晶体三极管中基极--发射极饱和电压VBES的检测

检测项：基极--发射极饱和电压VBES 检测样品：晶体三极管 标准：《半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管》 GB/T4587-1995

检测机构：国家机械电子产品环境与可靠性质量监督检验中心 更多相关信息>>

缝制帽中使用说明的检测

检测项：使用说明 检测样品：缝制帽 标准：FZ/T 82002-2006

检测机构：深圳市英柏检测技术有限公司 更多相关信息>>

软电缆中绝缘老化前拉力试验的检测

检测项：绝缘老化前拉力试验 检测样品：软电缆 标准：GB/T 2951.11-2008

检测机构： 更多相关信息>>

涂覆涂料前钢材表面中清洁度的检测

检测项：清洁度 检测样品：涂覆涂料前钢材表面 标准：《涂覆涂料前钢材表面处理 表面清洁度的评定试验 第3部分：涂覆涂料前钢材表面的灰尘评定（压敏粘带法）》GB/T 18570.3-2005

检测机构：国家石油石化产品检测中心 更多相关信息>>

半导体集成电路中内部目检的检测

检测项：内部目检 检测样品：半导体集成电路 标准：合格制造厂认证用半导体集成电路通用规范GJB7400-2011

检测机构：中国航天科技集团公司检测中心 更多相关信息>>

家用电器及类似用途器具中内部布线的检测

检测项：内部布线 检测样品：家用电器及类似用途器具 标准：GB4706.1-2005 家用和类似用途电器的安全 第1部分:通用要求

检测机构：国家食品质量监督检验中心 更多相关信息>>

贵州航天计量测试技术研究所

检测项：晶体管内部目检（封帽前） 检测样品：半导体分立器件 标准：《半导体分立器件试验方法》GJB128A-1997

检测项：开帽内部设计目检 检测样品：微电子器件 标准：《微电子器件试验方法和程序》GJB548B-2005

检测项：内部目检（半导体二极管） 检测样品：半导体分立器件 标准：《半导体分立器件试验方法》GJB128A-1997

机构所在地：贵州省贵阳市 更多相关信息>>

上海精密计量测试研究所

检测项：晶体管内部目检（封帽前） 检测样品：微电子器件 标准：GJB548B-2005 微电子器件试验方法和程序 GJB548A-1996 微电子器件试验方法和程序

检测项：晶体管内部目检（封帽前） 检测样品：微电子器件 标准：GJB548B-2005 微电子器件试验方法和程序 GJB548A-1996 微电子器件试验方法和程序

检测项：封帽前目检(功率金属氧化物半导体场效应晶体管) 检测样品：半导体分立器件 标准：GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

中国工程物理研究院计量测试中心

检测项：内部目检 检测样品： 标准：

检测项：外部目检 检测样品：表面安装和外引线同向引出晶体管、二极管 标准：GJB 4027A-2006 《军用电子元器件破坏性物理分析方法 》

检测项：内部目检 检测样品：石英晶体元件 标准：GJB 4027A-2006 《军用电子元器件破坏性物理分析方法 》

机构所在地：四川省绵阳市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十三研究所检测中心

检测项：内部目检 检测样品：军用电子元器件破坏性物理分析 标准：1、GJB 4027A-2006 军用电子元器件破坏性物理分析方法 2、GJB 5914-2006 各种质量等级军用半导体器件破坏性物理分析方法 3、GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法 4、GJB 360A-1996 电子及

检测项：内部目检 检测样品：军用电子元器件破坏性物理分析 标准：1、GJB 4027A-2006 军用电子元器件破坏性物理分析方法 2、GJB 5914-2006 各种质量等级军用半导体器件破坏性物理分析方法 3、GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法 4、GJB 360A-1996 电子及

检测项：内部目检 检测样品：电子元器件及设备 物理性能试验 标准：1、GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法 2、GJB 548A-1996 微电子器件试验方法和程序 3、GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序 4

机构所在地：河北省石家庄市 更多相关信息>>