北京尊冠科技有限公司

检测项：漏－源通态电压（饱和电压）VDS(ON) 检测样品：场效应晶 体管 标准：GB/T 4586－94《半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管》

检测项：3407 漏-源击穿电压 检测样品：电子及电气元件 标准：GJB 360B－2009《电子及电气元件试验方法》

检测项：栅－源电压为零时的漏极电流（IDSS） 检测样品：场效应晶 体管 标准：GB/T 4586－94《半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管》

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

上海精密计量测试研究所

检测项：漏-源击穿电压V(BR)DSS 检测样品：半导体集成电路时基电路 标准：GB/T14030-1992 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理

检测项：漏-源击穿电压V(BR)DSS 检测样品：半导体集成电路时基电路 标准：GB/T14030-1992 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理

检测项：截止态漏极漏电流ID（off） 检测样品：电压基准 标准：SJ50597/57-2003 半导体集成电路JW584 /JW584A可编程电压基准详细规范 SJ50597/54-2002 半导体集成电路JW431精密可调电压基准源详细规范

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

西南技术物理研究所检测校准中心实验室

检测项：漏源击穿电压 检测样品：晶闸管 标准：半导体器件 第6部分晶闸管 GB/T 15291-1994

检测项：截止态漏极漏电流 检测样品：电压比较器 标准：半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 GB/T 6798-1996

检测项：漏源通态电流 检测样品：晶闸管 标准：半导体器件 第6部分晶闸管 GB/T 15291-1994

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

西南计算机有限责任公司检测计量与软件测评中心

检测项：漏-源通态电压 检测样品：晶闸管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407

检测项：漏－源击穿 电压 检测样品：晶闸管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407

检测项：漏-源通态电流 检测样品：晶闸管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407

机构所在地：重庆市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十研究所天奥校准/检测实验室

检测项：漏－源击穿电压 检测样品：晶闸管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407

检测项：静态漏-源通态电压 检测样品：场效应 晶体管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407

检测项：漏－源击穿电压 检测样品：场效应 晶体管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

贵州航天计量测试技术研究所

检测项：漏源击穿电压V（BR）DSS 检测样品：晶体振荡器 标准：《晶体振荡器总规范》GJB 1648-1993

检测项：截止态漏极漏电流ID 检测样品：V/F、F/V转换器 标准：《半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器》 GB/T 14114-1993

检测项：漏源极截止电流IDSS 检测样品：晶体振荡器 标准：《晶体振荡器总规范》GJB 1648-1993

机构所在地：贵州省贵阳市 更多相关信息>>

湖北航天技术研究院计量测试技术研究所

检测项：漏源击穿电压 V（BR）DSS 检测样品：场效应晶体管 标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

检测项：漏源极截止电流IDSS 检测样品：场效应晶体管 标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

检测项：静态漏-源通态电阻RDS 检测样品：场效应晶体管 标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

机构所在地：湖北省孝感市 更多相关信息>>

宜昌测试技术研究所（中国船舶重工集团公司第七一0研究所）环境可靠性及电磁兼容检测实验室

检测项：漏-源击穿电压 检测样品：半导体集成电路TTL电路 标准：GJB128A-1997半导体分立器件试验方法 方法3407

检测项：漏-源通态电压 检测样品：半导体集成电路TTL电路 标准：GJB128A-1997半导体分立器件试验方法 方法3407

检测项：漏-源通态电阻 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管

机构所在地：湖北省宜昌市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第723研究所电工电子设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：漏源通态电压 检测样品：场效应管 标准：《半导体器件 分立器件第8部分：场效应晶体管》GB/T4586-1994

检测项：漏源击穿电压 检测样品：场效应管 标准：《半导体器件 分立器件第8部分：场效应晶体管》GB/T4586-1994

检测项：栅源阈值电压 检测样品：场效应管 标准：《半导体器件 分立器件第8部分：场效应晶体管》GB/T4586-1994

机构所在地：江苏省扬州市 更多相关信息>>

北京青云航空仪表有限公司理化计量中心

检测项：漏-源击穿电压 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-1997 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T4586-1994

检测项：栅-源截止电压 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-1997 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T4586-1994

检测项：漏极电流 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-1997 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T4586-1994

机构所在地：北京市 更多相关信息>>