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棘突植入物产品描述:通常由单个或多个部件组成。一般采用钛合金等材料制成。该产品可用于在腰椎棘突间施加一定的撑开力,限制腰椎过度后伸。 棘突植入物预期用途:用于维持腰椎活动节段棘突间的稳定。 棘突植入物品名举例:棘突间植入物 棘突植入物管理类别:Ⅲ 棘突植入物相关指导原则: 1、3D打印人工椎体注册技术审查指导原则 2、增材制...查看详情>>
收起百科↑ 最近更新:2023年04月03日
检测项:晶体管集电极-发射极击穿电压V(BR)CEX 检测样品:晶体管 标准:《半导体分立器件试验方法》 GJB 128A-1997
检测项:正向电压VF 检测样品:二极管 标准:《高稳定薄膜固定电阻器总规范》 GJB 1929-1994
检测项:正向电压VF 检测样品:二极管 标准:《片式膜固定电阻器通用规范》 GJB 1432B-2009
机构所在地:陕西省咸阳市 更多相关信息>>
检测项:**全部项目 检测样品:变压器 标准:GB/T 507-2002 IEC60156:1995 绝缘油 击穿电压测定法
检测项:*全部项目 检测样品:变压器 标准:绝缘油 击穿电压测定法 GB/T 507-2002 IEC60156:1995
检测项:*全部项目 检测样品:绝缘子、避雷器 标准:GB/T 20642-2006 IEC 61211:2004 高压线路绝缘子空气中冲击击穿试验
机构所在地:陕西省西安市 更多相关信息>>
检测项:集电极--基极击穿电压BVCBO 检测样品:场效应管 标准:GB/T4586-1994 《半导体器件分立器件 第8部分:场效应晶体管》
检测项:发射极--基极击穿电压BVEBO 检测样品:场效应管 标准:GB/T4586-1994 《半导体器件分立器件 第8部分:场效应晶体管》
检测项:集电极--发射极击穿电压BVCEO 检测样品:场效应管 标准:GB/T4586-1994 《半导体器件分立器件 第8部分:场效应晶体管》
机构所在地:北京市 更多相关信息>>
检测项:漏-源击穿电压 检测样品:晶闸管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407
检测项:反向击穿电压 检测样品:双极型 晶体管 标准:半导体器件 分立器件 第2部分:整流二极管GB/T4023-1997Ⅳ篇1.3
检测项:集电极-基极击穿电压 检测样品:场效应 晶体管 标准:半导体分立器件试验方法GJB128A-1997 方法3011
机构所在地:四川省成都市 更多相关信息>>
检测项:栅源击穿电压V(BR)GSS 检测样品:晶体振荡器 标准:《晶体振荡器总规范》GJB 1648-1993
检测项:漏源击穿电压V(BR)DSS 检测样品:晶体振荡器 标准:《晶体振荡器总规范》GJB 1648-1993
检测项:击穿电压V(BR) 检测样品:光电耦合器 标准:《半导体器件分立器件和集成电路第5部分:光电子器件》GB/T 15651-1995 《半导体分立器件试验方法》GJB 128A-1997
机构所在地:贵州省贵阳市 更多相关信息>>
检测项:反向击穿电压 检测样品:晶体管 标准:半导体器件分立器件 第8部分:场效应晶体管 GB/T4586-1994
检测项:集电极-发射极击穿电压 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 GB/T4587-1994
检测项:集电极-基极击穿电压 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 GB/T4587-1994
检测项:漏-源击穿电压V(BR)DSS 检测样品:半导体集成电路时基电路 标准:GB/T14030-1992 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理
检测项:发射极-基极击穿电压V(BR)EBO 检测样品:晶体管 标准:GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管
检测项:集电极-基极击穿电压V(BR)CBO 检测样品:晶体管 标准:GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管
机构所在地:上海市 更多相关信息>>
检测项:绝缘层击穿电压的试验 检测样品:绝缘手套 标准:GB 17622-2008 带电作业用绝缘手套通用技术条件
检测项:绝缘油击穿试验 检测样品:电力变压器 标准:电气装置安装工程电气设备交接试验标准 GB 50150-2006
检测项:夏比缺口冲击试验 检测样品:金属材料及制品 标准:金属材料缺口试样标准冲击试验方法ASTM E23-12C
检测项:洛氏硬度试验 检测样品:金属材料及制品 标准:金属材料 洛氏硬度试验 第1部分:试验方法(A、B、C、D、E、F、G、H、K、N、T标尺) GB/T 230.1-2009
机构所在地:浙江省宁波市 更多相关信息>>
检测项:绝缘油 介电强度 检测样品:电力用煤 标准:绝缘油击穿电压测定法GB/T 507-2002
检测项:电压暂降、短时中断和电压变化抗扰度 检测样品:电子设备 标准:电压暂降、短时中断和电压变化抗扰度试验 GB/T17626.11-2008
检测项:交流电压 检测样品:高压电器设备 标准:高电压试验技术 第1部分:一般定义及试验要求 GB/T16927.1-2011 高电压试验技术 第2部分:测量系统 GB/T16927.2
机构所在地:湖北省武汉市 更多相关信息>>