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检测项:集电极-发射极暗电流 检测样品:光电耦合器 标准:GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 15651-1995 半导体器件分立器件 第5部分 光电子器件
检测项:集电极-基极暗电流 检测样品:晶体三极管 标准:GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
检测项:集电极-发射极饱和电压 检测样品:晶体三极管 标准:GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
机构所在地:上海市
检测项:集电极-基极 截止电流 检测样品:双极型晶体管 标准:GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 第Ⅳ章 通用测试方法
检测项:集电极-发射极截止电流 检测样品:场效应晶体管 标准:GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法 方法3011
检测项:集电极-发射极饱和电压 检测样品:场效应晶体管 标准:GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法 方法3011
机构所在地:湖北省宜昌市