栅-源阈值电压VGS(th) 检测实验

防散射滤线栅

简介

防散射滤线栅

简介

防散射滤线栅产品描述：通常由铅条、介质等组成。放置于影像接收面之前，以减少辐射到影像接收面上的散射辐射，从而改善X射线影像对比度的一种装置。

防散射滤线栅预期用途：配合X射线机使用，用于增加X射线影像的对比度。

防散射滤线栅品名举例：防散射滤线栅、乳腺防散射滤线栅

防散射滤线栅管理类别：Ⅱ

防散射滤线栅相关指导原则：
1、含儿科应用的医用诊断X射线设备注册审查指导原则
2、医用诊断X射线管组件注册技术审查指导原则

防散射滤线栅相关标准：
1 . GB 9706.1-2007 医用电气设备第1部分：安全通用要求
2 . GB 9706.11-1997 医用电气设备第2部分：医用诊断X射线源组件和X射线管组件安全专用要求
3 . GB 9706.12-1997 医用电气设备第1部分：安全通用要求并列标准：诊断X射线设备辐射防护通用要求
4 . GB/T 10151—2008 医用X射线设备高压电缆插头、插座技术条件
5 . YY/T 0291-2016 医用X射线设备环境要求及试验方法
6 . YY/T 0609-2018 医用诊断X射线管组件通用技术条件

防散射滤线栅相关检测项目：
1 . 物理特性的测量与确定《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》
2 . 测量方法和布置《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》
3 . 物理特性《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》
4 . 对防散射滤线栅的要求《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》
5 . 制造误差《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》
6 . 应用极限的确定《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》
7 . 特性的准确度《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》
8 . 标记与随附文件《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》
9 . 符合性声明《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》

收起百科↑ 最近更新：2023年03月14日

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中国空空导弹研究院元器件检测中心

检测项：栅--源击穿电压BVGS 检测样品：场效应管标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管

检测项：输入正向阈值电压VIT+ 检测样品：数字集成电路标准：GB/T 17574-1998半导体器件集成电路第2部分数字集成电路

检测项：输入负向阈值电压VIT 检测样品：数字集成电路标准：GB/T 17574-1998半导体器件集成电路第2部分数字集成电路

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东莞德源塑胶制品有限公司检测中心

检测项：机械和物理性能检测样品：玩具及儿童用品标准：国际标准-玩具安全第1部分物理和机械性能 ISO8124-1:2012(E) 条款： 4.4 小物件;

检测项：机械和物理性能检测样品：玩具及儿童用品标准：美国消费品安全标准 - 玩具安全 ASTM F963-11 条款： 4

检测项：特定元素的迁移(Sb,As,Ba, Cd, Cr,Pb,Hg, Se) 检测样品：玩具及儿童用品标准：国家玩具安全技术规范GB6675-2003 +AMD.1:2005 条款4.3, 附录C

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北京尊冠科技有限公司

检测项：栅－源电压为零时的漏极电流（IDSS）检测样品：场效应晶体管标准：GB/T 4586－94《半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管》

检测项：规定栅－源电压时的漏极电流（ID）检测样品：场效应晶体管标准：GB/T 4586－94《半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管》

检测项：1042 老炼和寿命试验（功率场效应晶体管或绝缘栅双极晶体管）检测样品：半导体器件标准：GJB128A-97 《半导体分立器件试验方法》

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北京青云航空仪表有限公司理化计量中心

检测项：栅-源截止电压检测样品：晶体管标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-1997 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T4586-1994

检测项：输入正向阈值电压VIT+ 检测样品：半导体集成电路 (CMOS) 标准：半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理SJ/T10741-2000

检测项：输入负向阈值电压VIT- 检测样品：半导体集成电路 (CMOS) 标准：半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理SJ/T10741-2000

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天津市市政工程质量检测中心

检测项：部分参数检测样品：焊接网隔离栅标准：《隔离栅第1部分：通则》GB/T 26941.1-2011 《隔离栅第3部分：焊接网》GB/T 26941.3-2011

检测项：部分参数检测样品：刺钢丝网隔离栅标准：《隔离栅第1部分：通则》GB/T 26941.1-2011 《隔离栅第4部分：刺钢丝网》GB/T 26941.4-2011

检测项：部分参数检测样品：编织网隔离栅标准：《隔离栅第1部分：通则》GB/T 26941.1-2011 《隔离栅第5部分：编织网》GB/T 26941.5-2011

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黑龙江省计量检定测试院

检测项：部分项目检测样品：磁栅线位移测量系统标准：《磁栅线位移测量系统》JB/T 10037-2012

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中国电子科技集团公司第二十四研究所质检中心

检测项：阈值电压检测样品：混合集成电路标准：膜集成电路和混合膜集成电路总规范 GB/T8976-1996

检测项：阈值电压检测样品：场效应管IGBT 标准：半导体分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994

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西安芯派电子科技有限公司测试应用中心

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国家机床质量监督检验中心

检测项：全项目检测样品：数显装置标准：光栅数字显示仪表 JB/T10080.1-2000 光栅线位移传感器 JB/T10080.2-2000 光栅角位移传感器 JB/T9942-1999 磁栅线位移传感器技术条件JB/T9943-1999 磁栅数显表技术条件 JB/T9944-1999

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