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检测项：高电平输入电流IIH 检测样品：半导体集成电路（数字集成电路） 标准：1.SJ/T 10741-2000 半导体集成电路 CMOS电路测试方法的基本原理 2.GB/T 17574-1998半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路 第IV篇 3.GB/T 16464-1996半导体器件 集成电路 第
检测项：输出高电平电压Voh 检测样品：半导体集成电路（稳压器） 标准：1.GB/T 4377-1996半导体集成电路电压调整器测试方法基本原理 2.GB/T 4589.1-2006半导体器件 第10部分：分立器件和集成电路总规范
检测项：输出高电平VO H 检测样品：半导体集成电路（数字集成电路） 标准：1.SJ/T 10741-2000 半导体集成电路 CMOS电路测试方法的基本原理 2.GB/T 17574-1998半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路 第IV篇 3.GB/T 16464-1996半导体器件 集成电路 第
机构所在地：北京市 更多相关信息>>
检测项：输入高电平 检测样品：集成电路 标准：半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理SJ/T10735-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 半导体集成电路双极型随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10740-1996 半导体集成电路CM
检测项：极限高电平输入电流 检测样品：集成电路 标准：半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理SJ/T10735-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 半导体集成电路双极型随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10740-1996 半导体集成电路CM
机构所在地：湖北省武汉市 更多相关信息>>
检测项：输出高电平电压VOH 检测样品：存储器 标准：《半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理》SJ/T 10739-1996
检测项：输出高电平电压VOH 检测样品：TTL电路 标准：《半导体集成电路TTL 电路测试方法的基本原理》SJ/T 10735-1996
检测项：输出高阻态时高电平电流IOZH 检测样品：TTL电路 标准：《半导体集成电路TTL 电路测试方法的基本原理》SJ/T 10735-1996
机构所在地：贵州省贵阳市 更多相关信息>>
检测项：输出高电平电压VOH 检测样品：DC/DC电源模块 标准：混合集成电路DC/DC变换器测试方法 SJ 20646-1997
检测项：输入电流 检测样品： 标准：
检测项：电压调整率 检测样品：DC/DC电源装置 标准：电源变换器测试方法 QJ 1467A－1997
检测项：PIN输入过程中监控 检测样品：银联PIN输入设备安全 标准：
检测项：输入PIN区别 检测样品：银联PIN输入设备安全 标准：
检测项：PIN输入过程中可听到的音调 检测样品：银联PIN输入设备安全 标准：
检测项：输出高电平电压 检测样品：电子产品、军用装备 标准：GB/T 2423.10-2008电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法 试验 Fc：振动（正弦）
检测项：输出高阻态时高电平电流 检测样品：电子产品、军用装备 标准：GB/T 2423.10-2008电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法 试验 Fc：振动（正弦）
检测项：输出高电平电源电流 检测样品：电子产品、军用装备 标准：GB/T 2423.10-2008电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法 试验 Fc：振动（正弦）
机构所在地：云南省昆明市 更多相关信息>>
检测项：部分参数 检测样品：运算（电压）放大器 标准：半导体集成电路运算(电压)放大器测试方法的基本原理 SJ/T 10738-1996
检测项：部分参数 检测样品：电压比较器 标准：半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 J/T 10805-2000
检测项：部分参数 检测样品：电压调整器 标准：半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理 GB/T 4377-1996
机构所在地：湖北省孝感市 更多相关信息>>
检测项：输入功率 检测样品： 标准：
检测项：输入阻抗 检测样品： 标准：
检测项：谐波电流发射限值（设备每相输入电流≤16A） 检测样品：家用电器 标准：电磁兼容 限值 谐波电流发射限值（设备每相输入电流≤16A） GB 17625.1-2003 / IEC61000-3-2:2001
检测项：输入/输出电压驻波比 检测样品： 标准：
机构所在地：广东省广州市 更多相关信息>>
