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检测项：非易失性存储器写入寿命 检测样品：智能电能表软件 标准：Q/GDW11680-2017 智能电能表软件可靠性技术规范
检测机构：国家电子电器产品检测中心 更多相关信息>>
检测项：输出高电平电压VOH 检测样品：存储器 标准：《半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理》SJ/T 10739-1996
机构所在地：贵州省贵阳市 更多相关信息>>
检测项：采样-保持失调电压VOS 检测样品：半导体集成电路MOS随机存储器 标准：SJ/T10739-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理
检测项：输出高电平电压VOH 检测样品：半导体集成电路MOS随机存储器 标准：SJ/T10739-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理
检测项：输出低电平电压VOL 检测样品：半导体集成电路MOS随机存储器 标准：SJ/T10739-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理
机构所在地：上海市 更多相关信息>>
检测项：静态参数 检测样品：MOS随机存储器 标准：半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T 10739-1996
检测项：动态参数 检测样品：MOS随机存储器 标准：半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T 10739-1996
检测项：静态参数 检测样品：双极性随机存储器 标准：半导体集成电路双极型随机存储器器测试方法的基本原理 SJ/T 10740-1996
机构所在地：湖北省孝感市 更多相关信息>>
检测项：功能及部分电参数测试 检测样品：集成电路： (TTL、CMOS、A/D、D/A、存储器、接口、运放、比较器、集成稳压器、电压基准等) 标准：微电子器件试验方法和程序GJB548A-96 中4.5节及产品手册要求
机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>
检测项：功能测试棋盘格 检测样品：半导体集成电路MOS随机存储器 标准：GB/T 17574－1998《半导体集成电路 第 2 部分 数字集成电路》
检测项：功能测试步进 检测样品：半导体集成电路MOS随机存储器 标准：GB/T 17574－1998《半导体集成电路 第 2 部分 数字集成电路》
检测项：导通电阻路差ΔRON 检测样品：半导体集成电路MOS随机存储器 标准：GB/T 17574－1998《半导体集成电路 第 2 部分 数字集成电路》
机构所在地：北京市 更多相关信息>>
检测项：存储器 检测样品：集成电路（IC）卡读写机 标准：集成电路（IC）卡读写机通用规范 GB/T 18239-2000
机构所在地：湖北省武汉市 更多相关信息>>
检测项：交流参数 检测样品：数字电路 标准：半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T10741-2000 半导体集成电路TTL测试方法的基本原理 SJ/T10735-1996 半导体集成电路双极性随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10740-1996 半导体集成电路
检测项：直流参数 检测样品：数字电路 标准：半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T10741-2000 半导体集成电路TTL测试方法的基本原理 SJ/T10735-1996 半导体集成电路双极性随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10740-1996 半导体集成电路
检测项：输入高电平 检测样品：集成电路 标准：半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理SJ/T10735-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 半导体集成电路双极型随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10740-1996 半导体集成电路CM
检测项：输入箝位电压 检测样品：集成电路 标准：半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理SJ/T10735-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 半导体集成电路双极型随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10740-1996 半导体集成电路CM
