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嘉峪检测网 2018-02-09 16:23
多晶硅(polycrystalline silicon)有灰色金属光泽,密度2.32~2.34g/cm3。熔点1410℃。沸点2355℃。溶于氢氟酸和硝酸的混酸中,不溶于水、硝酸和盐酸。硬度介于锗和石英之间,室温下质脆,切割时易碎裂。加热至800℃以上即有延性,1300℃时显出明显变形。常温下不活泼,高温下与氧、氮、硫等反应。高温熔融状态下,具有较大的化学活泼性,能与几乎任何材料作用。具有半导体性质,是极为重要的优良半导体材料,但微量的杂质即可大大影响其导电性。电子工业中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等的基础材料。由干燥硅粉与干燥氯化氢气体在一定条件下氯化,再经冷凝、精馏、还原而得。
标准编号 | 标准名称 | 实施日期 |
GB/T 35309-2017 | 用区熔法和光谱分析法评价颗粒状多晶硅的规程 | 2018/7/1 |
GB/T 25074-2017 | 太阳能级多晶硅 | 2018/5/1 |
GB/T 33236-2016 | 多晶硅 痕量元素化学分析 辉光放电质谱法 | 2017/11/1 |
GB/T 32652-2016 | 多晶硅铸锭石英坩埚用熔融石英料 | 2016/11/1 |
GB/T 12963-2014 | 电子级多晶硅 | 2015/9/1 |
GB 29447-2012 | 多晶硅企业单位产品能源消耗限额 | 2013/10/1 |
GB/T 29057-2012 | 用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程 | 2013/10/1 |
GB/T 29054-2012 | 太阳能级铸造多晶硅块 | 2013/10/1 |
GB/T 29055-2012 | 太阳电池用多晶硅片 | 2013/10/1 |
GB/T 25074-2010 | 太阳能级多晶硅 | 2011/4/1 |
GB/T 24579-2009 | 酸浸取 原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物 | 2010/6/1 |
GB/T 24582-2009 | 酸浸取 电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质 | 2010/6/1 |
JC/T 2349-2015 | 多晶硅生产用氮化硅陶瓷绝缘体 | 2016/1/1 |
JC/T 2067-2011 | 太阳能多晶硅用熔融石英陶瓷坩埚 | 2012/7/1 |
YS/T 1195-2017 | 多晶硅副产品 四氯化硅 | 2018/1/1 |
YS/T 724-2016 | 多晶硅用硅粉 | 2017/1/1 |
YS/T 1061-2015 | 改良西门子法多晶硅用硅芯 | 2015/10/1 |
YS/T 983-2014 | 多晶硅还原炉和氢化炉尾气成分的测定方法 | 2015/4/1 |
DB53/T 747-2016 | 多晶硅生产回收氢气中氯化氢含量的测定 气相色谱法 | 2016/6/1 |
DB53/T 618-2014 | 气相色谱法测定多晶硅生产中氢化尾气 组分含量 | 2014/12/1 |
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来源:嘉峪检测网