上海华岭集成电路技术股份有限公司检测中心

检测项：截止态漏极漏电流 检测样品：集成电路A/D和D/A转换器 标准：集成电路A/D和D/A转换器测试方法的基本原理　 SJ 20961-2006

检测项：A/D零点误差温度系数 检测样品：集成电路A/D和D/A转换器 标准：集成电路A/D和D/A转换器测试方法的基本原理　 SJ 20961-2006

检测项：A/D零点误差温度系数 检测样品：CMOS集成电路 标准：集成电路A/D和D/A转换器测试方法的基本原理　 SJ20961-2006

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

上海航天精密机械研究所试验与检测中心

检测项：泄漏检测 检测样品：金属材料、非金属材料、复合材料及其构件 标准：氦质谱正压检漏方法 QJ 3089-1999

检测项：脱碳层 检测样品：金属材料,合金及制品 标准：钢的脱碳层深度测定法 GB/T 224-2008

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

宁夏回族自治区疾病预防控制中心

检测项：X线机管头组装体漏射线测定 检测样品：放射卫生防护 标准：《医用X射线诊断卫生防护标准》GBZ130-2002 《医用X 射线诊断卫生防护监测规范》GBZ138-2002

检测项：X线机管头组装体漏射线测定 检测样品：放射诊疗工作场所防护 标准：医用X射线诊断卫生防护标准 GBZ130-2002 医用X 射线诊断卫生防护监测规范 GBZ138-2002

检测项：嗜碱性点彩红细胞染色 检测样品：农药化学品 标准：《全国临床检验操作规程》第3版第二篇第一章第4节

机构所在地：宁夏回族自治区银川市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十四研究所检测/试验中心

检测项：反向漏过电流 检测样品：开关二极管 标准：GB/T6571-1995第3部分信号（包括开关）和调整二极管

检测项：反向漏过电流 检测样品：稳压二极管 标准：GB/T6571-1995半导体器件分立器件 第3部分信号（包括开关）和调整二极管

检测项：反向漏过电流 检测样品：光电耦合器 标准：GB/T15651.3-2003半导体器件分立器件第5部分光电子器件

机构所在地：江苏省南京市 更多相关信息>>

上海市特种设备监督检验技术研究院

检测项：力学性能（拉伸弯曲冲击)、压扁试验、硫化物应力腐蚀、扭矩试验、未爆先漏试验、高温压力循环试验、水压试验、气密性试验、水压爆破试验、常温压力循环试验、火烧试验、枪击试验、环境试验 检测样品：站用压缩天然气钢瓶 标准：

检测项：力学性能（拉伸弯曲冲击)、压扁试验、硫化物应力腐蚀、扭矩试验、未爆先漏试验、高温压力循环试验、水压试验、气密性试验、水压爆破试验、常温压力循环试验、火烧试验、枪击试验、环境试验 检测样品：呼吸器用复合气瓶 标准：

检测项：力学性能（拉伸弯曲冲击)、压扁试验、硫化物应力腐蚀、扭矩试验、未爆先漏试验、高温压力循环试验、高温蠕变试验、水压试验、气密性试验、水压爆破试验、常温压力循环试验、火烧试验、枪击试验、环境试验、加速应力试验、裂纹容限试验 检测样品：汽车用压缩天然气钢瓶 标准：

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上海无线电设备研究所环境与检测实验室

检测项：密封试验 检测样品：元器件 筛选 标准：《微电子器件试验方法和程序》 GJB 548B-2005

检测项：密封试验 检测样品：元器件 筛选 标准：《微电子器件试验方法和程序》 GJB 548B-2005

检测项：密封试验 检测样品：电子、 电工产品 标准：《电工电子产品环境试验 第2部份：试验方法 试验A: 低温》 GB/T2423.1-2008

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

湖南航天管理局计量检测中心

检测项：漏极截止电流IDSS 检测样品：半导体集成电路运算放大器 标准：SJ/T10738-1996 半导体集成电路运算（电压） 放大器测试方法的基本原理

检测项：漏极截止电流IDSS 检测样品：半导体集成电路运算放大器 标准：SJ/T10738-1996 半导体集成电路运算（电压） 放大器测试方法的基本原理

机构所在地：湖南省长沙市 更多相关信息>>

北京迪捷姆空运技术开发有限公司运输危险性检查实验室

检测项：密封型电池－漏液试验 检测样品：磁性物质 标准：联合国《关于危险货物运输的建议书 规章范本》(第16版)ST/SG/ AC.10/1/Rev.16，3.3章的特殊规定238(b)

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

中航工业哈尔滨轴承有限公司实验室

检测项：密封性能试验 检测样品：商品滚动体 标准：滚动轴承 密封深沟球轴承防尘、漏脂、温升性能试验规程 JB/T8571-2008

检测项：轴向 游隙 检测样品：滚动轴承 标准：滚动轴承 四点接触球轴承轴向游隙 JB/T6643-2004

检测项：脱碳层深度 检测样品： 标准：钢的脱碳层深度测定法 GB/T224-2008

机构所在地：黑龙江省哈尔滨市 更多相关信息>>

西安芯派电子科技有限公司测试应用中心

检测项：漏极反向电流 检测样品：功率金属氧化物场效应管 标准：半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750E 2006 方法3415.1

检测项：漏极反向电流 检测样品：功率金属氧化物场效应管 标准：半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 方法3415.1

机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>