松下家电研究开发（杭州）有限公司评价中心

检测项：电压波动及闪烁 检测样品：电子 电器 标准：电磁兼容 限值 对每相额定电流≤16A且无条件接入的设备在公用低压供电系统中产生的电压变化、电压波动和闪烁的限制 GB 17625.2-2007 IEC 61000-3-3:2005 IEC 61000-3-3:2013

检测项：谐波电流 检测样品：电子 电器 标准：电磁兼容限值谐波电流发射限值(设备每相输入电流≤16A) GB 17625.1-2012 IEC 61000-3-2:2009

检测项：浪涌抗扰度 检测样品：电子 电器 标准：电磁兼容限值谐波电流发射限值(设备每相输入电流≤16A) GB 17625.1-2012 IEC 61000-3-2:2009

机构所在地： 更多相关信息>>

江苏中天科技股份有限公司检测中心

检测项：部分项目 检测样品：轨道交通车辆用电缆 标准：TB/T1484.1-2010 机车车辆电缆 第1部分：额定电压3kV及以下标准壁厚绝缘电缆

检测项：全部项目 检测样品：额定电压450/750V及以下聚氯乙烯绝缘电线电缆 标准：IEC60227-1:2007 额定电压450/750V及以下聚氯乙烯绝缘电缆第1部分：一般要求

检测项：全部项目 检测样品：额定电压450/750V及以下聚氯乙烯绝缘电线电缆 标准：GB/T5023.1-2008 额定电压450/750V及以下聚氯乙烯绝缘电缆第1部分：一般要求

机构所在地：江苏省南通市 更多相关信息>>

宁波市计量测试研究院（宁波市衡器管理所）

检测项：输出特性 检测样品：1.0级以下交直流电流表、电压表 标准：《直接作用模拟指示电测量仪表及其附件第1部分：定义和通用要求》GB/T7676.1-1998 《直接作用模拟指示电测量仪表及其附件第2部分：电流表和电压表的特殊要求》 GB/T7676.2-1998 《直接作用模拟指示电测量仪表及其附件

检测项：标志检验 检测样品：电流互感器 标准：《电流互感器》GB1208-2006

检测项：绕组段间工频耐压试验 检测样品：电流互感器 标准：《电流互感器》GB1208-2006

机构所在地：浙江省宁波市 更多相关信息>>

天津市无线电监测站

检测项：最大射频输出功率 检测样品：2GHz WCDMA数字蜂窝移动通信系统的用户设备及其辅助设备 标准：2GHz WCDMA数字蜂窝移动通信系统 电磁兼容性要求和测量方法(第1部分:用户设备及其辅助设备) YD/T 1595.1-2007 《信息技术设备的无线电骚扰限值和测量方法》GB 9254-2008 《电磁兼容 限值 谐波电流发射限值（设备每相输入电流

检测项：最小受控输出功率 检测样品：2GHz WCDMA数字蜂窝移动通信系统的用户设备及其辅助设备 标准：2GHz WCDMA数字蜂窝移动通信系统 电磁兼容性要求和测量方法(第1部分:用户设备及其辅助设备) YD/T 1595.1-2007 《信息技术设备的无线电骚扰限值和测量方法》GB 9254-2008 《电磁兼容 限值 谐波电流发射限值（设备每相输入电流

检测项：开环输出功率范围 检测样品：2GHz WCDMA数字蜂窝移动通信系统的用户设备及其辅助设备 标准：2GHz WCDMA数字蜂窝移动通信系统 电磁兼容性要求和测量方法(第1部分:用户设备及其辅助设备) YD/T 1595.1-2007 《信息技术设备的无线电骚扰限值和测量方法》GB 9254-2008 《电磁兼容 限值 谐波电流发射限值（设备每相输入电流

机构所在地：天津市 更多相关信息>>

深圳康来士标准测试技术有限公司

检测项：电压波动和闪烁 检测样品：低压电器设备及电子设备 标准：电磁兼容限值对每相额定电流≤16A且无条件接入的设备在公用低压供电系统中产生的电压变化、电压波动和闪烁的限制 GB17625.2-2007 EN 61000-3-3:2008 IEC61000-3-3:2013

