信息技术设备中电压波动和闪烁的检测

检测项：电压波动和闪烁 检测样品：信息技术设备 标准：GB17625.2-2007 电磁兼容 限值 对每相额定电流≤16A且无条件接入的设备在公用低压供电系统中产生的电压变化、电压波动和闪烁的限制

检测机构：国家食品质量监督检验中心 更多相关信息>>

北京尊冠科技有限公司

检测项：通态电压（VT） 检测样品：晶闸管 标准：GB/T15291－94《半导体器件 第6部分 晶闸管》

检测项：漏－源通态电压（饱和电压）VDS(ON) 检测样品：场效应晶 体管 标准：GB/T 4586－94《半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管》

检测项：漏－源通态电阻rDS(ON) 检测样品：光电耦合器 标准：GB/T 15651.2－2003《半导体器件分立器件和集成电路 第5-2部分：光电子器件基本额定值和特性》

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

北京赛迪君信电子产品检测实验室有限公司

检测项：通态直流电压Vt 检测样品：半导体集成电路（运算放大器） 标准：1.SJ/T10738-1996半导体集成电路 运算（电压）放大器测试方法的基本原理 2.GB/T 4589.1-2006半导体器件 第10部分：分立器件和集成电路总规范 3.GB/T 16464-1996半导体器件

检测项：漏源通态电压VDSon 检测样品：光耦合器 标准：1.GB/T15651.3-2003半导体分立器件和集成电路第5-3部分：光电子器件测试方法 2.GB12565-1990半导体器件光电子器件分规范

检测项：漏源通态电阻RDSon 检测样品：光耦合器 标准：1.GB/T15651.3-2003半导体分立器件和集成电路第5-3部分：光电子器件测试方法 2.GB12565-1990半导体器件光电子器件分规范

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

上海精密计量测试研究所

检测项：阈值电压VT 检测样品：半导体集成电路运算放大器 标准：SJ/T10738-1996 半导体集成电路运算（电压）放大器测试方法的基本原理

检测项：阈值电压VT 检测样品：半导体集成电路运算放大器 标准：QJ 2491-93 半导体集成电路运算放大器测试方法

检测项：导通态漏电流 IDS（on） 检测样品：电压基准 标准：SJ50597/57-2003 半导体集成电路JW584 /JW584A可编程电压基准详细规范 SJ50597/54-2002 半导体集成电路JW431精密可调电压基准源详细规范

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

贵州航天计量测试技术研究所

检测项：导通态漏电流IDS 检测样品：V/F、F/V转换器 标准：《半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器》 GB/T 14114-1993

检测项：截止态漏极漏电流ID 检测样品：V/F、F/V转换器 标准：《半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器》 GB/T 14114-1993

检测项：截止态源极漏电流IS 检测样品：V/F、F/V转换器 标准：《半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器》 GB/T 14114-1993

机构所在地：贵州省贵阳市 更多相关信息>>

西南技术物理研究所检测校准中心实验室

检测项：导通态漏电流 检测样品：电压比较器 标准：半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 GB/T 6798-1996

检测项：通态电压 检测样品：三端稳压电源（电压调整器） 标准：半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理 GB/T 4377-1996

检测项：截止态漏极漏电流 检测样品：电压比较器 标准：半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 GB/T 6798-1996

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第二十四研究所质检中心

检测项：导通态漏电流 检测样品：半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器 标准：半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器测试方法的基本原理　GB/T14114-1993

检测项：截止态馈通频率 检测样品：半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器 标准：半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器测试方法的基本原理　GB/T14114-1993

检测项：导通态串扰衰减 检测样品：半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器 标准：半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器测试方法的基本原理　GB/T14114-1993

机构所在地：重庆市 更多相关信息>>

中国航空综合技术研究所航空综合环境航空科技重点实验室

检测项：阀值电压VT 检测样品：晶体三极管 标准：GB/T14029-1992 《半导体集成电路模拟乘法器测试方法的基本原理》

检测项：滞后电压ΔVT 检测样品：模拟集成电路 标准：GB/T6798-1996《半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理》 GB3442-1986 《半导体集成电路运算（电压）放大器测试方法的基本原理》

检测项：导通态漏电流 IDS（on ） 检测样品：模拟集成电路 标准：GB/T 14030-1992 《半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理》

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

北京振兴计量测试研究所

检测项：同步阈值电压VT(S) 检测样品：脉宽调制器 标准：半导体集成电路开关电源脉宽调制器测试方法 QJ2660-1994

检测项：输入阈值电平电压VT(I) 检测样品：DC/DC电源模块 标准：混合集成电路DC/DC变换器测试方法 SJ 20646-1997

检测项：导通态漏电流IDS(on) 检测样品：脉宽调制器 标准：半导体集成电路开关电源脉宽调制器测试方法 QJ2660-1994

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十三研究所检测中心

检测项：通态峰值电压VTM 检测样品：闸流晶体管 标准：GB/T 15291-1994 半导体器件 第6部分：晶闸管

检测项：通态峰值电压VTM 检测样品：闸流晶体管 标准：GB/T 15291-1994 半导体器件 第6部分：晶闸管

检测项：漏-源通态电阻RDSon 检测样品：场效应晶体管 标准：1、GB/T 4586-1994 半导体器件第8部分：场效应晶体管 2、GB/T 20516-2006 半导体器件 分立器件 第4部分：微波器件

机构所在地：河北省石家庄市 更多相关信息>>