多晶硅（polycrystalline silicon）有灰色金属光泽，密度2.32~2.34g/cm3。熔点1410℃。沸点2355℃。溶于氢氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和盐酸。硬度介于锗和石英之间，室温下质脆，切割时易碎裂。加热至800℃以上即有延性，1300℃时显出明显变形。常温下不活泼，高温下与氧、氮、硫等反应。高温熔融状态下，具有较大的化学活泼性，能与几乎任何材料作用。具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料，但微量的杂质即可大大影响其导电性。电子工业中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等的基础材料。由干燥硅粉与干燥氯化氢气体在一定条件下氯化，再经冷凝、精馏、还原而得。

与冶金级硅材料相比，用于太阳能行业的多晶硅具有显着更高的纯度，通常为99.999％或以上的纯度。残留物是杂质，如C，O和微量元素，如Fe，Cu，Ni等。痕量污染物的数量取决于制造商、过程以及有时生产批次。

虽然少于0.001％或10ppm，但多晶硅中痕量污染物的量和组成对光伏器件具有深远影响。与半导体行业类似，金属污染控制是提高器件产量和可靠性的关键过程之一，减少太阳能光伏电池中的金属污染使电池效率更高和更长的设备寿命。

多晶硅微量元素测试方法

多晶硅的痕量金属分析包括将多晶硅基质溶解在混合酸中，然后消化以除去硅基质。然后通过电感耦合等离子体质谱（ICP-MS）分析制备的溶液。重新计算结果以获得固体多晶硅样品中的痕量金属浓度。

对于多晶硅块体中的痕量元素，方法检测限为每克硅（0.01 g / g-g-Si或ppbw）0.01至0.1纳克，用于高纯度硅测试。检测限在0.2 ppbw范围内的方法作为较低成本的替代方案提供。

根据超过30个单独试验，30种元素的平均加标回收率在82％到106％之间。

我们还根据ASTM F1724-96 / SEMI MF1724-1104方法提供了多晶硅样品表面痕量金属的测试。在该方法中，使用电感耦合等离子体质谱（ICP-MS）和/或电感耦合等离子体原子发射光谱（ICP-AES）来确定溶液中元素的浓度而不是石墨炉原子吸收光谱法（GF-AAS）。提取条件如酸浓度，提取时间，提取温度可以变化以满足客户的目标。对于表面痕量元素分析，可以实现与批量分析相同的方法检测限。

多晶硅检测标准汇总