检测项：电压波动和闪烁 检测样品：工业环境中的产品 标准：电磁兼容限值对每相额定电流≤16A且无条件接入的设备在公用低压供电系统中产生的电压变化、电压波动和闪烁的限制 GB17625.2-2007 EN 61000-3-3:2008 IEC61000-3-3:2013

检测项：电压波动和闪烁 检测样品：无线电通讯设备（无线短距离设备） 标准：电磁兼容限值对每相额定电流≤16A且无条件接入的设备在公用低压供电系统中产生的电压变化、电压波动和闪烁的限制 GB17625.2-2007 EN 61000-3-3:2008 IEC61000-3-3:2013

机构所在地：广东省深圳市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团第七0九研究所微电子测试校准实验室

检测项：输出低电流 检测样品：集成电路 标准：半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理SJ/T10735-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 半导体集成电路双极型随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10740-1996 半导体集成电路CM

检测项：输出高电流 检测样品：集成电路 标准：半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理SJ/T10735-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 半导体集成电路双极型随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10740-1996 半导体集成电路CM

检测项：低三态输出电流 检测样品：集成电路 标准：半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理SJ/T10735-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 半导体集成电路双极型随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10740-1996 半导体集成电路CM

机构所在地：湖北省武汉市 更多相关信息>>

联想移动通信科技有限公司实验室

检测项：充电器要求 检测样品：移动通信手持机充电器 标准：移动通信手持机充电器及接口技术要求和试验方法 YD/T1591-2009

检测项：输出短路保护 检测样品： 标准：

机构所在地：福建省厦门市 更多相关信息>>

北京雷电防护装置测试中心

检测项：二端口和输入/输出端子分开的一端口的SPD试验 检测样品：低压电涌保护器（SPD） 标准：低压浪涌保护装置 第11部分:接到低压配电系统的浪涌保护装置 要求和试验方法 EN 61643-11:2002+A11:2007低压浪涌保护装置 第11部分:接到低压配电系统的浪涌保护装置 要求和试验方法IEC 61643-11：2011

检测项：电压保护等级Ug 检测样品：信号网络浪涌保护器（SPD） 标准：信号网络浪涌保护器（SPD）技术要求和测试方法 YD/T 1542-2006

检测项：等级限制电压试验 检测样品：通信局（站）低压配电系统用电涌保护器 标准：通信局（站）低压配电系统用电涌保护器测试方法YD/T1235.2－2002

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

南阳防爆集团股份有限公司试验中心

检测项：空载电流和损耗测定 检测样品：核电机 标准：GB755-2008 《旋转电机 定额和性能》 GB/T1032-2005 《三相异步电动机试验方法》 GB/T4772.2-1999 《旋转电机尺寸和输出功率等级 第二部分：机座号355-1000和凸缘号1180-2360》 GB/T12351-20

检测项：堵转电流和损耗测定 检测样品：核电机 标准：GB755-2008 《旋转电机 定额和性能》 GB/T1032-2005 《三相异步电动机试验方法》 GB/T4772.2-1999 《旋转电机尺寸和输出功率等级 第二部分：机座号355-1000和凸缘号1180-2360》 GB/T12351-20

检测项：空载电流和损耗测定 检测样品：核电机 标准：GB755-2008 《旋转电机 定额和性能》 GB/T1032-2012 《三相异步电动机试验方法》 GB/T4772.2-1999 《旋转电机尺寸和输出功率等级 第二部分：机座号355-1000和凸缘号1180-2360》 GB/T12351-20

机构所在地：河南省南阳市 更多相关信息>>

北京赛迪君信电子产品检测实验室有限公司

检测项：输出短路电流IOS 检测样品：半导体集成电路（数字集成电路） 标准：1.SJ/T 10741-2000 半导体集成电路 CMOS电路测试方法的基本原理 2.GB/T 17574-1998半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路 第IV篇 3.GB/T 16464-1996半导体器件 集成电路 第

检测项：反向截止电流ICEO 检测样品：晶闸管 标准：GB∕T 15291-1994半导体器件 第6部分：晶闸管

检测项：反向漏电流Ir 检测样品：晶闸管 标准：GB∕T 15291-1994半导体器件 第6部分：晶闸管

机构所在地：北京市 更多相关信息>>