶—车用天然气高压气瓶/A2 ISO 148-1-2009金属材料.夏比摆锤冲击试验.第1部分:试验方法 GB/T229-2007金属材料夏比摆锤冲击试

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上海航天精密机械研究所试验与检测中心

检测项：泄漏检测检测样品：金属材料、非金属材料、复合材料及其构件标准：氦质谱正压检漏方法 QJ 3089-1999

检测项：低温试验检测样品：机电设备及电工电子产品标准：电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验B：高温 GB/T 2423.2-2008

检测项：湿热试验检测样品：机电设备及电工电子产品标准：电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验A：低温 GB/T 2423.1-2008

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中国电子科技集团公司第十四研究所检测/试验中心

检测项：反向漏过电流检测样品：开关二极管标准：GB/T6571-1995第3部分信号（包括开关）和调整二极管

检测项：反向漏过电流检测样品：稳压二极管标准：GB/T6571-1995半导体器件分立器件第3部分信号（包括开关）和调整二极管

检测项：反向漏过电流检测样品：光电耦合器标准：GB/T15651.3-2003半导体器件分立器件第5部分光电子器件

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北京迪捷姆空运技术开发有限公司运输危险性检查实验室

检测项：密封型电池－漏液试验检测样品：磁性物质标准：联合国《关于危险货物运输的建议书规章范本》(第16版)ST/SG/ AC.10/1/Rev.16，3.3章的特殊规定238(b)

检测项：自热试验检测样品：遇水放出易燃气体物质标准：联合国《关于危险货物运输的建议书 — 试验和标准手册》（第5版）ST/SG/AC.10/11/ Rev.5，33.3.1.6节，试验N.4；危险品易燃固体自热试验方法GB/T 21612-2008

检测项：固体自燃试验检测样品：自燃物质标准：危险品易燃固体燃烧速率试验方法

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成都古美信管道工程技术服务有限公司

检测项：埋地钢质管道外防腐层地面检漏（漏损点定位）检测样品：压力管道 (阴极保护系统) 标准：SY/T 0063-1999《管道防腐层检漏试验方法》第7条

检测项：外防腐层检漏检测样品：压力管道 (阴极保护系统) 标准：SY/T 0063-1999《管道防腐层检漏试验方法》第7条

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宜昌测试技术研究所（中国船舶重工集团公司第七一0研究所）环境可靠性及电磁兼容检测实验室

检测项：通态漏极电流检测样品：半导体集成电路TTL电路标准：GJB128A-1997半导体分立器件试验方法方法3407

检测项：漏-源通态电压检测样品：半导体集成电路TTL电路标准：GJB128A-1997半导体分立器件试验方法方法3407

检测项：漏-源击穿电压检测样品：半导体集成电路TTL电路标准：GJB128A-1997半导体分立器件试验方法方法3407

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