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检测项:集电极-发射极极截止电流(VBE=规定的X) 检测样品:低频放大管壳额定的双极型晶体管 标准:低频放大管壳额定的双极型晶体管空白详细规范GB/T7577-1996
检测项:集电极-发射极极截止电流(VBE=规定的R) 检测样品:低频放大管壳额定的双极型晶体管 标准:低频放大管壳额定的双极型晶体管空白详细规范GB/T7577-1996
检测项:集电极-发射极极截止电流(VBE=0) 检测样品:低频放大管壳额定的双极型晶体管 标准:低频放大管壳额定的双极型晶体管空白详细规范GB/T7577-1996
机构所在地:山东省济南市
检测项:集电极-发射极截止电流ICEO 检测样品:晶体管 标准:《半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管》GB/T 4587-1994 《半导体分立器件试验方法》GJB 128A-1997
机构所在地:贵州省贵阳市
检测项:集电极-发射极截止电流ICEO 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分:场效应晶体管 GB/T 4587-1994
检测项:集电极-发射极饱和电压VCEsat 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分:场效应晶体管 GB/T 4587-1994
检测项:集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分:场效应晶体管 GB/T 4587-1994
机构所在地:湖北省孝感市
检测项:VCEO:集电极与发射极间反向击穿电压 检测样品:双极型晶体管 标准:半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)
检测项:ICEO:集电极与发射极间反向漏电流 检测样品:双极型晶体管 标准:半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)
检测项:VCEsat: 集电极与发射极间的饱和压降 检测样品:场效应晶体管 标准:半导体器件 分立器件和集成电路 第8部分:场效应晶体管IEC 60747-8(第三版 2010-12)
机构所在地: