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检测项：集电极发射极饱和电压（VCEsat） 检测样品：电容器 标准：电子设备用固定电容器 第1部分：总规范 GB/T 2693-2001
检测项：集电极-发射极击穿电压（V(BR)CEO） 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T4587-94 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97
检测项：集电极-发射极截止电流（ICEO） 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T4587-94 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97
机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>
检测项：集电极-发射极截止电流 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T 4587-1994 半导体器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管
检测项：集电极-发射极饱和电压 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T 4587-1994 半导体器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管
检测项：发射极-基极截止电流 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T 4587-1994 半导体器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管
机构所在地：云南省昆明市 更多相关信息>>
检测项：集电极-发射极饱和电压 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T4587-1994半导体器件分立器件和集成电路第7部分双极型晶体管
检测项：集电极-发射极电流 检测样品：整流二极管 标准：GB/T6571-1995半导体器件分立器件和集成电路第2部分整流二极管
检测项：集电极-发射极饱和电压 检测样品：光电耦合器 标准：GB/T4587-1994半导体器件分立器件第7部分双极型晶体管
机构所在地：江苏省南京市 更多相关信息>>
检测项：集电极-发射极饱和电压VCEsat 检测样品：二极管 标准：《半导体器件 分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管》 GB/T 6571-1995
检测项：集电极-发射极截止电流ICEO 检测样品：二极管 标准：《半导体器件 分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管》 GB/T 6571-1995
检测项：集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO 检测样品：二极管 标准：《半导体器件 分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管》 GB/T 6571-1995
机构所在地：上海市 更多相关信息>>
检测项：集电极—发射极截止电流 检测样品：半导体 晶体三极管 标准：半导体分立器件和集成电路 第七部分第4章：双极型晶体管GB/T4587-1994
检测项：集电极—发射极饱和电压 检测样品：半导体 晶体三极管 标准：半导体分立器件和集成电路 第七部分第4章：双极型晶体管GB/T4587-1994
检测项：集电极-发射极饱和电压VCEsat 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T4587-1994半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管
检测项：集电极-发射极截止电流ICEO 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T4587-1994半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管
检测项：集电极-发射极饱和压降VCE(sat) 检测样品：光耦合器 标准：1.GB/T15651.3-2003半导体分立器件和集成电路第5-3部分：光电子器件测试方法 2.GB12565-1990半导体器件光电子器件分规范
机构所在地：北京市 更多相关信息>>
检测项：集电极-发射极截止电流 检测样品：场效应晶体管 标准：GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法 方法3011
检测项：集电极-发射极饱和电压 检测样品：场效应晶体管 标准：GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法 方法3011
检测项：集电极-发射极击穿电压 检测样品：场效应晶体管 标准：GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法 方法3011
机构所在地：湖北省宜昌市 更多相关信息>>
检测项：暗电流 检测样品：光电池 标准：JB/T 9478.6-1999光电池测量方法 暗电流
机构所在地：辽宁省沈阳市 更多相关信息>>
检测项：暗电流 检测样品：二极管 标准：半导体分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管 GB/T4023-1997
机构所在地：重庆市 更多相关信息>>
检测项：PD暗电流 检测样品：光纤连接器 标准：光纤活动连接器 第1部分：LC型 YD/T 1272.1-2003 MU型单模光纤活动连接器技术条件 YD/T 1200-2002 光纤活动连接器 第3部分：SC型 YD/T 1272.3-2005 单模光纤活动连接器 第4部分：FC型 YD/T 1272
机构所在地：广东省深圳市 更多相关信息>>
