中国空空导弹研究院元器件检测中心

检测项：集电极--基极击穿电压BVCBO 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管

检测项：发射极--基极击穿电压BVEBO 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管

检测项：击穿电压VBR 检测样品：双基极单结晶体管 标准：SJ/T10333-1993 单结晶体管测试方法

机构所在地：河南省洛阳市 更多相关信息>>

上海无线电设备研究所环境与检测实验室

检测项：集电极-基极击穿电压V(BR)CBO 检测样品：二极管 标准：《半导体器件 分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管》 GB/T 6571-1995

检测项：发射极-基极击穿电压V(BR)EBO 检测样品：二极管 标准：《半导体器件 分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管》 GB/T 6571-1995

检测项：集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO 检测样品：二极管 标准：《半导体器件 分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管》 GB/T 6571-1995

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第二十七研究所计量检测中心

检测项：集电极-基极击穿电压V(BR)CBO 检测样品：三端稳压电源（电压调整器） 标准：半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理GB/T4377-1996

检测项：发射极-基极击穿电压V(BR)EBO 检测样品：三端稳压电源（电压调整器） 标准：半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理GB/T4377-1996

检测项：集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO 检测样品：三端稳压电源（电压调整器） 标准：半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理GB/T4377-1996

机构所在地：河南省郑州市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第723研究所电工电子设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：集电极—基极击穿电压 检测样品：双极型晶体管 标准：《半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管》GB/T4587-1994

检测项：发射极—基极击穿电压 检测样品：场效应管 标准：《半导体器件 分立器件第8部分：场效应晶体管》GB/T4586-1994

检测项：集电极-发射极反向击穿电压 检测样品：光电器件 标准：《半导体器件分立器件和集成电路 第5部分-3 光电子器件测试方法》GB/T15651.3-2003

机构所在地：江苏省扬州市 更多相关信息>>

云南昆船电子设备有限公司蓝海综合实验中心

检测项：集电极-基极击穿电压 检测样品：半导体集成运算放大器 标准：SJ/T 10738-1996 半导体集成电路 运算(电压)放大器测试方法的基本原理

检测项：发射极-基极击穿电压 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T 4587-1994 半导体器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管

检测项：基极-发射极饱和电压 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T 4587-1994 半导体器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管

机构所在地：云南省昆明市 更多相关信息>>

武汉中原电子集团有限公司计量检测中心

检测项：集电极-基极击穿电压V(BR)CBO 检测样品：场效应管 标准：半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994

检测项：基极-发射极击穿电压V(BR)EBO 检测样品：场效应管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994

检测项：集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO 检测样品：双极型 晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994

机构所在地：湖北省武汉市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十研究所天奥校准/检测实验室

检测项：集电极-基极击穿电压 检测样品：场效应 晶体管 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-1997 方法3011

检测项：集电极-基极击穿电压 检测样品：场效应 晶体管 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-1997 方法3011

检测项：发射极-基极击穿电压 检测样品：场效应 晶体管 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-1997 方法3011

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

贵州航天计量测试技术研究所

检测项：集电极-基极击穿电压V(BR)CBO 检测样品：晶体管 标准：《半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管》GB/T 4587-1994 《半导体分立器件试验方法》GJB 128A-1997

检测项：发射极-基极击穿电压V(BR)EBO 检测样品：晶体管 标准：《半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管》GB/T 4587-1994 《半导体分立器件试验方法》GJB 128A-1997

检测项：集电极-发射极击穿 电压V（BR）EO 检测样品：晶体管 标准：《半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管》GB/T 4587-1994 《半导体分立器件试验方法》GJB 128A-1997

机构所在地：贵州省贵阳市 更多相关信息>>

宜昌测试技术研究所（中国船舶重工集团公司第七一0研究所）环境可靠性及电磁兼容检测实验室

检测项：集电极-基极 击穿电压 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 第Ⅳ章 通用测试方法

检测项：集电极-基极 击穿电压 检测样品：场效应晶体管 标准：GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法 方法3011

检测项：发射极-基极 击穿电压 检测样品：场效应晶体管 标准：GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法 方法3011

机构所在地：湖北省宜昌市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第七一六研究所机电设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：集电极—基极击穿电压 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

检测项：集电极—基极击穿电压 检测样品：晶体三极管 标准：GB/T4587-1994 《半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管》

检测项：发射极—基极击穿电压 检测样品：晶体三极管 标准：GB/T4587-1994 《半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管》

机构所在地：江苏省连云港市 更多相关信息>>