固体绝缘材料工频交、直流击穿性能检测实验

直流电治疗设备

简介

直流电治疗设备相关标准： 1、YY 9706.210-2021 医用电气设备第2-10部分：神经和肌肉刺激器的基本安全和基本性能专用要求 2、YY 0649-2016 电位治疗设备 3、YY/T 0696-2021 神经和肌肉刺激器输出特性的测量查看详情>>

直流电治疗设备

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直流电治疗设备相关标准：
1、YY 9706.210-2021 医用电气设备第2-10部分：神经和肌肉刺激器的基本安全和基本性能专用要求
2、YY 0649-2016 电位治疗设备
3、YY/T 0696-2021 神经和肌肉刺激器输出特性的测量

收起百科↑ 最近更新：2023年03月22日

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武汉中原电子集团有限公司计量检测中心

检测项：集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO 检测样品：双极型晶体管标准：半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994

检测项：集电极-基极击穿电压V(BR)CBO 检测样品：场效应管标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994

检测项：集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO 检测样品：场效应管标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994

机构所在地：湖北省武汉市更多相关信息>>

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中国船舶重工集团公司第七一六研究所机电设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：集电极—基极击穿电压检测样品：场效应管标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

检测项：发射极—基极击穿电压检测样品：场效应管标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

检测项：集电极—基极击穿电压检测样品：晶体三极管标准：GB/T4587-1994 《半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管》

机构所在地：江苏省连云港市更多相关信息>>

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中国船舶重工集团公司第723研究所电工电子设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：集电极—基极击穿电压检测样品：双极型晶体管标准：《半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管》GB/T4587-1994

检测项：发射极—基极击穿电压检测样品：场效应管标准：《半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管》GB/T4586-1994

检测项：漏源击穿电压检测样品：场效应管标准：《半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管》GB/T4586-1994

机构所在地：江苏省扬州市更多相关信息>>

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中国电子科技集团公司第二十七研究所计量检测中心

检测项：发射极-基极击穿电压V(BR)EBO 检测样品：三端稳压电源（电压调整器）标准：半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理GB/T4377-1996

检测项：集电极-基极击穿电压V(BR)CBO 检测样品：三端稳压电源（电压调整器）标准：半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理GB/T4377-1996

检测项：集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO 检测样品：三端稳压电源（电压调整器）标准：半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理GB/T4377-1996

机构所在地：河南省郑州市更多相关信息>>

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广东省电子电器产品监督检验所

检测项：击穿电压检测样品：整流二极管标准：半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范 GB/T 4589.1-2006

检测项：交变湿热检测样品：电工电子产品标准：电工电子产品基本环境试验规程试验Db：交变湿热试验方法 GB/T 2423.4-2008

检测项：工频磁场抗扰度检测样品：电子电气设备标准：电磁兼容试验和测量技术工频磁场抗扰度试验 GB/T 17626.8-2006 IEC 61000-4-8:2004 EN 61000-4-8:2004

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中国电子科技集团公司第二十四研究所质检中心

检测项：击穿电压检测样品：晶体管标准：半导体器件分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994

检测项：击穿电压检测样品：场效应管IGBT 标准：半导体分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994

检测项：反向击穿电压检测样品：电容标准：电子设备用固定电容器第1部分：总规范 GB/T2693-2001

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湖北航天技术研究院计量测试技术研究所

检测项：击穿电压 V（BR）检测样品：晶体管标准：半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分：场效应晶体管 GB/T 4587-1994

检测项：集电极-基极击穿电压V(BR)CBO 检测样品：晶体管标准：半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分：场效应晶体管 GB/T 4587-1994

检测项：发射极-基极击穿电压V(BR)EBO 检测样品：晶体管标准：半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分：场效应晶体管 GB/T 4587-1994

机构所在地：湖北省孝感市更多相关信息>>

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陕西省电子技术研究所电子元器件检测筛选中心

检测项：反向击穿电压（V(BR)CEO）检测样品：电容器标准：电子设备用固定电容器第1部分：总规范 GB/T 2693-2001

检测项：反向击穿电压（V(BR)）检测样品：晶体管标准：半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管 GB/T4587-94 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97

检测项：集电极-发射极击穿电压（V(BR)CEO）检测样品：晶体管标准：半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管 GB/T4587-94 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97

机构所在地：陕西省西安市更多相关信息>>

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上海华岭集成电路技术股份有限公司检测中心

检测项：栅源击穿电压检测样品：VDMOS管标准：半导体器件测试方法 MIL-STD-750F:2012 方法3401.1

检测项：差分放大器的输出电压范围（仅直流测试）检测样品：CMOS集成电路标准：半导体器件集成电路第3部分：模拟集成电路 GB/T 17940-2000

检测项：差分放大器的输出电压范围（仅直流测试）检测样品：RF器件标准：半导体器件集成电路第3部分：模拟集成电路 GB/T 17940-2000

机构所在地：上海市更多相关信息>>

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云南昆船电子设备有限公司蓝海综合实验中心

检测项：击穿电压检测样品：双极型晶体管标准：GB/T 4587-1994 半导体器件和集成电路第7部分：双极型晶体管

检测项：发射极-基极击穿电压检测样品：双极型晶体管标准：GB/T 4587-1994 半导体器件和集成电路第7部分：双极型晶体管

检测项：集电极-基极击穿电压检测样品：半导体集成运算放大器标准：SJ/T 10738-1996 半导体集成电路运算(电压)放大器测试方法的基本原理

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