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检测项：通态伏安特性 检测样品：晶闸管 标准：半导体器件 第6部分 晶闸管 GB/T 15291-1994 反向阻断三极晶闸管测试方法 JB/T 7626-1994
检测项：通态浪涌电流 检测样品：晶闸管 标准：半导体器件 第6部分 晶闸管 GB/T 15291-1994 反向阻断三极晶闸管测试方法 JB/T 7626-1994
检测项：快开关晶闸管的通态电流 检测样品：晶闸管 标准：半导体器件 第6部分 晶闸管 GB/T 15291-1994 反向阻断三极晶闸管测试方法 JB/T 7626-1994
机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>
检测项：亮态前历效应 检测样品：光电池 标准：JB/T 9478.2-1999光电池测量方法 伏安特性
检测项：暗态前历效应 检测样品：光电池 标准：JB/T 9478.2-1999光电池测量方法 伏安特性
检测项：伏安特性 检测样品：光电池 标准：JB/T 9478.2-1999光电池测量方法 伏安特性
机构所在地：辽宁省沈阳市 更多相关信息>>
检测项：伏安特性 检测样品：噪声系数测试装置 标准：GJB 2650-1996 微波元器件性能测试方法
检测项：伏安特性 检测样品：太阳电池（单片及组件） 标准：GB/T 6494-1986 航天用太阳电池电性能测试方法
机构所在地：北京市 更多相关信息>>
检测项：漏－源通态电阻rDS(ON) 检测样品：光电耦合器 标准：GB/T 15651.2－2003《半导体器件分立器件和集成电路 第5-2部分：光电子器件基本额定值和特性》
检测项：漏－源通态电压（饱和电压）VDS(ON) 检测样品：场效应晶 体管 标准：GB/T 4586－94《半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管》
检测项：通态电压（VT） 检测样品：晶闸管 标准：GB/T15291－94《半导体器件 第6部分 晶闸管》
检测项：伏安特性 检测样品：继电器及继电保护装置 标准：继电保护和安全自动装置基本试验方法 GB/T 7261-2008
检测项：负序电压特性量准确度 检测样品：继电器及继电保护装置 标准：继电保护和安全自动装置基本试验方法 GB/T 7261-2008
检测项：负序电流特性量准确度 检测样品：继电器及继电保护装置 标准：静态继电保护及安全自动装置通用技术条件 DL/T 478-2010
机构所在地：江苏省南京市 更多相关信息>>
检测项：温升试验 检测样品：电力变压器 标准：只测：电流比、直阻、极性、绝缘、伏安特性试验
检测项：绕组对地和绕组间的电容测定 检测样品：电力变压器 标准：只测：电流比、直阻、极性、绝缘、伏安特性试验
检测项：三相变压器的零序阻抗测量 检测样品：电力变压器 标准：只测：电流比、直阻、极性、绝缘、伏安特性试验
机构所在地：山东省济南市 更多相关信息>>
检测项：硝态氮 检测样品：土壤 标准：森林土壤硝态氮的测定 LY/T 1230-1999
检测项：硝态氮 检测样品：土壤 标准：土壤有机质测定法 NY/T 85-1988
检测项：氨基酸态氮 检测样品：鸡精调味料 标准：鸡精调味料SB/T 10371-2003
机构所在地：山东省青岛市 更多相关信息>>
检测项：功能 检测样品：模拟开关 标准：半导体集成电路模拟开关测试方法的基本原理 GB/T 14028-1992 半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T 10741-2000；
检测项：静态漏-源通态电阻RDS 检测样品：场效应晶体管 标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997
检测项：部分参数 检测样品：模拟乘法器 标准：半导体集成电路模拟乘法器测试方法的基本原理 GB/T 14029-1992
机构所在地：湖北省孝感市 更多相关信息>>
检测项：截止态和导通态电流（对模拟信号开关电路） 检测样品：CMOS集成电路 标准：集成电路A/D和D/A转换器测试方法的基本原理 SJ20961-2006
检测项：截止态和导通态电流（对模拟信号开关电路） 检测样品：RF器件 标准：集成电路A/D和D/A转换器测试方法的基本原理 SJ20961-2006
检测项：导通态漏电流 检测样品：集成电路A/D和D/A转换器 标准：集成电路A/D和D/A转换器测试方法的基本原理 SJ 20961-2006
机构所在地：上海市 更多相关信息>>
检测项：氨基酸态氮 检测样品：酱油 标准：酱油卫生标准的分析方法 GB/T 5009.39-2003
检测项：氨基酸态氮 检测样品：酱 标准：酱卫生标准的分析方法 GB/T 5009.40-2003 4.1
机构所在地：湖北省武汉市 更多相关信息>>
