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检测项:集电极截止电流 检测样品:绝缘栅双极晶体管(IGBT) 标准:GB/T29332-2012/IEC60747-9Ed.2.0:20076.3.4 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT)
检测机构:国家电子电器产品检测中心 更多相关信息>>
检测项:集电极--发射极饱和电压VCES 检测样品:晶体三极管 标准:《半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管》 GB/T4587-1996
检测机构:国家机械电子产品环境与可靠性质量监督检验中心 更多相关信息>>
检测项:集电极-发射极反向击穿电压 检测样品:电容器 标准:半导体光耦合器集电极—发射极反向击穿电压的测试 方法SJ2215.7-1982
机构所在地:四川省成都市 更多相关信息>>
检测项:集电极-发射极暗电流或集电极-基极暗电流(适用时) ICBO 检测样品:光电耦合器 标准:GB/T 15651.2-2003《半导体器件分立器件和集成电路 第5-2部分:光电子器件基本额定值和特性》
检测项:集电极-发射极饱和电压或集电极-基极电压(适用时) VCEsat 检测样品:光电耦合器 标准:GB/T 15651.2-2003《半导体器件分立器件和集成电路 第5-2部分:光电子器件基本额定值和特性》
检测项:集电极-发射极饱和电压(VCEsat) 检测样品:场效应晶 体管 标准:GB/T 4586-94《半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管》
机构所在地:北京市 更多相关信息>>
检测项:晶体管集电极-发射极击穿电压V(BR)CEX 检测样品:晶体管 标准:《半导体分立器件试验方法》 GJB 128A-1997
机构所在地:陕西省咸阳市 更多相关信息>>
检测项:集电极--基极截止电流ICBO 检测样品:晶体三极管 标准:GB/T4587-1994 《半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
检测项:集电极--基极击穿电压BVCBO 检测样品:场效应管 标准:GB/T4586-1994 《半导体器件分立器件 第8部分:场效应晶体管》
检测项:集电极--发射极击穿电压BVCEO 检测样品:场效应管 标准:GB/T4586-1994 《半导体器件分立器件 第8部分:场效应晶体管》
检测项:集电极-发射极击穿电压 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 GB/T4587-1994
检测项:集电极-基极击穿电压 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 GB/T4587-1994
检测项:集电极-基极截止电流 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 GB/T4587-1994
检测项:集电极-发射极饱和电压VCE(sat) 检测样品:晶体管 标准:GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管
检测项:集电极-基极截止电流ICBO 检测样品:晶体管 标准:GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管
检测项:集电极-发射极截止电流ICEO 检测样品:晶体管 标准:GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管
机构所在地:上海市 更多相关信息>>
检测项:集电极电流偏转系数 检测样品:模拟示波器 标准:GB/T 6585-1996 阴极射线示波器通用规范
检测项:集电极电流 倍率 检测样品:模拟示波器 标准:GB/T 6585-1996 阴极射线示波器通用规范
检测项:集电极电流偏转系数 检测样品:模拟示波器 标准:GB/T 6585-1996 《 阴极射线示波器通用规范 》
机构所在地:四川省绵阳市 更多相关信息>>
检测项:集电极-发射极维持电压VCEO 检测样品:DC/DC变换器 标准:SJ 20646-1997《混合集成电路DC/DC变换器测试方法》
检测项:集电极-发射极维持电压Vceo 检测样品:光电耦合器 标准:GB/T4587-1994《半导体器件分立器件第7部分双极型晶体管》第Ⅳ章
检测项:集电极-基极击穿电压Vcbo 检测样品:光电耦合器 标准:GB/T4587-1994《半导体器件分立器件第7部分双极型晶体管》第Ⅳ章
机构所在地:湖北省武汉市 更多相关信息>>