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机构所在地:河南省洛阳市 更多相关信息>>
检测项:老炼试验 检测样品:半导体集成电路模拟开关 标准:半导体集成电路模拟开关测试方法的基本原理 GB/T14028-92 半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T10741-2000
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检测项:密封 检测样品:半导体集成电路模拟开关 标准:半导体集成电路模拟开关测试方法的基本原理 GB/T14028-92 半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T10741-2000
机构所在地:陕西省西安市 更多相关信息>>
检测项:输入失调电流 检测样品:运算放大器 标准:半导体集成电路电压比较器 测试方法的基本原理 GB/T 6798-1996
检测项:输入偏置电流 检测样品:运算放大器 标准:半导体集成电路电压比较器 测试方法的基本原理 GB/T 6798-1996
检测项:开环电压增益 检测样品:运算放大器 标准:半导体集成电路电压比较器 测试方法的基本原理 GB/T 6798-1996
机构所在地:湖北省武汉市 更多相关信息>>
检测项:输出漏电流 检测样品:时基电路 标准:《半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理》GB/T 14030-1992
检测项:静态功耗 检测样品:时基电路 标准:《半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理》GB/T 14030-1992
检测项:触发电流 检测样品:时基电路 标准:《半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理》GB/T 14030-1992
机构所在地:江苏省扬州市 更多相关信息>>
检测项:短路正向跨导gfs 检测样品:半导体集成电路时基电路 标准:GB/T14030-1992 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理
检测项:静态漏-源通态电阻RDS(on) 检测样品:半导体集成电路时基电路 标准:GB/T14030-1992 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理
检测项:漏-源击穿电压V(BR)DSS 检测样品:半导体集成电路时基电路 标准:GB/T14030-1992 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理
机构所在地:上海市 更多相关信息>>
检测项:电源电压抑制比 检测样品:时基电路 标准:半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理 GB/T14030-1992
检测项:最大差模输入电压 检测样品:时基电路 标准:半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理 GB/T14030-1992
检测项:输出高电平电压 检测样品:时基电路 标准:半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理 GB/T14030-1992
机构所在地:重庆市 更多相关信息>>
检测项:稳定性烘焙 检测样品:电压比较器 标准:GB/T6798-1996《半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理》
检测项:温度循环 检测样品:电压比较器 标准:GB/T6798-1996《半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理》
检测项:输入失调电压VIO 检测样品:电压比较器 标准:GB/T6798-1996《半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理》
检测项:输出高电平电压 检测样品:CMOS电路 标准:半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T 10741-2000
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机构所在地:四川省成都市 更多相关信息>>
检测项:输入低电平电压VIL 检测样品:半导体集成 电路 (CMOS) 标准:半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理SJ/T10741-2000
检测项:输入正向阈值电压VIT+ 检测样品:半导体集成 电路 (CMOS) 标准:半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理SJ/T10741-2000
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检测项:零点误差 检测样品:光电耦合器 标准:SJ 20961-2006 集成电路A/D和D/A转换器测试方法的基本原理
检测项:失调误差 检测样品:光电耦合器 标准:SJ 20961-2006 集成电路A/D和D/A转换器测试方法的基本原理
检测项:零点误差 检测样品:光电耦合器 标准:SJ/T 10818-1996 半导体集成非线性电路数字/模拟转换器和模拟/数字转换器测试方法的基本原理