上海华岭集成电路技术股份有限公司检测中心

检测项：阈值电压 检测样品：时基电路 标准：半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理 GB/T 14030-1992

检测项：差分输入线性放大器的输入失调电压和单端输入放大器的偏置电压 检测样品：CMOS集成电路 标准：半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路 GB/T 17940-2000

检测项：差分输入线性放大器的输入失调电压和单端输入放大器的偏置电压 检测样品：RF器件 标准：半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路 GB/T 17940-2000

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

广州市鸿利光电股份有限公司实验室

检测项：正向电压 检测样品： 标准：

检测项：正向电流 检测样品： 标准：

机构所在地：广东省广州市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十研究所天奥校准/检测实验室

检测项：正向压降 检测样品：光耦合器 标准：半导体光耦合器（二极管）正向压降的测试方法 SJ 2215.2-1982

检测项：栅-源阈值电压 检测样品：场效应 晶体管 标准：半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管GB/T4586-1994第 Ⅳ 章2、3、6、 10、15条

检测项：栅-源阈值电压 检测样品：场效应 晶体管 标准：半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管GB/T4586-1994第 Ⅳ 章2、3、6、 10、15条

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第七一六研究所机电设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：栅-源阈值电压 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

检测项：栅-源阈值电压 检测样品：二极管 标准：GB/T 4023-1997《半导体器件:分立器件和集成电路 第2部分: 整流二极管》 GB/T6571-1995 《半导体器件 分立器件 第3部分：信号（包括开关）和调整二极管》

检测项：共发射极正向电流传输比 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

机构所在地：江苏省连云港市 更多相关信息>>

湖北航天技术研究院计量测试技术研究所

检测项：栅-源阈值电压VGS（th） 检测样品：场效应晶体管 标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

检测项：正向电压VF 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分：场效应晶体管 GB/T 4587-1994

检测项：正向电流传输比HFE 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分：场效应晶体管 GB/T 4587-1994

机构所在地：湖北省孝感市 更多相关信息>>

西南计算机有限责任公司检测计量与软件测评中心

检测项：栅-源阈值电压 检测样品：场效应晶体管 标准：半导体器件 分立器件 第8部分： 场效应晶体管 GB/T4586-1994

检测项：正向直流电压 检测样品：二极管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法4011 、 方法4016

检测项：正向栅源漏 电流 检测样品：晶闸管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407

机构所在地：重庆市 更多相关信息>>

湖南航天管理局计量检测中心

检测项：栅-源阈值电压VGS(th) 检测样品：半导体集成电路运算放大器 标准：SJ/T10738-1996 半导体集成电路运算（电压） 放大器测试方法的基本原理

检测项：栅-源阈值电压VGS(th) 检测样品：半导体集成电路运算放大器 标准：SJ/T10738-1996 半导体集成电路运算（电压） 放大器测试方法的基本原理

检测项：正向电压VF 检测样品：光电耦合器 标准：GB/T15651-1995 半导体器件分立器件和集成电路第5部分：光电子器件

机构所在地：湖南省长沙市 更多相关信息>>

北京赛迪君信电子产品检测实验室有限公司

检测项：栅源阈值电压VGS(th) 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994半导体器件 第8部分：场效应晶体管

检测项：正向直流电压VF 检测样品：二极管 标准：1.GB/T 4023-1997半导体器件分立器件和集成电路第2部分：整流二极管； 2.GB/T 6571-1995半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管；

检测项：正向跨导gfs 检测样品：光耦合器 标准：1.GB/T15651.3-2003半导体分立器件和集成电路第5-3部分：光电子器件测试方法 2.GB12565-1990半导体器件光电子器件分规范

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

西安芯派电子科技有限公司测试应用中心

检测项：阈值电压 检测样品：功率金属氧化物场效应管 标准：半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750E 2006 方法 3404

检测项：阈值电压 检测样品：功率金属氧化物场效应管 标准：半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 方法 3404

检测项：正向压降 检测样品：二极管 标准：半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 方法4011.4

机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>

宜昌测试技术研究所（中国船舶重工集团公司第七一0研究所）环境可靠性及电磁兼容检测实验室

检测项：栅源阈值电压 检测样品：半导体集成电路TTL电路 标准：GB/T4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管

检测项：正向压降 检测样品：二极管 标准：GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法 方法4011、方法4016

检测项：正向压降 检测样品：二极管 标准：GJB360B-2009 电子及电气元件试验方法 方法303 直流电阻测试

机构所在地：湖北省宜昌市 更多相关信息>>