西安芯派电子科技有限公司测试应用中心

检测项：通态电阻 检测样品：功率金属氧化物场效应管 标准：半导体测试方法测试标准 GJB128A-1997 方法3407

检测项：通态电阻 检测样品：功率金属氧化物场效应管 标准：半导体测试方法测试标准 GJB128A-1997 方法3407

检测项：通态电阻 检测样品：功率金属氧化物场效应管 标准：半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750E 2006 方法3405.1

机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>

深圳电气科学研究所（深圳电气科学研究所中心实验室/深圳电气产品质量检测中心）

检测项：部分项目 检测样品：电弧焊机 标准：GB/T 8118-2010 电弧焊机通用技术条件

检测项：部分项目 检测样品：电弧焊机 标准：电弧焊机通用技术条件 GB/T 8118-2010

检测项：部分项目 检测样品：光电开关 标准：JB/T 6475-1992 光电开关

机构所在地：广东省深圳市 更多相关信息>>

天津市产品质量监督检测技术研究院

检测项：化学试剂金属杂质（伏安法） 检测样品：　 标准：《化学试剂 阳极溶出伏安法通则》 GB/T 3914-2008

检测项：肥料中氨态氮含量 检测样品：　 标准：肥料中氨态氮含量的测定 甲醛 GB/T3600-2000

检测项：全部参数 检测样品：食品添加剂 稳定态二氧化氯溶液 标准：食品安全国家标准 食品添加剂 稳定态二氧化氯溶液 GB25580-2010

机构所在地：天津市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第723研究所电工电子设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：漏源通态电压 检测样品：场效应管 标准：《半导体器件 分立器件第8部分：场效应晶体管》GB/T4586-1994

检测项：输出高阻态时高电平电流 检测样品：CMOS集成电路 标准：《半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路》GB/T17574-1998 《半导体集成电路 CMOS电路测试方法的基本原理》SJ/T10741-2000

检测项：输出高阻态时低电平电流 检测样品：CMOS集成电路 标准：《半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路》GB/T17574-1998 《半导体集成电路 CMOS电路测试方法的基本原理》SJ/T10741-2000

机构所在地：江苏省扬州市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十研究所天奥校准/检测实验室

检测项：静态漏-源通态电阻 检测样品：场效应 晶体管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407

检测项：静态漏-源通态电压 检测样品：场效应 晶体管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407

检测项：通态电压 检测样品：光耦合器 标准：半导体光耦合器（二极管）正向压降的测试方法 SJ 2215.2-1982

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

北京通和实益电信科学技术研究所有限公司威尔克通信实验室

检测项：空闲态 检测样品：cdma2000高速分组数据(HRPD)接入终端(AT)设备 标准：YD/T 1567-2007 2GHz cdma2000数字蜂窝移动通信网设备测试方法：高速分组数据（HRPD）（第一阶段）接入终端（AT）

检测项：空闲态 检测样品：cdma2000高速分组数据(HRPD)接入终端(AT)设备 标准：YD/T 1562-2007 2GHz cdma2000数字蜂窝移动通信网设备技术要求：高速分组数据（HRPD）（第一阶段）接入终端（AT）

检测项：空闲态 检测样品：cdma2000高速分组数据(HRPD)接入终端(AT)设备 标准：YD/T 1680-2007 2GHz cdma2000数字蜂窝移动通信网设备测试方法：高速分组数据（HRPD）（第二阶段）接入终端（AT）

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第二十四研究所质检中心

检测项：导通态漏电流 检测样品：半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器 标准：半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器测试方法的基本原理　GB/T14114-1993

检测项：截止态馈通频率 检测样品：半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器 标准：半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器测试方法的基本原理　GB/T14114-1993

检测项：导通态串扰衰减 检测样品：半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器 标准：半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器测试方法的基本原理　GB/T14114-1993

机构所在地：重庆市 更多相关信息>>

中国航空无线电电子研究所元器件检测中心

检测项：静态漏—源通态电阻 检测样品：场效应管 标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件第8部分:场效应晶体管

检测项：静态漏—源通态电阻 检测样品：二极管 标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4023-1997 半导体器件:分立器件和集成电路第2部分:整流二极管 GB/T 6571-1995 半导体器件 分立器件 第3部分：信号（包括开关）和调整二极管

检测项：截止态漏极漏电流 检测样品：模拟集成电路 标准：GJB 597A-1996 半导体集成电路总规范 GB/T 17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路 GB/T 6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 GB/T 4377-1996 半导体集成电路电压

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十四研究所检测/试验中心

检测项：静态漏-源通态电阻 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994半导体分立器件分立器件第8部分场效应晶体管

检测项：通态电压 检测样品：闸流晶体管 标准：SJ/Z9014.3-1987半导体器件 分立器件和集成电路 第６部分：闸流晶体管

检测项：输出高阻态时高电平电流 检测样品：CMOS电路 标准：SJ/T10741-2000半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 第5.2节

机构所在地：江苏省南京市 更多相关信息>>

深圳市通标科技有限公司

检测项：潮态和绝缘测试 检测样品：LED模块 标准：GB24819:2009/IEC 62031:2008+A1:2012/EN 62031:2008 普通照明用LED模块安全要求

检测项：绝缘电阻和潮态 检测样品：LED驱动 标准：GB 19510.14-2009 LED模块用直流或交流电子控制装置的特殊要求 EN 61347-2-13:2006 IEC 61347-2-13:2006

检测项：绝缘电阻和潮态 检测样品：LED驱动 标准：GB 19510.14-2009 LED模块用直流或交流电子控制装置的特殊要求 EN 61347-2-13:2006 IEC 61347-2-13:2006

机构所在地：广东省深圳市 更多相关信息>>