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激光治疗设备产品描述:通常由激光器、冷却装置、传输装置、目标指示装置、控制装置和防护装置等部分组成。利用强激光与人体组织的相互作用机理,达到治疗的目的。 激光治疗设备预期用途:用于减少人体毛发、去除文身、减轻皱纹(如点阵激光),用于良性色素增加性皮肤病及皮肤血管性疾病的治疗。 激光治疗设备品名举例:准分子激光皮肤治疗机、红宝石激光治疗仪、半导体激光治疗仪、半导体激光脱...查看详情>>
收起百科↑ 最近更新:2023年03月23日
检测项:固体中γ放射性核素 检测样品:水 标准:用半导体γ谱仪分析低比活度γ放射性样品的标准方法 GB/T 11713-1989
检测项:水中铀 检测样品:空气 标准:水中微量铀分析方法GB/T 6768–1986
机构所在地:上海市 更多相关信息>>
检测项:外部目检 检测样品:塑封半导体集成电路 标准:军用装备实验室环境试验方法 第23部分:倾斜和摇摆试验 GJB150.23A-2009
检测项:外部目检 检测样品:塑封半导体集成电路 标准:军用设备环境试验方法 倾斜和摇摆试验 GJB 150.23-1991
检测项:X射线检查 检测样品:密封半导体集成电路 标准:军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027-2006
机构所在地:北京市 更多相关信息>>
检测项:沉降物γ核素 检测样品:电离辐射 标准:《用半导体γ谱仪分析低比活度γ放射性样品的标准方法》GB 11713-1989
检测项:固体中γ核素 检测样品:电离辐射 标准:《用半导体γ谱仪分析低比活度γ放射性样品的标准方法》GB 11713-1989
检测项:水中U 检测样品:电离辐射 标准:《水中微量铀分析方法》GB6768-1986
检测项:液体中γ放射性核素比活度 检测样品:环境介质 标准:用半导体γ谱仪分析低比活度γ放射性样品的标准方法 GB/T 11713-1989
检测项:固体中γ放射性核素比活度 检测样品:环境介质 标准:用半导体γ谱仪分析低比活度γ放射性样品的标准方法 GB/T 11713-1989
检测项:固体中α放射性核素比活度 检测样品:环境介质 标准:用半导体γ谱仪分析低比活度γ放射性样品的标准方法 GB/T 11713-1989
检测项:输入失调电流 检测样品:电压比较器 标准:SJ/T10805-2000半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理
检测项:输入偏置电流 检测样品:电压比较器 标准:SJ/T10805-2000半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理
检测项:开环电压增益 检测样品:电压比较器 标准:SJ/T10805-2000半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理
机构所在地:江苏省南京市 更多相关信息>>
检测项:温度冲击试验 检测样品:军用及民用机械、电子类产品 标准:半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法1051
检测项:输入钳位电压 检测样品:TTL集成电路 标准:半导体集成电路TTL电路 测试方法的基本原理 SJ/T10735-1996
检测项:输出低电平电压 检测样品:CMOS集成电路 标准:半导体集成电路CMOS电路 测试方法的基本原理 SJ/T10741-2000
机构所在地:重庆市 更多相关信息>>
检测项:输入失调电压 检测样品:集成运放 电路 标准:半导体器件集成电路;第3部分:模拟集成电路 GB/T17940-2000
检测项:输入失调电流 检测样品:数字集成 电路 标准:半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/10741-2000
检测项:开环电压增益 检测样品:数字集成 电路 标准:半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/10741-2000
机构所在地:甘肃省兰州市 更多相关信息>>
检测项:晶向偏离度 检测样品: 标准:《半导体单晶晶向测定方法》GB/T 1555-2009
机构所在地:浙江省衢州市 更多相关信息>>
检测项:湿热试验 检测样品:电子元器件 标准:半导体分立元器件试验方法 GJB 128A-1997 方法 2016
检测项:低气压 检测样品:电子元器件 标准:半导体分立元器件试验方法 GJB128A-1997 方法 1021
机构所在地:四川省成都市 更多相关信息>>
检测项:半导体继电器和开关-结构 检测样品:工业控制设备 标准:工业控制设备 UL 508:1999 (Ed. 17)
检测项:半导体继电器和开关-额定值 检测样品:工业控制设备 标准:工业控制设备 UL 508:1999 (Ed. 17)
检测项:半导体继电器和开关-标识 检测样品:工业控制设备 标准:工业控制设备 UL 508:1999 (Ed. 17)
机构所在地:浙江省杭州市 更多相关信息>>