您当前的位置:首页 > 集电极-发射极截止电流ICEO
检测项:ICEO:集电极与发射极间反向漏电流 检测样品:双极型晶体管 标准:半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)
检测项:VCEO:集电极与发射极间反向击穿电压 检测样品:双极型晶体管 标准:半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)
检测项:VCEsat: 集电极与发射极间的饱和压降 检测样品:场效应晶体管 标准:半导体器件 分立器件和集成电路 第8部分:场效应晶体管IEC 60747-8(第三版 2010-12)
机构所在地:
检测项:集电极-发射极截止电流 检测样品:场效应管 标准:GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管
检测项:集电极-发射极截止电流 检测样品:晶体三极管 标准:GB/T4587-1994 《半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管》
检测项:发射极-基极截止电流 检测样品:场效应管 标准:GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管
机构所在地:江苏省连云港市
检测项:集电极-发射极极截止电流(VBE=规定的X) 检测样品:低频放大管壳额定的双极型晶体管 标准:低频放大管壳额定的双极型晶体管空白详细规范GB/T7577-1996
检测项:集电极-发射极极截止电流(VBE=规定的R) 检测样品:低频放大管壳额定的双极型晶体管 标准:低频放大管壳额定的双极型晶体管空白详细规范GB/T7577-1996
检测项:集电极-发射极极截止电流(VBE=0) 检测样品:低频放大管壳额定的双极型晶体管 标准:低频放大管壳额定的双极型晶体管空白详细规范GB/T7577-1996
机构所在地:山东省济南市