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检测项：二端口和输入/输出端子分开的一端口的SPD试验 检测样品：低压电涌保护器（SPD） 标准：低压浪涌保护装置 第11部分:接到低压配电系统的浪涌保护装置 要求和试验方法 EN 61643-11:2002+A11:2007低压浪涌保护装置 第11部分:接到低压配电系统的浪涌保护装置 要求和试验方法IEC 61643-11：2011
机构所在地：北京市 更多相关信息>>
检测项：10kHz～40GHz天线谐波和乱真输出辐射发射（RE03/RE103） 检测样品：军用设备和分系统 标准：(1) GJB151-1986《军用设备和分系统电磁发射和敏感度要求》 (2) GJB152-1986《军用设备和分系统电磁发射和敏感度测量》 (3) GJB151A-1997《军用设备和分系统电磁发射和敏感度要求》 (4) GJB152A-1997《军用
机构所在地：上海市 更多相关信息>>
检测项：部分项目 检测样品：电力变压器、电源、电抗器和类似产品 标准：电力变压器、电源、电抗器和类似产品的安全 第一部分：通用要求和试验 GB 19212.1-2008 IEC 61558-1:2005
机构所在地：广东省惠州市 更多相关信息>>
检测项：输出特性 检测样品：1.0级以下交直流电流表、电压表 标准：《直接作用模拟指示电测量仪表及其附件第1部分：定义和通用要求》GB/T7676.1-1998 《直接作用模拟指示电测量仪表及其附件第2部分：电流表和电压表的特殊要求》 GB/T7676.2-1998 《直接作用模拟指示电测量仪表及其附件
机构所在地：浙江省宁波市 更多相关信息>>
检测项：部分项目 检测样品：声音和电视广播接收机及有关设备 标准：声音和电视广播接收机及有关设备无线电骚扰特性限值和测量方法：GB13837-2012，CISPR13:2009，EN 55013:2001+A1:2003+A2:2006，AS/NZS CISPR13:2012
机构所在地：广东省深圳市 更多相关信息>>
检测项：无负载输出电压 检测样品：灯的控制装置：钨丝灯用直流/交流电子低电压转换器 标准：IEC 61347-2-2:2000+A1+A2 EN 61347-2-2:2001+A1+A2 IEC 61347-2-2:2011 EN 61347-2-2:2012 GB 19510.3-2009 《灯的控制装置：第2-2部分:钨丝灯用直流或交
机构所在地：广东省东莞市 更多相关信息>>
检测项：功能 检测样品：智能电能表 标准：多费率电能表 特殊要求 GB/T 15284-2002 多功能电能表通信协议DL/T 645-2007 0.2S级智能电能表技术规范 Q/GDW 357-2009 0.5S级智能电能表技术规范 Q/GD
机构所在地：青海省西宁市 更多相关信息>>
检测项：部分项目 检测样品：管形荧光灯用交流电子镇流器 标准：灯的控制装置 第1部分 一般要求和安全要求 GB 19510.1-2009/IEC 61347-1:2007 灯的控制装置 第4部分 管形荧光灯用交流电子镇流器的特殊要求
机构所在地：福建省厦门市 更多相关信息>>
检测项：输出低电平 检测样品：集成电路 标准：半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理SJ/T10735-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 半导体集成电路双极型随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10740-1996 半导体集成电路CM
检测项：输出高电平 检测样品：集成电路 标准：半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理SJ/T10735-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 半导体集成电路双极型随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10740-1996 半导体集成电路CM
检测项：输出低电流 检测样品：集成电路 标准：半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理SJ/T10735-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 半导体集成电路双极型随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10740-1996 半导体集成电路CM
机构所在地：湖北省武汉市 更多相关信息>>
检测项：部分项目 检测样品：射频测试/应用于25MHz至3GHz频率范围的无线麦克风 标准：电磁兼容和无线电频谱事务(ERM); 应用于25MHz至3GHz频率范围的无线麦克风; 第一部分:技术参数和测试方法 EN 300 422-1V1.4.2 (2011-08) 第二部分: 欧盟统一基本要求涵盖欧洲无线电/电信终端设备指令第3.2 章节 ET
